2025年被廣泛視為碳化硅(SiC)器件在電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的元年,在于國產(chǎn)SiC(碳化硅)單管和模塊價(jià)格首次低于進(jìn)口IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)單管及模塊,2025年伊始電力電子行業(yè)就全面加速推動(dòng)SiC替代IGBT的風(fēng)潮,這一趨勢的驅(qū)動(dòng)因素涉及技術(shù)突破、成本優(yōu)化、政策支持及市場需求等多方面。以下是具體分析:
1. 技術(shù)性能的全面超越
SiC器件在高頻、高溫、高壓場景下的性能優(yōu)勢顯著,逐步克服了IGBT的固有缺陷:
高頻高效:SiC MOSFET的開關(guān)頻率可達(dá)數(shù)十至數(shù)百kHz(IGBT通常局限在十幾kHz),開關(guān)損耗降低70%-80%,例如在50kW高頻電源中,SiC模塊總損耗僅為IGBT的21%。
耐高溫與高壓:SiC材料的熱導(dǎo)率是硅的3倍,工作溫度可達(dá)200℃以上,適配800V電動(dòng)汽車平臺(tái)和1500V光伏逆變器等高壓場景,減少多級轉(zhuǎn)換損耗。
系統(tǒng)級優(yōu)化:高頻特性允許使用更小的濾波器和散熱系統(tǒng),電感體積可縮小一半,散熱需求降低30%,整體系統(tǒng)體積和成本顯著優(yōu)化。
2. 成本下降與規(guī)模化效應(yīng)
此前SiC推廣的主要障礙是高昂的成本(約為硅基器件的10倍),但2025年這一局面被打破:
材料與制造成本降低:國內(nèi)企業(yè)通過6英寸晶圓量產(chǎn)和良率提升,原材料成本占比從70%逐步下降至更低水平。規(guī)模化生產(chǎn)如BASiC基本半導(dǎo)體年產(chǎn)能25萬只車規(guī)級功率模塊攤薄單位成本,使SiC模塊價(jià)格與IGBT持平甚至更低。
全生命周期成本優(yōu)勢:初期采購成本持平后,SiC的節(jié)能收益(如電鍍電源效率提升5%-10%)、維護(hù)成本降低(故障率減少)及設(shè)備體積縮小帶來的安裝成本節(jié)省,使回本周期縮短至1-2年。
3. 政策驅(qū)動(dòng)與市場需求爆發(fā)
新能源與儲(chǔ)能市場:新能源汽車、光伏逆變器、儲(chǔ)能變流器對高效器件的需求激增。例如,SiC在儲(chǔ)能變流器PCS中效率可提升至98%以上,光儲(chǔ)一體化碳化硅方案成為標(biāo)配。
國產(chǎn)替代與供應(yīng)鏈安全:國際局勢下,進(jìn)口IGBT模塊面臨供貨周期不穩(wěn)定、關(guān)稅高等問題,國內(nèi)企業(yè)如BASiC基本半導(dǎo)體通過垂直整合IDM模式實(shí)現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈布局,保障供應(yīng)鏈自主可控。
4. 產(chǎn)業(yè)背景:產(chǎn)能釋放與市場滲透加速
產(chǎn)能擴(kuò)張:2024年國內(nèi)SiC襯底年產(chǎn)能達(dá)300萬片,2025年預(yù)計(jì)增至500萬,供需格局逆轉(zhuǎn)。
應(yīng)用場景拓展:SiC在新能源汽車主驅(qū)逆變器、光伏儲(chǔ)能、高壓電網(wǎng)等領(lǐng)域的滲透率預(yù)計(jì)超過50%,國產(chǎn)SiC模塊廠商通過定制化服務(wù)鞏固本土優(yōu)勢。
5. 挑戰(zhàn)與應(yīng)對策略
盡管前景樂觀,仍需解決以下問題:
技術(shù)門檻:SiC驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)復(fù)雜度高,需配套專用驅(qū)動(dòng)芯片(如BASiC基本股份的BTD25350系列),國內(nèi)廠商通過驅(qū)動(dòng)板定制方案降低適配門檻。
可靠性驗(yàn)證:頭部企業(yè)如BASiC基本股份SiC模塊已通過AQG324車規(guī)認(rèn)證,積累數(shù)萬小時(shí)運(yùn)行數(shù)據(jù),逐步建立市場信任。
總結(jié)
2025年成為SiC全面替代IGBT的“元年”,本質(zhì)上是技術(shù)性能突破、成本下降至臨界點(diǎn)、政策與市場需求共振的結(jié)果。SiC革掉IGBT命的本質(zhì)邏輯在于技術(shù)性能的全面超越、規(guī)模化生產(chǎn)帶來的成本優(yōu)勢,以及政策與市場需求的雙重推動(dòng)。這一變革不僅是中國在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域技術(shù)崛起的標(biāo)志,更是全球電力電子產(chǎn)業(yè)向高效、綠色方向升級的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn)。
審核編輯 黃宇
-
IGBT
+關(guān)注
關(guān)注
1278文章
4058瀏覽量
254234 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
31文章
3210瀏覽量
64922 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
25文章
3056瀏覽量
50340
發(fā)布評論請先 登錄
基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案

國產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性

34mm碳化硅(SiC)功率模塊應(yīng)用在電力電子系統(tǒng)的推薦方案

SiC(碳化硅)模塊設(shè)計(jì)方案在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS)行業(yè)迅速普及

高頻感應(yīng)電源國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計(jì)算對比

高頻電鍍電源國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比

評論