概述
MAX32655微控制器(MCU)是一款先進(jìn)的片上系統(tǒng)(SoC)，采用Arm Cortex ^?^ -M4F CPU，可高效執(zhí)行復(fù)雜的函數(shù)和算法計(jì)算，額定溫度范圍為-40°C至+105°C。該SoC將功率調(diào)節(jié)和管理功能與單電感多輸出(SIMO)降壓穩(wěn)壓器系統(tǒng)集成于一體。板載新一代藍(lán)牙? 5.2低功耗(LE)無線電，支持遠(yuǎn)程（編碼）和高吞吐量模式以及醫(yī)療身體區(qū)域網(wǎng)絡(luò)(MBAN)。

該器件提供具有512KB閃存和128KB SRAM的大型板載存儲器，并在一個(gè)32KB SRAM存儲區(qū)上提供可選的糾錯(cuò)編碼(ECC)功能。該32KB存儲區(qū)也可保留在BACKUP模式中。提供8KB用戶OTP區(qū)域。

MAX32655支持多種高速外設(shè)，例如I^2^C、50MHz SPI和UART，以及一個(gè)用于連接音頻編解碼器的I^2^S端口。八路輸入、10位ADC可用于監(jiān)測來自外部模擬源的模擬輸入。此外，低功耗UART (LPUART)支持在超低功耗的睡眠模式下工作，有助于在不發(fā)生任何數(shù)據(jù)丟失的情況下進(jìn)行喚醒。總共提供了六個(gè)具有I/O功能的定時(shí)器，包括兩個(gè)低功耗定時(shí)器，即使在超低功耗的睡眠模式下也能實(shí)現(xiàn)脈沖計(jì)數(shù)、捕獲/比較和脈寬調(diào)制(PWM)生成。

MAX32655采用81 CTBGA封裝（8mm x 8mm，0.8mm間距）
數(shù)據(jù)表：*附件：MAX32655低功耗、Arm Cortex-M4 FPU微控制器和Bluetooth 5.2引擎技術(shù)手冊.pdf

應(yīng)用

• 資產(chǎn)追蹤
• 健身/健康和醫(yī)療可穿戴設(shè)備
• 可聽戴設(shè)備
• 工業(yè)傳感器
• 無線計(jì)算機(jī)外設(shè)和I/O設(shè)備
  特性
• 超低功耗無線微控制器
  • 內(nèi)置100MHz振蕩器
  • 具有7.3728MHz系統(tǒng)時(shí)鐘選項(xiàng)的靈活低功耗模式
  • 512KB閃存和128KB SRAM
    • 一個(gè)32KB SRAM存儲區(qū)上提供可選ECC
  • 16KB指令緩存/li>
• 藍(lán)牙5.2 LE無線電
  • 專用的超低功耗32位RISC-V協(xié)處理器，可減輕時(shí)序關(guān)鍵型藍(lán)牙處理負(fù)荷
  • 提供完全開源的藍(lán)牙5.2協(xié)議棧
  • 支持醫(yī)療身體區(qū)域網(wǎng)絡(luò)(MBAN)和Mesh
  • 高吞吐量(2Mbps)模式
  • 遠(yuǎn)程（125kbps和500kbps）模式
  • Rx靈敏度：-97dBm；Tx功率：+5.5dBm
  • 單端天線連接(50Ω)
• 提供電源管理充分延長電池壽命
  • 電源電壓范圍：2.0V至3.6V
  • 集成SIMO功率調(diào)節(jié)器
  • 3.0V時(shí)的有源電流為12.9μA/MHz
  • 對于32KB，3.0V時(shí)的保持電流為1.53μA
  • 低功耗模式下可選擇SRAM數(shù)據(jù)保留功能+RTC
• 多個(gè)外設(shè)，用于實(shí)施系統(tǒng)控制
  • 多達(dá)兩個(gè)高速SPI控制器/目標(biāo)
  • 多達(dá)三個(gè)I^2^C控制器/目標(biāo)^^
  • 多達(dá)四個(gè)UART
  • 一個(gè)I^2^S控制器/目標(biāo)
  • 多達(dá)8路輸入、10位Σ-Δ ADC 7.8ksps
  • 多達(dá)四個(gè)微功耗比較器
  • 定時(shí)器：四個(gè)32位、兩個(gè)低功耗、一個(gè)看門狗、一個(gè)低功耗看門狗
  • 1-Wire ^?^ 控制器
  • 多達(dá)四個(gè)脈沖序列(PWM)引擎
  • 帶喚醒定時(shí)器的RTC
  • 多達(dá)52個(gè)GPIO
• 安全性和完整性
  • 可選安全引導(dǎo)
  • TRNG Seed發(fā)生器
  • AES 128/192/256硬件加速引擎

框圖

電特性

應(yīng)用信息

旁路電容

正確使用旁路電容可減少集成電路（IC）產(chǎn)生并傳入接地層的噪聲。“引腳說明”表會指出哪些引腳應(yīng)連接旁路電容，以及對應(yīng)的接地層。
建議在IC封裝的每個(gè)引腳/焊球處都連接一個(gè)旁路電容。例如，若“引腳說明”表顯示與電源A相關(guān)的器件引腳有四個(gè)，那么應(yīng)分別將四個(gè)電容連接到這四個(gè)引腳上，總共需要四個(gè)電容。
電容應(yīng)盡可能靠近對應(yīng)的器件引腳放置。若某引腳推薦使用多個(gè)電容值，這些電容應(yīng)以并聯(lián)方式放置，且最低值的電容最先放置，并且最靠近引腳。

實(shí)時(shí)時(shí)鐘（RTC）晶體指南

內(nèi)部低功耗RTC振蕩器可將功耗降至最低，并最大限度延長電池使用壽命。RTC晶體的設(shè)計(jì)負(fù)載電容必須為6pF（在“電氣特性”表中稱為CL 或CL_XTAL ），以達(dá)到其標(biāo)稱頻率。不支持設(shè)計(jì)負(fù)載電容CL_XTAL值大于6pF的晶體。需注意，晶體負(fù)載電容是指晶體兩端串聯(lián)的總電容，因此對于“6pF晶體”而言，每個(gè)引腳的焊盤和走線總電容應(yīng)為12pF。該器件的RTC集成了負(fù)載電容，RTC運(yùn)行無需外部負(fù)載電容。
與外部參考時(shí)鐘相比，數(shù)字微調(diào)功能可補(bǔ)償RTC高達(dá)±127ppm的誤差。詳情請參考《MAX32655用戶指南》。
雖然無需外部負(fù)載電容來啟動或維持時(shí)鐘，但用戶也可使用外部負(fù)載電容來調(diào)整時(shí)鐘。最終的電容值必須在PCB布局完成后確定。不過，RTC振蕩器的低功耗設(shè)計(jì)要求每個(gè)引腳的總電容（CPAD + CSTRY + CL_XTAL）最大為12pF。

器件PCB電源連接性

表12列出了在PCB層面進(jìn)行任何設(shè)計(jì)時(shí)所需的電源器件引腳連接。請勿將外部元件連接到VREGx穩(wěn)壓器輸出端。這樣做會在低功耗運(yùn)行模式下導(dǎo)致過度負(fù)載，進(jìn)而引發(fā)器件復(fù)位。外部元件必須由1.8V外部電源供電。
表12. 器件PCB電源連接性