概述

ADL8102是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、低噪聲寬帶放大器，工作頻率范圍為1 GHz至22 GHz。

在9 GHz至19 GHz范圍內，ADL8102提供27 dB典型增益、2.5 dB典型噪聲系數，在1 GHz至9 GHz范圍內提供25 dBm典型輸出三階交調截點(OIP3)，以及高達15.5 dBm的飽和輸出功率(P ~SAT )，采用5 V電源電壓時功耗僅為110 mA。ADL8102還具有內部匹配50 Ω的輸入和輸出。RFIN和RFOUT引腳均內部交流耦合，同時集成了偏置電感，使其非常適合基于表貼技術(SMT)的高容量微波無線電應用。
ADL8102采用符合RoHS標準的3 mm × 3 mm、16引腳LFCSP封裝。
數據表：*附件：ADL8102 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器，1GHz至22GHz技術手冊.pdf

應用

• 電信
• 衛星通信
• 軍用雷達
• 氣象雷達
• 民用雷達
• 電子戰

特性

• 單個正電源（自偏置）
• 增益：27 dB（典型值，9 GHz至19 GHz時）
• OP1dB: 13.5 dB（典型值，1 GHz至9 GHz時）
• OIP3: 25 dBm（典型值，1 GHz至9 GHz時）
• 噪聲系數：2.5 dB（典型值，9 GHz至19 GHz時）
• 符合RoHS標準的3 mm x 3 mm、16引腳LFCSP封裝

框圖

引腳配置

接口示意圖

典型性能特征

ADL8102具有交流耦合的單端輸入和輸出端口，在1 GHz至22 GHz頻率范圍內，其阻抗通常等于50歐姆。不需要外部匹配元件。要調整lpo，請在RBlIAS和VDD引腳之間連接一個外部電阻。圖74顯示了簡化框圖。

圖75顯示了ADL8102在特定頻率范圍內的基本連接。不需要外部偏置電感，因此5 V電源可以連接到VDD引腳。建議使用1 uF、100 pF和100 pF電源去耦電容。圖75所示的電源去耦電容代表用于表征和驗證ADL8102的配置。