概述
HMC553ALC3B是一款通用型雙平衡、砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)混頻器，采用符合RoHS標準的無引腳無鉛LCC封裝。HMC553ALC3B可用作頻率范圍為6 GHz至14 GHz的上變頻器或下變頻器。此混頻器無需外部元件或匹配電路。

HMC553ALC3B采用經過優化的巴倫結構，提供本振(LO)至射頻(RF)及LO至中頻(IF)抑制性能。混頻器采用的LO驅動電平范圍為9 dBm至15 dBm。HMC553ALC3B無需線焊，可以使用表貼制造技術。
數據表：*附件：HMC553ALC3B 6GHz至14GHz、GaAs、MMIC、雙平衡混頻器技術手冊.pdf

應用

• 微波和甚小孔徑終端(VSAT)無線電
• 測試設備
• 點對點無線電
• 軍事電子戰(EW)、電子對抗(ECM)、以及指揮、控制、通信和情報(C3I)

特性

• 無源：無需直流偏置
• 轉換損耗：7 dB（典型值，6 GHz至11 GHz時）
• 輸入IP3：18 dBm（典型值，6 GHz至11 GHz時）
• LO至RF隔離：36 dB（典型值）
• 寬IF帶寬：DC至5 GHz
• 符合RoHS標準的12引腳、2.90 mm × 2.90 mm LCC封裝

框圖

引腳配置描述

接口示意圖

典型應用電路

圖82展示了HMC553ALC3B的典型應用電路。HMC553ALC3B是一款無源器件，不需要任何外部組件。本振（LO）引腳和射頻（RF）引腳內部采用交流耦合，中頻（IF）引腳內部采用直流耦合。當不需要直流的中頻操作時，建議使用一個外部串聯電容，電容值的選擇應能使所需的中頻頻率范圍通過。當需要直流的中頻操作時，不要超過“絕對最大額定值”部分中規定的中頻源電流和灌電流額定值。

在應用中所使用的電路板需采用射頻電路設計技術。確保信號線具有50Ω的阻抗，并將封裝接地引腳和外露焊盤直接連接到接地層（見圖83）。使用足夠數量的過孔連接電路板的頂層和底層接地層。圖83中的評估電路板可根據需求從亞德諾半導體（Analog Devices, Inc.）獲取。