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eSATA靜電放電防護方案

音視頻接口IC ? 來源:嵌入式集成電路IC ? 作者:嵌入式集成電路 ? 2025-02-25 16:22 ? 次閱讀
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方案簡介

eSATA,全稱為External Serial ATA(外部串行ATA),是SATA接口的一種外部應用標準。SATA接口的設計僅供作為使用于系統機箱內,而eSATA則是其“外部化”版本,用來連接那些安裝在機箱外部的SATA設備。借助eSATA接口,用戶能夠便捷地將SATA硬盤直接連接到機箱外部的相應接口上,省去了打開機箱更換硬盤的繁瑣步驟。eSATA接口優勢在于其高傳輸速度和低CPU占用率,其理論傳輸速度可達到1.5Gbps或3Gbps,甚至更高版本SATA-IO可支持6Gbps,使得eSATA接口非常適合進行大文件的傳輸、備份和存儲。

eSATA接口支持熱插拔功能,用戶可以在不關機的情況下隨時接上或移除SATA裝置,提高了使用的便捷性。如何避免因頻繁的插拔線纜所造成的ESD管損害,怎么讓產品穩定可靠的運行,成為我們迫切需要處理的問題。此方案信號部分采用集成四通道保護、超低容值、低漏電的ESD防護器件,在不影響數據傳輸的前提下滿足IEC61000-4-2 Level 4靜電放電防護需求,讓后端的電路得到有效防護。

引腳配置及工作原理

wKgZO2e9fb6AJrSnAAAhCEnYKxY898.png

引腳 名稱 功能
1 GND 地線
2 A+ 數據發送+
3 A- 數據發送-
4 GND 地線
5 B- 數據接收-
6 B+ 數據接收+
7 GND 地線

SATA采用串行數據傳輸方式,即數據以逐位(bit)的形式進行傳輸,且使用差分信號和特定的數據協議來管理和控制數據傳輸,差分信號通過一對相互補償的信號線(差分對)來傳輸數據,接收端通過檢測兩個信號之間的差異來恢復原始信號,提高了信號的抗干擾能力和傳輸距離。

應用示例

wKgZPGe9fb-AUzDmAAAvQwUMoXg082.png

我們為eSATA接口提供了兩種封裝相同電氣特性相似的十引腳ESD防護器件,專為保護高速差分線路而設計,可同時保護兩個差分數據對,其型號分別為SEUC10F3V4U和SEUC10F3V4UB。器件的流通式封裝設計簡化了 PCB 布局,減少布線過程中的不連續性,促進了信號完整性和系統穩定性的提升。

SEUC10F3V4U結電容為0.6pF,鉗位電壓為13V,符合IEC 61000-4-2 (ESD) 規范,可在 ±17kV(空氣)和 ±12kV(接觸)下提供瞬變保護。SEUC10F3V4UB結電容為0.5pF,鉗位電壓僅為3.5V,符合IEC 61000-4-2 (ESD) 規范,可在 ±23kV(空氣)和 ±22kV(接觸)下提供瞬變保護。客戶可根據線路實際情況選擇器件。

型號參數

規格型號 方向 工作電壓(V) IPP(A) 鉗位電壓(V) 結電容(pF) 封裝
SEUC10F3V4U Uni 3.3 8 13 0.6 DFN2510-10L
SEUC10F3V4UB Uni 3.3 8 3.5 0.5 DFN2510-10L

電氣特性表

At TA = 25℃ unless otherwise noted

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse stand-off voltage VRWM 3.3 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT= 1mA 4.0 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=3.3V 1 uA
Clamping Voltage VCL IPP=1A; TP=8/20us 7.0 9.0 V
Clamping Voltage VCL IPP=8A; TP=8/20us 13.0 15.0 V
Junction capacitance CJ I/O pins to ground;
VR=0V; f = 1MHz
0.6 1.0 pF
Between I/O pins;
VR=0V; f = 1MHz 0.3 0.5

表1 SEUC10F3V4U電氣特性表

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM 3.3 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 5.0 7.3 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=3.3V 100 nA
Clamping Voltage VCL IPP=1A; tp=8/20us 1.0 3.0 V
Clamping Voltage VCL IPP=8A; tp=8/20us 3.5 5.0 V
Dynamic Resistance Rdyn IR= 16A; Tamb = 25℃ 0.2 Ω
Junction Capacitance CJ VR=0V; f=1MHz;IO-GND 0.50 pF
VR=0V; f=1MHz;IO-IO 0.22

表2 SEUC10F3V4UB電氣特性表

總結與結論

由于eSATA接口在現實生活中對于需要高速、穩定數據傳輸的專業用戶以及追求高效數據處理體驗的消費者而言具有重要的意義,保護eSATA接口免受ESD靜電損害極為關鍵。ELECSUPER SEMI研發各種低電容低鉗位電壓的ESD保護器件,可按照客戶需求性能與封裝提供定制化開發服務,為各種接口提供值得信賴的保護器件。以上解決方案是保護eSATA接口的優選之策,確保數據傳輸的穩定性和可靠性。

審核編輯 黃宇

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