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應變片的由來與原理

劉林 ? 來源:jf_25005321 ? 作者:jf_25005321 ? 2025-02-26 15:07 ? 次閱讀
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一、應變片的由來

1. 科學發現:電阻應變效應(1856年)

應變片的誕生源于一項關鍵物理現象的發現。1856年,英國物理學家威廉·湯姆森(William Thomson,即開爾文勛爵)在研究金屬導線時,首次觀察到金屬材料在受力變形時電阻值會發生變化,這一現象被稱為電阻應變效應。這一發現為應變片的設計奠定了理論基礎,但受限于當時的技術水平,尚未實現實際應用。

2. 原型誕生:金屬絲應變片(1930年代)

20世紀30年代,美國工程師**愛德華·E·西蒙斯(Edward E. Simmons)阿瑟·C·魯格(Arthur C. Ruge)**獨立研發出首款實用化應變片。他們使用直徑約0.025mm的康銅(銅鎳合金)絲繞制成柵狀結構,并用膠水固定在紙基上,形成了最早的金屬絲應變片。這種設計首次實現了將機械應變轉換為可測量的電阻變化,并迅速應用于橋梁和飛機結構的應力測試。

3. 技術突破:箔式應變片的發明(1952年)

金屬絲應變片存在靈敏度低、易斷裂等缺陷。1952年,美國BLH公司通過光刻蝕刻技術,在聚酰亞胺薄膜上制作出超薄金屬箔敏感柵,研發出金屬箔式應變片。這種新型應變片具有更薄的厚度(3-5μm)、更高的靈敏系數(K=2.1K=2.1),并可通過圖案設計優化應變傳遞效率,成為現代應變片的標志性形態。

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4. 材料革新:半導體與特殊場景應變片(1960年代后)

隨著半導體技術的發展:

半導體應變片(1960年代):利用硅、鍺等材料的壓阻效應,靈敏系數(K=100~150K=100~150)遠超金屬應變片,但需解決溫度漂移問題。

高溫應變片(1970年代):采用卡瑪合金(Karma)或陶瓷基底,耐受溫度可達800°C,用于噴氣發動機熱端部件監測。

光纖應變片(21世紀):基于光纖布拉格光柵(FBG)技術,實現抗電磁干擾、長距離分布式測量。

二、應變片的工作原理

1. 核心原理:電阻應變效應

應變片基于電阻應變效應,即導體或半導體材料在機械變形時電阻值發生改變。其數學表達為:

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(1)金屬應變片

幾何形變主導:金屬材料的電阻變化主要由長度(LL)和橫截面積(AA)的變化引起。根據公式 R=ρLAR=ρAL?,拉伸時 LL 增加、AA 減小,導致電阻增大。

應變系數:金屬的 KK 值通常為2.0左右,由幾何形變和泊松效應共同決定。

(2)半導體應變片

壓阻效應主導:半導體材料的電阻變化主要源于晶格變形引起的電阻率(ρρ)變化,其 KK 值可達100以上,靈敏度顯著高于金屬應變片。

2. 測量系統與信號處理

應變片通常接入惠斯通電橋電路,將電阻變化轉換為電壓信號:

電橋配置:1/4橋、半橋或全橋接法,全橋接法可提高靈敏度和抗干擾能力。

信號調理:通過放大器濾波器消除噪聲,再經模數轉換輸出應變值。

3. 溫度補償技術

應變片對溫度敏感,需采用補償措施:

補償片法:將同批次應變片粘貼于無應力試塊,與工作片組成差動電橋,抵消溫度影響。

自補償應變片:選用與待測材料熱膨脹系數匹配的敏感柵材料(如Karma合金),直接減少溫度誤差。

4. 特殊類型應變片

應變花:由多個敏感柵按不同方向排列(如0°-45°-90°),用于測量復雜應力狀態下的主應變。

薄膜應變片:采用濺射工藝在基底上沉積金屬或半導體薄膜,適用于微型化、高頻響應場景。

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三、總結

應變片的發展史是材料科學與測量技術結合的典范。從早期金屬絲到現代半導體和光學應變片,其靈敏度和適用場景不斷拓展。工作原理上,金屬與半導體應變片分別通過幾何形變和壓阻效應實現應變-電信號轉換,輔以溫度補償技術提升精度。未來,隨著MEMS技術和智能傳感器的進步,應變片將在物聯網、智能結構監測中發揮更大作用。

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廣州市向和科技有限公司致力于工業領域、測試測量,專注于高端的信號處理和數據采集,精密儀器的自主研發和創新,提供高端的應變應力測試儀、信號處理、系統集成等一系列產品和解決方案。經過多年的努力,向和團隊人員幫助全球眾多客戶解決各種難題,通過我們開放式的產品平臺,為客戶提高效率,降低成本。在向和公司的支持下,系統集成商和合作伙伴實現了更好的增值服務,并在向和公司的產品基礎上不斷衍生出各種最新的應用。

審核編輯 黃宇

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