進(jìn)入2025年以來(lái)，全行業(yè)出現(xiàn)SiC碳化硅MOSFET價(jià)格開(kāi)始低于傳統(tǒng)IGBT的現(xiàn)象，比行業(yè)認(rèn)知提前十幾年見(jiàn)證功率半導(dǎo)體歷史拐點(diǎn)：SiC碳化硅MOSFET價(jià)格開(kāi)始低于IGBT！主要源于技術(shù)突破、產(chǎn)能擴(kuò)張與市場(chǎng)需求的共同作用。以下從原因和影響兩方面展開(kāi)分析：

---

### **一、價(jià)格下降的原因**
1. **產(chǎn)能釋放與技術(shù)成熟**
- 中國(guó)本土SiC產(chǎn)業(yè)鏈在2024年迎來(lái)產(chǎn)能集中釋放期，多家企業(yè)完成6英寸和8英寸晶圓產(chǎn)線建設(shè)，產(chǎn)能從2022年的46萬(wàn)片（折合6英寸）激增至2025年的390萬(wàn)片，全球有效產(chǎn)能同步增長(zhǎng)至300萬(wàn)片。
- 8英寸晶圓量產(chǎn)加速，單位芯片成本顯著降低。例如，6英寸外延片價(jià)格在2024年下半年暴跌60.47%，推動(dòng)整體成本下降。

2. **本土化競(jìng)爭(zhēng)與價(jià)格戰(zhàn)**
- 中國(guó)SiC廠商通過(guò)政策支持和規(guī)模化生產(chǎn)快速降低成本，打破國(guó)際廠商壟斷。2025年國(guó)產(chǎn)SiC芯片價(jià)格預(yù)計(jì)較全球均價(jià)低約30%，并通過(guò)價(jià)格戰(zhàn)搶占市場(chǎng)份額。
- 供需格局逆轉(zhuǎn)：2025年全球SiC襯底需求量約250萬(wàn)-300萬(wàn)片，而有效產(chǎn)能達(dá)657萬(wàn)片，供過(guò)于求加劇價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)。

3. **技術(shù)迭代與成本優(yōu)化**
- SiC MOSFET技術(shù)逐漸成熟，良率提升。例如，溝道遷移率提高和柵氧化層可靠性增強(qiáng)，降低了研發(fā)與生產(chǎn)成本。
- 應(yīng)用端成本優(yōu)勢(shì)顯現(xiàn)：SiC器件的高頻、低損耗特性減少外圍元件（如散熱器和電感）需求，系統(tǒng)整體成本下降。2024年上半年，采用SiC的電動(dòng)汽車(chē)成本已降低15%-20%。

4. **電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)**
- 特車(chē)企大規(guī)模采用SiC模塊，推動(dòng)需求激增。
- 中國(guó)車(chē)企認(rèn)證本土供應(yīng)商，降低進(jìn)口依賴。預(yù)計(jì)2025年底國(guó)產(chǎn)SiC芯片在電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)滲透率將顯著提升。

---

### **二、對(duì)行業(yè)的影響**
1. **加速替代IGBT**
- SiC MOSFET在導(dǎo)通損耗、開(kāi)關(guān)頻率和高溫性能上優(yōu)于IGBT，價(jià)格低于IGBT后，其在新能源汽車(chē)、光伏逆變器等高頻高功率場(chǎng)景的替代速度加快。
- 例如，SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗僅為IGBT的1/4，且無(wú)電流拖尾現(xiàn)象，系統(tǒng)效率提升顯著。

2. **產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)與整合**
- 價(jià)格戰(zhàn)導(dǎo)致行業(yè)毛利率驟降，部分企業(yè)6英寸外延片毛利率從55%跌至5.7%，行業(yè)進(jìn)入出清階段，預(yù)計(jì)2025年中期將迎來(lái)整合潮。
- 國(guó)際廠商如Wolfspeed因成本壓力調(diào)整戰(zhàn)略，而中國(guó)本土企業(yè)憑借成本優(yōu)勢(shì)加速搶占市場(chǎng)份額。

3. **推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)普及**
- SiC價(jià)格下降使中低端車(chē)型采用碳化硅成為可能。例如，2025年SiC器件成本預(yù)計(jì)與IGBT相當(dāng)，推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)?yán)m(xù)航提升和售價(jià)下探。
- 高頻特性支持更緊湊的電驅(qū)系統(tǒng)設(shè)計(jì)，進(jìn)一步降低整車(chē)重量和能耗。

4. **技術(shù)路線競(jìng)爭(zhēng)加劇**
- IGBT廠商面臨轉(zhuǎn)型壓力，只能依靠降價(jià)維持份額。
- 氮化鎵（GaN）等其他寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)可能因SiC價(jià)格下降面臨差異化競(jìng)爭(zhēng)。

---

### **總結(jié)**
SiC MOSFET價(jià)格低于IGBT的拐點(diǎn)，標(biāo)志著第三代半導(dǎo)體技術(shù)從高端市場(chǎng)向大眾化應(yīng)用的跨越。這一變革由產(chǎn)能擴(kuò)張、本土化競(jìng)爭(zhēng)和技術(shù)突破共同驅(qū)動(dòng)，其影響不僅限于功率半導(dǎo)體行業(yè)，更將重塑新能源汽車(chē)、能源基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域的格局。未來(lái)，隨著8英寸晶圓普及和產(chǎn)業(yè)鏈整合完成，SiC有望成為電力電子領(lǐng)域的“新常態(tài)”，而IGBT則需在特定場(chǎng)景中尋求差異化生存空間。

審核編輯 黃宇