概述

ADMV1011是一款采用緊湊的砷化鎵(GaAs)設(shè)計(jì)、單芯片微波集成電路(MMIC)、雙邊帶(DSB)上變頻器，采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的封裝，針對(duì)工作頻率范圍為17 GHz至24 GHz的點(diǎn)對(duì)點(diǎn)微波無線電設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化。

ADMV1011提供21 dB的轉(zhuǎn)換增益，具有針對(duì)下邊帶和上邊帶的32 dBc和23 dBc邊帶抑制性能。ADMV1011采用射頻(RF)放大器，前接由驅(qū)動(dòng)放大器驅(qū)動(dòng)集成2×乘法器的本振(LO)的同相/正交(I/Q)雙平衡混頻器。還提供IF1和IF2混頻器輸入，需通過外部90°混合選擇所需的邊帶。I/Q混頻器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)則降低了干擾邊帶的濾波要求。ADMV1011為混合型DSB上變頻器的小型替代器件，它無需線焊，可以使用表貼制造裝配。

ADMV1011上變頻器采用緊湊的散熱增強(qiáng)型、4.9 mm × 4.9 mm LCC封裝。ADMV1011工作溫度范圍為?40°C至+85°C。
數(shù)據(jù)表：*附件：ADMV1011 17GHz至24GHz、GaAs、MMIC、I Q上變頻器技術(shù)手冊(cè).pdf

特性

• RF輸出頻率范圍：17 GHz至24 GHz
• IF輸入頻率范圍：2 GHz至4 GHz
• LO輸入頻率范圍：8GHz至12 GHz，集成2×乘法器
• 邊帶抑制：32 dB（下邊帶）
• P1dB：25 dBm
• 增益調(diào)節(jié)：30 dB
• 輸出IP3：33 dBm
• 匹配50 ? RF輸出、LO輸入和IF輸入
• 32引腳、4.9 mm × 4.9 mm LCC封裝

應(yīng)用

• 點(diǎn)對(duì)點(diǎn)微波無線電
• 雷達(dá)和電子戰(zhàn)系統(tǒng)
• 儀器儀表、自動(dòng)測(cè)試設(shè)備

框圖

引腳配置描述

典型性能特征

應(yīng)用信息

評(píng)估板和典型應(yīng)用電路采用Mini - Circuit QCN - 45+ RF 90°混合耦合器，針對(duì)低側(cè)本振（LO）（上邊帶）性能進(jìn)行了優(yōu)化。

由于ADMV1011是雙平衡I/Q混頻器，它能夠支持從4GHz到直流的中頻（IF）頻率。

典型應(yīng)用電路如圖56所示。此處展示的應(yīng)用電路已在評(píng)估板電路中復(fù)現(xiàn)。

更高分辨率的增益調(diào)節(jié)

“性能與增益調(diào)節(jié)”部分中展示的數(shù)據(jù)是基于VCTRL2和VCTRL3相等的情況下得出的。當(dāng)VCTRL2和VCTRL3分開調(diào)節(jié)時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)更高分辨率的增益調(diào)節(jié)。需要注意的是，整體動(dòng)態(tài)范圍保持不變。圖57和圖60展示了在輸出IP3和轉(zhuǎn)換增益方面，單獨(dú)使用VCTRL2和VCTRL3時(shí)的情況。

圖58展示了在23GHz時(shí)，上邊帶的射頻輸出（RFOUT）性能。圖59和圖60展示了在18GHz時(shí)，下邊帶的射頻輸出性能。在圖57和圖59中，當(dāng)VCTRL2從 - 5V掃描到 - 0.75V時(shí)，VCTRL3保持在 - 0.75V不變。在圖58和圖60中，當(dāng)VCTRL3從 - 5V掃描到 - 0.75V時(shí)，VCTRL2保持在 - 0.75V不變。