概述

HMC8402是一款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)、低噪聲放大器，工作頻率范圍為2 GHz至30 GHz。該放大器提供13.5 dB增益、2 dB噪聲系數(shù)、26 dBm輸出IP3和21.5 dBm輸出功率（1 dB增益壓縮），同時功耗為68 mA（采用7 V電源時）。HMC8402僅采用單正電源供電時具有自偏置以實現(xiàn)68 mA的漏極電流I DQ 。

HMC8402放大器輸入/輸出內(nèi)部匹配50 Ω，可方便地集成至多芯片模塊(MCM)。所有數(shù)據(jù)均由通過最短0.31 mm (12 mils)的兩條0.025 mm (1 mil)線焊連接的芯片獲取。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC8402-DIE 2GHz至30GHz，GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器技術(shù)手冊.pdf

應用

• 測試儀器儀表
• 微波無線電和甚小孔徑終端(VSAT)
• 軍事與航天
• 電信基礎設施
• 光纖產(chǎn)品

特性

• 針對1 dB壓縮(P1dB)的輸出功率：21.5 dBm（典型值）
• 飽和輸出功率(PSAT)：22 dBm（典型值）
• 增益：13.5 dB（典型值）
• 噪聲系數(shù)：2 dB
• 輸出三階交調(diào)截點(IP3)：26 dBm（典型值）
• 電源電壓：7 V (68 mA)
• 50 Ω匹配輸入/輸出
• 裸片尺寸：2.7 mm × 1.35 mm × 0.05 mm

框圖

引腳配置和功能描述

接口示意圖

HMC8402是一款GaAs pHEMT MMIC低噪聲放大器。其基本架構(gòu)是單電源偏置的共源共柵分布式放大器，漏極集成RF扼流圈。共源共柵分布式架構(gòu)使用由兩個場效應晶體管(FET)堆疊而成的基本單元，上部FET的源極連接到下部FET的漏極。然后將基本單元復制幾次，用一條FIN傳輸線互連下層fet的柵極，用一條RFOUT傳輸線互連上層fet的漏極。
每個單元都采用額外的電路設計技術(shù)來優(yōu)化整體帶寬和噪聲系數(shù)。這種架構(gòu)的主要優(yōu)勢在于，在比單個基本單元提供的帶寬大得多的帶寬范圍內(nèi)，可以保持低噪聲系數(shù)。這種架構(gòu)的簡化原理圖如圖37所示。