ADL8100 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器，0.01 GHz至20 GHz技術手冊
ADL8100是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、寬帶低噪聲放大器(LNA)，工作頻率范圍為0.01 GHz至20 GHz。ADL8100在0.01 GHz至6 GHz范圍內提供20 dB典型增益，在6 GHz至14 GHz范圍內提供2.5 dB典型噪聲系數，在0.01 GHz至6 GHz范圍內提供38 dBm典型輸出三階交調點(OIP3)，采用5 V電源電壓時功耗僅為220 mA。可通過犧牲OIP3和輸出功率來降低功耗。ADL8100還具有內部匹配50Ω的直流耦合輸入和輸出。
數據手冊：*附件：ADL8100 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器，0.01 GHz至20 GHz技術手冊.pdf
ADL8100采用符合RoHS標準的2 mm × 2 mm、8引腳LFCSP封裝。
特性
- 低噪聲系數：2.5 dB（典型值，6 GHz至14 GHz時）
- 單正電源（自偏置）
- 高增益：20 dB（典型值，0.01 GHz至6 GHz）
- 高OIP3：38 dBm（典型值，0.01 GHz至6 GHz）
- 符合RoHS標準的2 mm x 2 mm、8引腳LFCSP封裝
引腳配置和功能描述
接口示意圖
典型特性
簡易框圖
典型應用
應用
- 衛星通信
- 電信
- 民用雷達
- 軍用雷達
- 氣象雷達
- 電子戰
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