電源電路的軟驅(qū)動(dòng)功能通過(guò)逐漸增加輸出電壓或電流，以消除啟動(dòng)時(shí)的沖擊電流，從而簡(jiǎn)化EMI問(wèn)題，使系統(tǒng)能夠平滑啟動(dòng)，減少對(duì)系統(tǒng)的沖擊，?開(kāi)關(guān)電源芯片U6221設(shè)計(jì)的軟驅(qū)動(dòng)功能的驅(qū)動(dòng)電路優(yōu)化了系統(tǒng)EMI性能。芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)有Gate高電平16V鉗位電路，以防止高VDD輸入時(shí)Gate受損。

PCB設(shè)計(jì)對(duì)電源的EMI，ESD等性能有顯著影響，開(kāi)關(guān)電源芯片U6221設(shè)計(jì)原邊回路時(shí)建議參考以下的內(nèi)容（詳情可見(jiàn)規(guī)格書(shū)）：

1.原邊主功率環(huán)路(Loop1)的面積應(yīng)盡可能小，同時(shí)走線應(yīng)盡可能粗以優(yōu)化效率。

2.RCD 吸收回路(Loop2)的面積應(yīng)盡可能小。

3.VDD 電容C3應(yīng)緊貼芯片，保證VDD回路(Loop3)的面積盡可能小。

4.如Line1 所示，輔助繞組應(yīng)直接連接到輸入容的地，以減少ESD能量對(duì)于芯片的干擾。

5.如Line2 所示，VDD電容C3及FB下阻R5應(yīng)先連接到芯片的GND管腳，再連接到輸入電容的地。

開(kāi)關(guān)電源芯片U6221集成了單點(diǎn)失效保護(hù)，包括FB上拉電阻開(kāi)路保護(hù)、FB下拉電阻開(kāi)路保護(hù)、FB下拉電阻短路保護(hù)、輸出二極管或者SR短路、RCS開(kāi)路、變壓器繞組短路、芯片GND管腳開(kāi)路等保護(hù)。一旦故障發(fā)生，芯片將進(jìn)入保護(hù)模式并自動(dòng)重啟。芯片的單點(diǎn)失效保護(hù)功能可以保證芯片不損壞且輸出不產(chǎn)生過(guò)壓。

在開(kāi)關(guān)電源芯片U6221內(nèi)部，輸出電壓通過(guò)FB管腳實(shí)時(shí)采樣并與欠壓保護(hù)閾值VFB_SLP (典型值 1V)相比。當(dāng)采樣到的FB電壓低于VFB_SLP且持續(xù)時(shí)間超過(guò)TFB_Short(典型值 50ms)時(shí)，芯片將進(jìn)入到短路保護(hù)模式，并自動(dòng)重啟。

在手機(jī)充電器的應(yīng)用中，電池與充電器之間一般會(huì)通過(guò)一定長(zhǎng)度的電纜相連，由此也將導(dǎo)致輸送到電池端的電壓產(chǎn)生一定的電壓降。開(kāi)關(guān)電源芯片U6221內(nèi)置線損補(bǔ)償功能，根據(jù)負(fù)載的變化調(diào)整線損補(bǔ)償量，從而使得線纜輸出端獲得平直的恒壓輸出曲線。線損補(bǔ)償?shù)淖畲笾禐檩敵鲭妷旱?%。