TPS735 低壓差（LDO）低功耗線性穩(wěn)壓器可提供出色的交流性能和極低的接地電流。該器件具有高電源抑制比（PSRR）、低噪聲、快速啟動(dòng)以及出色的線路和負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)，同時(shí)消耗 45μA（典型值）的極低接地電流。

TPS735 器件在采用陶瓷電容器時(shí)保持穩(wěn)定，并采用先進(jìn)的 BiCMOS 制造工藝，在 500mA 輸出時(shí)產(chǎn)生 280mV 的典型壓差。TPS735 器件使用精密電壓基準(zhǔn)和反饋環(huán)路，可實(shí)現(xiàn) 2% （V 外 > 2.2 V）在所有負(fù)載、線路、過程和溫度變化范圍內(nèi)。該設(shè)備完全指定于 T J = –40°C 至 +125°C，采用扁平 3 mm × 3 mm SON-8 封裝和 2 mm × 2 mm WSON-6 封裝。
*附件：TPS735 500mA、低靜態(tài)電流、低噪聲、高 PSRR、低壓差線性穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf

特性

輸入電壓：2.7 V 至 6.5 V
具有 EN 的 500mA 低壓差穩(wěn)壓器
低 I Q ：45 μA
提供多種輸出電壓版本：
- 1.2 V 至 4.3 V 的固定輸出
- 1.25 V 至 6 V 的可調(diào)輸出
高 PSRR：1 kHz 時(shí)為 68 dB
低噪聲：13.2 μV~~RMS~~
快速啟動(dòng)時(shí)間：45 μs
采用陶瓷 2.2μF、低 ESR 輸出電容器時(shí)保持穩(wěn)定
出色的負(fù)載和線路瞬態(tài)響應(yīng)
2% 總精度（負(fù)載、線路和溫度，V 外 > 2.2 V）
極低壓差：500mA 時(shí)為 280mV
2mm × 2mm WSON-6 和
3mm × 3mm SON-8 封裝

參數(shù)

方框圖

TPS735 500mA低壓差線性穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表總結(jié)

1. 基本特性

?輸入電壓范圍?：2.7V 至 6.5V
?輸出電流?：500mA
? 靜態(tài)電流（I_Q） ?：45μA（典型值）
?輸出電壓版本?：固定輸出1.2V至4.3V，可調(diào)輸出1.25V至6V
? 電源抑制比（PSRR） ?：68dB（1kHz）
?輸出噪聲?：13.2μV RMS
?啟動(dòng)時(shí)間?：45μs
?封裝?：2mm × 2mm WSON-6和3mm × 3mm SON-8

2. 主要特點(diǎn)

?低壓差?：在500mA輸出時(shí)，壓差為280mV
?高精度?：整體精度為2%（V_OUT > 2.2V）
?快速瞬態(tài)響應(yīng)?：具有優(yōu)秀的負(fù)載和線性瞬態(tài)響應(yīng)
?穩(wěn)定性?：使用陶瓷電容器即可保持穩(wěn)定
?溫度范圍?：工作溫度范圍為-40°C至+125°C

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

?后DC-DC轉(zhuǎn)換器紋波濾波?
?IP網(wǎng)絡(luò)攝像頭?
?宏基站?
?恒溫器?

4. 功能描述

?內(nèi)部電流限制?：保護(hù)穩(wěn)壓器在故障條件下不受損壞
?關(guān)斷功能?：通過使能引腳（EN）控制穩(wěn)壓器的開啟和關(guān)斷
?壓差電壓?：使用PMOS通路晶體管實(shí)現(xiàn)低壓差
?快速啟動(dòng)和噪聲抑制電容?：固定電壓版本使用快速啟動(dòng)電路對(duì)噪聲抑制電容進(jìn)行充電，實(shí)現(xiàn)低輸出噪聲和快速啟動(dòng)
?瞬態(tài)響應(yīng)?：通過增加輸出電容大小可以減少過沖和下沖幅度，但會(huì)增加瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間；可調(diào)版本中添加前饋電容（C_FF）可改善穩(wěn)定性和瞬態(tài)響應(yīng)性能
? 欠壓鎖定（UVLO） ?：防止在輸入電壓過低時(shí)穩(wěn)壓器輸出
?最小負(fù)載?：無需輸出負(fù)載即可穩(wěn)定工作，但為達(dá)到指定精度，需要最小負(fù)載500μA
?熱保護(hù)?：當(dāng)結(jié)溫升至約165°C時(shí)，熱保護(hù)電路會(huì)禁用輸出，允許器件冷卻

5. 典型應(yīng)用電路

?固定電壓版本?：提供基本的電路連接圖
?可調(diào)電壓版本?：通過R1和R2電阻分壓器設(shè)置輸出電壓，并給出具體計(jì)算公式

6. 布局指南

?元件布局?：建議將所有電路元件放置在電路板同一側(cè)，并盡可能靠近各自的LDO引腳連接
?地線連接?：輸入和輸出電容的地線返回連接應(yīng)盡可能靠近，并通過寬銅表面連接
?獨(dú)立地線平面?：為提高AC性能（如PSRR、輸出噪聲和瞬態(tài)響應(yīng)），建議使用獨(dú)立的V_IN和V_OUT地線平面，且每個(gè)地線平面僅在器件的GND引腳處連接

7. 熱性能

?熱阻參數(shù)?：提供了不同封裝下的結(jié)到環(huán)境、結(jié)到外殼等熱阻參數(shù)
?結(jié)溫估算?：使用Ψ_JT和Ψ_JB熱度量度可以更準(zhǔn)確地估算結(jié)溫

8. 封裝和訂購(gòu)信息

提供了詳細(xì)的封裝類型、引腳配置、封裝尺寸、生態(tài)計(jì)劃、引腳完成/球材料等信息
列出了不同輸出電壓和封裝組合的器件型號(hào)和訂購(gòu)信息

9. 文檔和支持

?評(píng)估模塊?：提供TPS73501EVM-276和TPS73525EVM-276評(píng)估模塊以協(xié)助初始電路性能評(píng)估
?相關(guān)文檔?：包括TPS735EVM-276用戶指南等

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