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大聯(lián)大品佳集團(tuán)推出Infineon 1200V碳化硅MOSFET,可為系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)功率密度和性能上的突破

西西 ? 作者:廠商供稿 ? 2018-04-10 14:04 ? 次閱讀
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2018年4月10日,致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下品佳代理的英飛凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET,使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開(kāi)發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求,并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。

大聯(lián)大品佳代理的英飛凌的這款SiC MOSFET帶來(lái)的影響非常顯著。電源轉(zhuǎn)換方案的開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)到目前所用開(kāi)關(guān)頻率的三倍或以上。還能帶來(lái)諸多益處,如減少磁性元件和系統(tǒng)外殼所用的銅和鋁兩種材料的用量,便于打造更小、更輕的系統(tǒng),從而減少運(yùn)輸工作量,并且更便于安裝。新解決方案有助于節(jié)能的特點(diǎn)由電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)人員來(lái)實(shí)現(xiàn)。這些應(yīng)用的性能、效率和系統(tǒng)靈活性也將提升至全面層面。

這款全新的MOSFET融匯了Infineon在SiC領(lǐng)域多年的開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn),基于先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工藝,代表著Infineon CoolSiC產(chǎn)品家族的最新發(fā)展。首款分立式1200 V CoolSiC MOSFET的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))額定值為45mΩ。它們將采用3引腳和4引腳TO-247封裝,4引腳封裝有一個(gè)額外的源極連接端子(Kelvin),作為門(mén)極驅(qū)動(dòng)的信號(hào)管腳,以消除由于源極電感引起的壓降的影響,這可以進(jìn)一步降低開(kāi)關(guān)損耗,特別是在更高開(kāi)關(guān)頻率時(shí)。

另外,大聯(lián)大品佳代理的Infineon還推出基于SiC MOSFET技術(shù)的1200V‘Easy1B’半橋和升壓模塊。這些模塊采用PressFIT連接,有良好的熱界面、低雜散電感和堅(jiān)固的設(shè)計(jì),每種封裝的模塊均有11mΩ和23mΩ的RDS(ON)額定值選項(xiàng)。

大聯(lián)大品佳集團(tuán)推出Infineon 1200V碳化硅MOSFET,可為系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)功率密度和性能上的突破

圖示1-大聯(lián)大品佳集團(tuán)力推Infineon 1200V碳化硅MOSFET的主要產(chǎn)品

特色

Infineon的CoolSiC? MOSFET采用溝槽柵技術(shù),兼具可靠性與性能優(yōu)勢(shì),在動(dòng)態(tài)損耗方面樹(shù)立了新標(biāo)桿,相比1200V硅(Si)IGBT低了一個(gè)數(shù)量級(jí)。該MOSFET完全兼容通常用于驅(qū)動(dòng)IGBT的+15 V/-5V電壓。它們將4V基準(zhǔn)閾值額定電壓(Vth)與目標(biāo)應(yīng)用要求的短路魯棒性和完全可控的dv/dt特性結(jié)合起來(lái)。與Si IGBT相比的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)包括:低溫度系數(shù)的開(kāi)關(guān)損耗和無(wú)閾值電壓的靜態(tài)特性。

這些晶體管能像IGBT一樣得到控制,在發(fā)生故障時(shí)得以安全關(guān)閉,此外,Infineon碳化硅MOSFET技術(shù)可以通過(guò)柵極電阻調(diào)節(jié)來(lái)改變開(kāi)關(guān)速度,因此可以輕松優(yōu)化EMC性能。

大聯(lián)大品佳集團(tuán)推出Infineon 1200V碳化硅MOSFET,可為系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)功率密度和性能上的突破

圖示2-大聯(lián)大品佳集團(tuán)力推Infineon 1200V碳化硅MOSFET的產(chǎn)品規(guī)格

應(yīng)用

當(dāng)前針對(duì)光伏逆變器、不間斷電源(UPS)或充電/儲(chǔ)能系統(tǒng)等應(yīng)用的系統(tǒng)改進(jìn),此后可將其范圍擴(kuò)大到工業(yè)變頻器

關(guān)于大聯(lián)大控股:

大聯(lián)大控股是全球第一,亞太區(qū)市場(chǎng)份額領(lǐng)先的半導(dǎo)體元器件分銷(xiāo)商,總部位于臺(tái)北(TSE:3702),旗下?lián)碛惺榔健⑵芳选⒃彾坝焉校瑔T工人數(shù)約5,100人,代理產(chǎn)品供應(yīng)商超過(guò)250家,全球約71個(gè) IED & 34個(gè) Non-IED分銷(xiāo)據(jù)點(diǎn)(亞太區(qū)IED 43個(gè) & Non-IED 34個(gè)),2017年?duì)I業(yè)額達(dá)175.1億美金(自結(jié))。(*市場(chǎng)排名依Gartner公布數(shù)據(jù))

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