概述
ADH939S 是一款寬帶 5 位 GaAs IC 數(shù)字衰減器，以裸片形式提供，附帶 K 級元件評估。 覆蓋 0.1 到 40.0 GHz，在 40.0 GHz 時插入損耗小于 6.4 dB 典型值。衰減器位值為 1.0 (LSB)、1、2、4、8，總衰減為 31 dB。IIP3 為 +43 dBm 時，衰減精度非常好，典型步進誤差小于 ±1.0 dB。

ADH939S 需要雙電源電壓 Vdd = +5 V 和 Vss = -5V,，以及五個控制電壓輸入，在 +5V 和 0V 之間切換以選擇每個衰減狀態(tài)。
數(shù)據(jù)表：*附件：ADH939S航空航天0.1GHz到40GHz、GaAs、MMIC、5位1.0 dB LSB、數(shù)字衰減器技術(shù)手冊.pdf

應(yīng)用

• 軍用&航空航天
• 收發(fā)器
• 測試設(shè)備&傳感器

特性

• 1.0 dB LSB 步進為 31 dB
• 每位單一正向控制線
• 插入損耗：40 GHz 時為 6.4 dB（典型值）
• 出色衰減精度
• ±1.0 dB 典型位錯誤
• 高輸入 IP3：+43 dBm
• 功率處理能力：+25 dBm
• 雙電源供電：± 5 V

焊盤描述

模具輪廓

應(yīng)用說明

圖1展示了組裝圖。芯片應(yīng)直接靜電連接或使用導(dǎo)電環(huán)氧樹脂連接到接地層。建議使用在0.127毫米（5密耳）厚的氧化鋁薄膜襯底上的50Ω微帶傳輸線來傳輸芯片的射頻信號（圖2）。如果必須使用0.254毫米（10密耳）厚的氧化鋁薄膜襯底，則芯片應(yīng)抬高0.15毫米（6密耳），以便芯片的表面與襯底的表面共面。應(yīng)使用0.102毫米（4密耳）厚的芯片與0.150毫米（6密耳）厚的鉬散熱片（鉬片）連接，然后將其連接到接地層（圖3）。微帶傳輸線應(yīng)盡可能靠近芯片，以盡量縮短鍵合線長度。典型的芯片與襯底間距為0.076毫米至0.152毫米（3至6密耳）。