概述
ADL8105是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)低噪聲寬帶放大器，工作頻率范圍為5 GHz至20 GHz。

在12 GHz至17 GHz范圍內，ADL8105提供27 dB典型增益、1.8 dB典型噪聲系數和30.5 dBm典型輸出三階交調截點(OIP3)以及高達20.5 dBm的飽和輸出功率(P SAT )，采用5 V電源電壓時功耗僅為90 mA。可通過犧牲OIP3和輸出功率(P OUT )來降低功耗。ADL8105還具有內部匹配50 Ω的輸入和輸出。RFIN和RFOUT引腳均內部交流耦合，同時集成了偏置電感，使其非常適合基于表貼技術(SMT)的高容量微波無線電應用。

ADL8105采用符合RoHS標準的2 mm × 2 mm 8引腳LFCSP封裝。
數據表：*附件：ADL8105 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器，5GHz至20GHz技術手冊.pdf

應用

• 電信
• 衛星通信
• 軍用雷達
• 氣象雷達
• 電子戰
• 儀器儀表

特性

• 單正電源（自偏置）
• 增益：27 dB（典型值，12 GHz至17 GHz時）
• OP1dB：18 dB（典型值，12 GHz至17 GHz時）
• OIP3：30.5 dBm（典型值，12 GHz至17 GHz時）
• 噪聲系數：1.8 dB（典型值，12 GHz至17 GHz時）
• 符合RoHS標準的2 mm x 2 mm、8引腳LFCSP封裝

框圖

引腳配置

接口示意圖

ADL8105具有交流耦合的單端輸入和輸出端口，在5 GHz至20 GHz頻率范圍內，其阻抗標稱值等于50ω。不需要外部匹配元件。要調整lDo，請在RBlAS和VDD引腳之間連接一個外部電阻。圖73顯示了簡化框圖。

ADL8105在指定頻率范圍內工作的基本連接如圖74所示。不需要外部偏置導體，允許將5 V電源連接到VDD引腳。建議使用0.01 uF和100電源去耦電容。圖74所示的電源去耦電容代表用于表征和驗證ADL8105的配置。