1、簡(jiǎn)介

致態(tài)TiPro9000固態(tài)硬盤，作為致態(tài)品牌精心雕琢的首款PCIe 5.0旗艦級(jí)存儲(chǔ)力作，在技術(shù)與性能的疆場(chǎng)上實(shí)現(xiàn)了令人矚目的重大跨越。它以前瞻性的戰(zhàn)略眼光，率先運(yùn)用了基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)新一代晶棧Xtacking4.0架構(gòu)的閃存顆粒，如同為存儲(chǔ)系統(tǒng)注入了強(qiáng)勁的心臟。同時(shí)，巧妙融合先進(jìn)的DRAM緩存與智能SLC緩存機(jī)制，如同精密的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，構(gòu)建起了一個(gè)堅(jiān)不可摧、高效運(yùn)轉(zhuǎn)的強(qiáng)大存儲(chǔ)性能體系。

在讀寫速度的競(jìng)技舞臺(tái)上，TiPro9000宛如脫韁的駿馬，一騎絕塵，表現(xiàn)尤為卓越非凡。其順序讀取速度風(fēng)馳電掣，高達(dá)14,000MB/s，順序?qū)懭胨俣韧瑯託鈩?shì)如虹，達(dá)到了驚人的 12,500MB/s。這般震撼的讀寫速率，幾乎是主流PCIe 4.0產(chǎn)品的雙倍之多，如同在存儲(chǔ)賽道上實(shí)現(xiàn)了一次質(zhì)的飛躍。并且，它已無限逼近PCIe 5.0固態(tài)硬盤接口的理論速度上限，淋漓盡致地彰顯了其在存儲(chǔ)領(lǐng)域的王者風(fēng)范與領(lǐng)先地位。

本次測(cè)評(píng)的是2TB版本的致態(tài)TiPro9000，它不僅擁有令人艷羨的超大存儲(chǔ)容量，更憑借卓越超凡的性能，成為了各類嚴(yán)苛應(yīng)用場(chǎng)景的絕佳拍檔。無論是大型3A游戲中那瞬息萬變的虛擬世界，需要快速加載海量數(shù)據(jù)以營(yíng)造身臨其境的沉浸感；還是專業(yè)視頻編輯領(lǐng)域，面對(duì)動(dòng)輒數(shù)GB的高清素材，要求存儲(chǔ)設(shè)備能夠穩(wěn)定且迅速地讀寫；亦或是復(fù)雜3D建模、精細(xì)動(dòng)畫設(shè)計(jì)中，對(duì)數(shù)據(jù)的實(shí)時(shí)調(diào)用與存儲(chǔ)有著極高的精度和速度要求；甚至是高負(fù)荷數(shù)據(jù)中心、前沿機(jī)器學(xué)習(xí)以及沉浸式VR/AR等對(duì)存儲(chǔ)性能吹毛求疵的應(yīng)用場(chǎng)景，TiPro9000都能游刃有余地完美適配，為用戶奉上極致流暢、高效穩(wěn)定的存儲(chǔ)體驗(yàn)，仿佛為用戶開啟了一扇通往高效數(shù)據(jù)處理的魔法之門。

2、外觀和架構(gòu)

2.1 外觀

尺寸規(guī)格：致態(tài)TiPro9000采用M.2 2280規(guī)格設(shè)計(jì)，小巧的外形尺寸使其能夠輕松適配各種支持M.2接口的設(shè)備，如臺(tái)式電腦主板和筆記本電腦，滿足不同用戶的硬件升級(jí)和安裝需求。

正面設(shè)計(jì)：整體風(fēng)格簡(jiǎn)約大氣，正面覆蓋著典雅的銀色貼紙，質(zhì)感細(xì)膩，視覺效果兼具科技感與高端氣質(zhì)。貼紙左上角印有致態(tài)的品牌標(biāo)志，右下角清晰標(biāo)注了SSD型號(hào)“TiPro9000”，左下角則特別注明了其采用的長(zhǎng)江存儲(chǔ)晶棧Xtacking閃存技術(shù)，與外包裝設(shè)計(jì)相呼應(yīng)，進(jìn)一步提升了品牌與產(chǎn)品的辨識(shí)度。

背面設(shè)計(jì)：背面同樣貼有信息標(biāo)簽，集中展示了產(chǎn)品參數(shù)和序列號(hào)等重要信息，方便用戶快速識(shí)別。此外，邊沿位置設(shè)計(jì)了一抹銅紅色，這實(shí)際上是一張散熱貼，能夠?qū)⑿酒趁娴臒崃烤鶆騻鲗?dǎo)至PCB，增大散熱面積，從而顯著提升硬盤的散熱性能。

材質(zhì)與設(shè)計(jì)：致態(tài)TiPro9000隨附的散熱器采用金屬材質(zhì)，重量超過30克，設(shè)計(jì)上采用兩側(cè)雙斜道與中空式結(jié)構(gòu)。這種獨(dú)特設(shè)計(jì)能夠引入更多氣流輔助散熱，配合機(jī)箱風(fēng)扇使用時(shí)效果尤為顯著。

導(dǎo)熱貼細(xì)節(jié)：散熱器頂部和底部均配備了導(dǎo)熱貼，其中頂部的導(dǎo)熱貼分為三小塊，分別對(duì)應(yīng)主控、緩存和閃存的位置。由于這些芯片的厚度不同，三塊導(dǎo)熱貼的厚度也經(jīng)過精心設(shè)計(jì)，相比傳統(tǒng)的大片導(dǎo)熱貼，能夠更緊密地貼合芯片，進(jìn)一步提升散熱效率。

通過以上設(shè)計(jì)與細(xì)節(jié)優(yōu)化，致態(tài)TiPro9000不僅在性能上表現(xiàn)出色，更在外觀與散熱設(shè)計(jì)上展現(xiàn)了卓越的品質(zhì)與用戶體驗(yàn)。

2.2 架構(gòu)

主控芯片：致態(tài)TiPro9000搭載了8通道的PCIe 5.0 SSD主控芯片，能夠高效管理和傳輸數(shù)據(jù)，充分發(fā)揮PCIe 5.0接口的帶寬優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)超高速的數(shù)據(jù)讀寫性能，為用戶帶來極致的存儲(chǔ)體驗(yàn)。

緩存模塊：1TB版本配備了1GB的LPDDR4 DRAM緩存，而2TB版本則配備了2GB的LPDDR4 DRAM緩存。這些獨(dú)立緩存模塊的存在，使得硬盤能夠輕松應(yīng)對(duì)高負(fù)載和多任務(wù)應(yīng)用場(chǎng)景，顯著提升讀寫速度和響應(yīng)速度，確保系統(tǒng)在處理大量數(shù)據(jù)請(qǐng)求時(shí)依然保持流暢運(yùn)行。

閃存顆粒：致態(tài)TiPro9000的核心在于其采用的長(zhǎng)江存儲(chǔ)新一代晶棧Xtacking4.0架構(gòu)閃存顆粒。Xtacking4.0技術(shù)基于兩片晶圓直接鍵合的Xtacking工藝，大幅增加了垂直通道的數(shù)量，實(shí)現(xiàn)了更高的存儲(chǔ)密度。同時(shí)，該技術(shù)集成了多種前沿創(chuàng)新，進(jìn)一步提升了速度、性能和能效，為用戶提供了卓越的存儲(chǔ)解決方案。

通過主控芯片、緩存模塊和閃存顆粒的協(xié)同優(yōu)化，致態(tài)TiPro9000在性能、效率和可靠性方面均達(dá)到了行業(yè)領(lǐng)先水平，充分滿足了用戶對(duì)高速存儲(chǔ)的嚴(yán)苛需求。

3、產(chǎn)品規(guī)格

4、測(cè)試平臺(tái)

測(cè)試套件eBird是鸞起科技開發(fā)的SSD專業(yè)測(cè)試工具，提供全面的測(cè)試方案，覆蓋從NVMe協(xié)議到系統(tǒng)應(yīng)用級(jí)別。它適用于SSD研發(fā)、生產(chǎn)和企業(yè)驗(yàn)收階段，整合了產(chǎn)品經(jīng)驗(yàn)和常見問題，形成測(cè)試用例。

這款設(shè)備支持多端口獨(dú)立測(cè)試，兼容Windows、Linux和國(guó)產(chǎn)操作系統(tǒng)，模擬實(shí)際應(yīng)用環(huán)境，確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。eBird還能模擬各種掉電情況和盤狀態(tài)組合，支持填盤和數(shù)據(jù)校驗(yàn)，確保測(cè)試全面性。

此外，eBird提供多種測(cè)試框架和接口，包括NVMe協(xié)議、應(yīng)用層、整機(jī)掉電、PCIe Link和開發(fā)層級(jí)測(cè)試。它還包含協(xié)議覆蓋測(cè)試、PCIe Link測(cè)試套件、NVMe應(yīng)用測(cè)試、功耗測(cè)量和Trace打印功能，幫助用戶深入分析和定位問題。

5、技術(shù)解析

致態(tài)TiPro9000，作為致態(tài)品牌旗下的首款PCIe 5.0固態(tài)硬盤，憑借卓越的技術(shù)架構(gòu)，成為存儲(chǔ)領(lǐng)域的耀眼新星。它采用基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)新一代晶棧Xtacking4.0架構(gòu)的閃存顆粒，以先進(jìn)的技術(shù)手段，深度挖掘并全面釋放閃存的潛在性能，為TiPro9000賦予了超強(qiáng)的動(dòng)力內(nèi)核。

6、協(xié)議測(cè)試

消費(fèi)級(jí)SSD的協(xié)議測(cè)試是確保其符合相關(guān)通信協(xié)議和性能標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)鍵步驟。其中，NVMe協(xié)議測(cè)試是重點(diǎn)之一，主要針對(duì)支持NVMe協(xié)議的SSD，確保其符合NVMe 1.4或更高版本的標(biāo)準(zhǔn)，并驗(yàn)證其與不同主控芯片和操作系統(tǒng)的兼容性。包括命令集、隊(duì)列管理、錯(cuò)誤處理等功能的正確實(shí)現(xiàn)。

6.1 IOL測(cè)試

IOL（InterOperability Laboratory）NVMe Test協(xié)議測(cè)試是針對(duì)NVMe協(xié)議的測(cè)試。保證 NVMe 設(shè)備完全符合NVMe協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)，使不同廠商的產(chǎn)品在遵循統(tǒng)一規(guī)范的基礎(chǔ)上進(jìn)行設(shè)計(jì)和生產(chǎn)，從而在不同的系統(tǒng)和環(huán)境中能夠?qū)崿F(xiàn)互操作性和兼容性。

產(chǎn)品通通過eBird提供的IOL NVMe Test協(xié)議測(cè)試，意味著在行業(yè)內(nèi)獲得了權(quán)威認(rèn)可，能夠增強(qiáng)廠商在市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)力，提高產(chǎn)品的市場(chǎng)占有率，有助于拓展業(yè)務(wù)和合作伙伴。eBird提供的IOL NVMe Test測(cè)試內(nèi)容已經(jīng)涵蓋UNH-IOL認(rèn)證測(cè)試中的測(cè)試內(nèi)容。

通過該測(cè)試的NVMe設(shè)備會(huì)在性能、兼容性和穩(wěn)定性方面都有更好的保障，能夠?yàn)橛脩籼峁└咝А⒖煽康臄?shù)據(jù)存儲(chǔ)和訪問服務(wù)，從而降低使用過程中的風(fēng)險(xiǎn)和成本。

以下表格呈現(xiàn)的是借助eBird提供的IOL NVMe Test功能開展的一系列測(cè)試成果。在此次測(cè)試中，我們針對(duì)80個(gè)涵蓋不同功能模塊與應(yīng)用場(chǎng)景的項(xiàng)目進(jìn)行了全面且細(xì)致的檢驗(yàn)，每一項(xiàng)測(cè)試均嚴(yán)格遵循既定標(biāo)準(zhǔn)與流程。令人欣喜的是，最終所有測(cè)試項(xiàng)目均順利通過，充分展現(xiàn)了TiPro9000在多樣化條件下的卓越性能與可靠性。

6.2 NVMe測(cè)試

非易失性內(nèi)存快速互連（NVM Express）是一套開放的標(biāo)準(zhǔn)和信息集合，旨在充分展現(xiàn)非易失性內(nèi)存在從移動(dòng)設(shè)備到數(shù)據(jù)中心等各類計(jì)算環(huán)境中的優(yōu)勢(shì)。最初的非易失性內(nèi)存快速互連（NVM Express）工作組于2014年正式組建為非易失性內(nèi)存快速互連（NVM Express）協(xié)會(huì)，該協(xié)會(huì)負(fù)責(zé)非易失性內(nèi)存快速互連（NVM Express）規(guī)范的制定工作。目前，該組織擁有100多家成員公司。

SSD中的NVMe測(cè)試目的是為了確保NVMe SSD在性能、兼容性、可靠性和協(xié)議符合性等方面能夠滿足設(shè)計(jì)要求和用戶期望。以下是NVMe測(cè)試的主要目的：

驗(yàn)證協(xié)議符合性：確保SSD嚴(yán)格遵循NVMe協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)（如NVMe 1.4或更高版本），包括命令集、隊(duì)列管理、錯(cuò)誤處理、電源管理等功能的正確實(shí)現(xiàn)。保證SSD能夠與支持NVMe協(xié)議的主機(jī)設(shè)備（如CPU、主板、操作系統(tǒng)）正常通信，避免因協(xié)議不兼容導(dǎo)致的故障或性能問題。

評(píng)估性能表現(xiàn)：測(cè)試SSD在NVMe協(xié)議下的性能指標(biāo)，包括順序讀寫速度、隨機(jī)讀寫速度、IOPS（每秒輸入輸出操作數(shù)）以及延遲等。NVMe協(xié)議設(shè)計(jì)用于充分發(fā)揮PCIe接口的高帶寬和低延遲優(yōu)勢(shì)，測(cè)試性能可以驗(yàn)證SSD是否能夠達(dá)到預(yù)期的性能水平，滿足高性能應(yīng)用場(chǎng)景（如游戲、視頻編輯、數(shù)據(jù)庫(kù)）的需求。

確保兼容性：驗(yàn)證SSD在不同硬件平臺(tái)（如Intel、AMD、ARM等主控芯片）和操作系統(tǒng)（如Windows、Linux、macOS）下的兼容性。確保SSD能夠在各種消費(fèi)級(jí)設(shè)備中即插即用，避免因硬件或軟件環(huán)境差異導(dǎo)致的識(shí)別失敗、性能下降或功能異常。

測(cè)試可靠性與穩(wěn)定性：通過長(zhǎng)時(shí)間高負(fù)載測(cè)試、異常場(chǎng)景模擬（如斷電、命令超時(shí)、隊(duì)列溢出等），評(píng)估SSD在NVMe協(xié)議下的錯(cuò)誤處理能力和數(shù)據(jù)完整性。確保SSD在復(fù)雜使用環(huán)境中能夠穩(wěn)定運(yùn)行，避免數(shù)據(jù)丟失或設(shè)備故障。

驗(yàn)證多隊(duì)列與并行處理能力：測(cè)試SSD在高隊(duì)列深度下的性能表現(xiàn)，驗(yàn)證其是否能夠充分利用NVMe協(xié)議支持的多隊(duì)列和并行處理特性。NVMe協(xié)議通過多隊(duì)列設(shè)計(jì)顯著提升了SSD的并發(fā)處理能力，測(cè)試可以驗(yàn)證SSD在高負(fù)載場(chǎng)景（如多任務(wù)處理、服務(wù)器應(yīng)用）中的性能優(yōu)勢(shì)。

檢查電源管理與熱管理：驗(yàn)證SSD在NVMe協(xié)議下的電源管理功能（如低功耗狀態(tài)切換）和熱管理機(jī)制（如溫度監(jiān)控與降速保護(hù)）是否正常工作。確保SSD在滿足性能需求的同時(shí)，能夠有效控制功耗和溫度，延長(zhǎng)設(shè)備壽命并提升用戶體驗(yàn)。

確保安全功能符合要求：測(cè)試SSD的硬件加密功能（如AES-256）、安全擦除功能以及NVMe協(xié)議定義的安全特性（如TCG Opal）是否正常。保護(hù)用戶數(shù)據(jù)安全，防止未經(jīng)授權(quán)的訪問或數(shù)據(jù)泄露。

驗(yàn)證固件與驅(qū)動(dòng)兼容性：測(cè)試SSD固件與NVMe驅(qū)動(dòng)程序的兼容性，確保固件更新后功能正常且性能穩(wěn)定。避免因固件或驅(qū)動(dòng)問題導(dǎo)致的性能下降或功能異常。

NVMe測(cè)試的核心目的是通過全面驗(yàn)證SSD在協(xié)議符合性、性能、兼容性、可靠性、電源管理、安全功能等方面的表現(xiàn)，確保NVMe SSD能夠在消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)中提供高性能、高可靠性和高兼容性的存儲(chǔ)解決方案，滿足用戶對(duì)高速存儲(chǔ)設(shè)備的需求。

7、功耗及電壓測(cè)試

7.1PCIe的L0s/L1功耗測(cè)試

在PCIe電源管理體系中，定義了多種鏈路狀態(tài)，其中L0s和L1是兩種至關(guān)重要的低功耗狀態(tài)。它們的全稱及詳細(xì)信息如下：

1. L0s（L0 Standby，即 L0 待機(jī)狀態(tài)）

L0s是PCIe鏈路的一種低功耗模式，允許PCIe設(shè)備在無需傳輸數(shù)據(jù)時(shí)迅速切換至低功耗狀態(tài)，從而有效降低能耗。與此同時(shí)，設(shè)備能夠在需要數(shù)據(jù)傳輸時(shí)快速恢復(fù)至全速工作狀態(tài)（L0），確保系統(tǒng)響應(yīng)的及時(shí)性。L0s狀態(tài)的一個(gè)顯著特點(diǎn)是其單向性，即鏈路的發(fā)送端和接收端可以獨(dú)立進(jìn)入L0s狀態(tài)，這種靈活性為電源管理提供了更高的自由度。

2. L1（L1 ASPM）

L1是PCIe鏈路的另一種低功耗狀態(tài)，相較于L0s，L1能夠?qū)崿F(xiàn)更高的節(jié)能效果。然而，這種更高的能效是以更長(zhǎng)的進(jìn)入和退出L0狀態(tài)的延時(shí)為代價(jià)的。L1狀態(tài)屬于可選狀態(tài)，并且要求PCIe鏈路的兩個(gè)方向必須同時(shí)進(jìn)入L1狀態(tài)。在L1狀態(tài)下，設(shè)備通過關(guān)閉部分電源來進(jìn)一步降低能耗，同時(shí)仍能保持相對(duì)較快的恢復(fù)能力，從而在節(jié)能與性能之間實(shí)現(xiàn)了良好的平衡。

L0s和L1均屬于PCIe主動(dòng)狀態(tài)電源管理（ASPM）的范疇，其核心目標(biāo)是在設(shè)備處于非活躍狀態(tài)時(shí)最大限度地降低能耗，同時(shí)確保設(shè)備在需要時(shí)能夠快速恢復(fù)至全速工作狀態(tài)，為系統(tǒng)的高效運(yùn)行提供支持。這兩種狀態(tài)的靈活性和高效性，使得PCIe設(shè)備能夠在節(jié)能與性能之間找到最佳平衡點(diǎn)，滿足現(xiàn)代計(jì)算設(shè)備對(duì)電源管理的嚴(yán)苛需求。

7.1.1 L0s狀態(tài)下的讀寫功耗、電壓及性能測(cè)試

7.1.1.1 L0s R70W30 Rand 4K

7.1.1.2 L0s Read Rand 4k

7.1.1.3 L0s Write Rand 4k

7.1.2 L1狀態(tài)下的讀寫功耗、電壓及性能測(cè)試

7.1.2.1 L1 R70W30 Rand 4k

7.1.2.2 L1 Read Rand 4k

7.1.2.3 L1 Write Rand 4k

7.2 NVMe的PS0~PS4功耗測(cè)試

SSD中的PS0到PS4是NVMe規(guī)范中定義的電源狀態(tài)，它們分別代表不同的功耗和性能級(jí)別。

7.2.1 PS0狀態(tài)下的功耗、電壓和性能測(cè)試

PS0（Power State 0）：全速狀態(tài)，這是NVMe設(shè)備的最高性能狀態(tài)，設(shè)備在此狀態(tài)下可以提供最大的IOPS和吞吐量。

7.2.1.1 PS0 R70W30 Rand 4k

7.2.1.2 PS0 Read Rand 4k

7.2.1.3 PS0 Write Rand 4k

7.2.2 PS1狀態(tài)下的功耗、電壓和性能測(cè)試

PS1（Power State 1）：低功耗狀態(tài)，比PS0狀態(tài)消耗的功率低，但性能也相應(yīng)降低。PS1狀態(tài)通常用于設(shè)備不需要全速運(yùn)行時(shí)，以減少能耗。

7.2.2.1 PS1 R70W30 Rand 4k

7.2.2.2 PS1 Read Rand 4k

7.2.2.3 PS1 Write Rand 4k

7.2.3 PS2狀態(tài)下的功耗、電壓和性能測(cè)試

PS2（Power State 2）：更低功耗狀態(tài)，比PS1狀態(tài)的功耗更低，性能也進(jìn)一步降低。PS2狀態(tài)適用于設(shè)備長(zhǎng)時(shí)間不活躍時(shí)，以進(jìn)一步節(jié)省能源。

7.2.3.1 PS2 R70W30 Rand 4k

7.2.3.2 PS2 Read Rand 4k

7.2.3.3 PS2 Write Rand 4k

7.2.4 PS3狀態(tài)下的功耗、電壓和性能測(cè)試

PS3（Power State 3）：非操作狀態(tài)，設(shè)備在此狀態(tài)下不消耗功率，但需要更長(zhǎng)的時(shí)間來恢復(fù)到工作狀態(tài)。PS3狀態(tài)是一種深度睡眠狀態(tài)，適用于設(shè)備預(yù)期長(zhǎng)時(shí)間不被訪問的情況。

7.2.4.1 PS3 R70W30 Rand 4k

7.2.4.2 PS3 Read Rand 4k

7.2.4.3 PS3 Write Rand 4k

7.2.5 PS4狀態(tài)下的功耗、電壓和性能測(cè)試

PS4（Power State 4）：深度非操作狀態(tài)，比PS3狀態(tài)的功耗更低，但恢復(fù)到工作狀態(tài)的時(shí)間也更長(zhǎng)。PS4狀態(tài)是NVMe設(shè)備最深的電源狀態(tài)，通常用于設(shè)備預(yù)期長(zhǎng)時(shí)間不使用的情況。

7.2.5.1 PS4 R70W30 Rand 4k

7.2.5.2 PS4 Read Rand 4k

7.2.5.3 PS4 Write Rand 4k

7.3 電壓測(cè)試

在SSD的測(cè)試中，電壓穩(wěn)定性測(cè)試是至關(guān)重要的，尤其是在不同的讀寫場(chǎng)景下。這項(xiàng)測(cè)試確保SSD在正常工作電壓范圍內(nèi)能夠穩(wěn)定運(yùn)行，提高產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。

SSD對(duì)電壓穩(wěn)定性的要求較高，電壓異常可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失或設(shè)備損壞。因此，對(duì)SSD進(jìn)行電壓拉偏測(cè)試，可以模擬SSD在使用過程中可能遇到的電壓異常情況，評(píng)估其對(duì)電壓波動(dòng)的穩(wěn)定性和適應(yīng)能力。通過此測(cè)試，可以發(fā)現(xiàn)SSD在電壓異常情況下的響應(yīng)和恢復(fù)能力，為保證其在實(shí)際應(yīng)用中的穩(wěn)定性提供參考。

此外，電壓穩(wěn)定性測(cè)試還包括在不同溫度和電壓水平下進(jìn)行的四象限測(cè)試，以驗(yàn)證SSD在極端工作條件下的性能和壽命。這些測(cè)試結(jié)果對(duì)于確保SSD在各種操作條件下的可靠性至關(guān)重要。

7.3.1 Voltage 10minus R70W30 Rand 4k

7.3.2 Voltage 10minus Read Rand 4k

7.3.3 Voltage 10minus Write Rand 4k

7.3.4 Voltage 10plus R70W30 Rand 4k

7.3.5 Voltage 10plus Read Rand 4k

7.3.6 Voltage 10plus Write Rand 4k

8、結(jié)語(yǔ)

在當(dāng)今高速存儲(chǔ)需求激增的時(shí)代，存儲(chǔ)設(shè)備的性能、功耗與協(xié)議兼容性成為衡量其優(yōu)劣的關(guān)鍵指標(biāo)。TiPro9000作為一款備受矚目的NVMe SSD產(chǎn)品，在各項(xiàng)測(cè)試中均展現(xiàn)出了卓越不凡的實(shí)力。

在IOL/NVMe協(xié)議測(cè)試的嚴(yán)苛考驗(yàn)下，TiPro9000猶如精密運(yùn)轉(zhuǎn)的機(jī)械，完美契合 NVMe 2.0協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)。從命令集的精準(zhǔn)執(zhí)行，到隊(duì)列管理的有條不紊，再到錯(cuò)誤處理的及時(shí)高效，每一項(xiàng)功能都得到了正確無誤的實(shí)現(xiàn)，充分彰顯了其優(yōu)異的協(xié)議兼容性與堅(jiān)如磐石的穩(wěn)定性。

在性能表現(xiàn)上，TiPro9000更是將PCIe Gen5接口的高帶寬優(yōu)勢(shì)發(fā)揮得淋漓盡致。其順序讀寫速度猶如疾風(fēng)驟雨，迅猛而流暢；隨機(jī)讀寫性能也同樣出類拔萃，達(dá)到了行業(yè)領(lǐng)先的卓越水平。尤其是在多隊(duì)列深度測(cè)試中，TiPro9000的并行處理能力猶如千軍萬馬，勢(shì)不可擋，顯著超越了同類產(chǎn)品，能夠輕松應(yīng)對(duì)各種高負(fù)載場(chǎng)景，為用戶帶來了前所未有的極速體驗(yàn)。

在功耗管理方面，TiPro9000同樣表現(xiàn)出色，堪稱節(jié)能典范。在 PCIe L0s/L1低功耗狀態(tài)下，其功耗控制達(dá)到了令人驚嘆的優(yōu)秀水準(zhǔn)，能夠迅速在工作模式與低功耗模式之間切換，猶如靈動(dòng)的舞者，輕盈而高效，有效降低了設(shè)備在閑置狀態(tài)下的能耗。同時(shí)，在NVMe PS0~PS4不同電源狀態(tài)的切換測(cè)試中，TiPro9000仿佛擁有了智能的 “大腦”，能夠根據(jù)負(fù)載的變化動(dòng)態(tài)調(diào)整功耗，實(shí)現(xiàn)了高性能與低功耗的完美平衡。特別是在PS4深度睡眠狀態(tài)下，其功耗更是降至極低水平，猶如夜空中的螢火蟲，微弱而持久，為移動(dòng)設(shè)備的電池續(xù)航時(shí)間帶來了顯著的延長(zhǎng)。

總體而言，TiPro9000以其高端消費(fèi)級(jí)SSD的頂尖性能、出色的功耗管理以及卓越的協(xié)議兼容性，成為了一款兼具高性能與高能效的理想存儲(chǔ)產(chǎn)品。無論是追求極致性能的游戲玩家，還是注重低功耗的移動(dòng)辦公人士，TiPro9000都無疑是滿足他們需求的不二之選。