TPS22914/15 是一個小而低的 R 上 ，具有受控轉換速率的單通道負載開關。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET，可在 1.05 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內工作，并支持 2 A 的最大連續電流。該開關由開和關輸入控制，該輸入能夠直接與低壓控制信號連接。
*附件：tps22915.pdf

體積小，R 低上使該器件非常適合用于空間受限的電池供電應用。該開關的寬輸入電壓范圍使其成為適用于許多不同電壓軌的多功能解決方案。該器件的受控上升時間大大降低了由大大容量負載電容引起的浪涌電流，從而減少或消除了電源下降。該TPS22915通過集成一個 143 Ω 下拉電阻器，在開關關閉時實現快速輸出放電 （QOD），進一步減小了解決方案的總尺寸。

TPS22914/15 采用小型、節省空間的 0.78 mm x 0.78 mm、0.4 mm 間距、0.5 mm 高的 4 引腳晶圓芯片級 （WCSP） 封裝 （YFP）。該器件的額定工作溫度范圍為 –40°C 至 +105°C 的自由空氣溫度。

特性

• 集成單通道負載開關
• 輸入電壓范圍：1.05 V 至 5.5 V
• 低導通電阻 （R 上 )
  • R上V 時 = 37 mΩ（典型值） 在 = 5 伏
  • R上V 時 = 38 mΩ（典型值） 在 = 3.3 伏
  • R上V 時 = 43 mΩ（典型值） 在 = 1.8 伏
• 2A 最大連續開關電流
• 低靜態電流
  • V 時為 7.7 μA（典型值） 在 = 3.3 伏
• 低控制輸入閾值允許使用 1 V 或更高的 GPIO
• 受控轉換速率
  • t R （TPS22914B/15B） = 64 μs（V 時） 在 = 3.3 伏
  • t R （TPS22914C/15C） = 913 μs（V 時） 在 = 3.3 伏
• 快速輸出放電（僅限 TPS22915）
• 超小型晶圓芯片級封裝
  • 0.78mm × 0.78mm，0.4mm 間距，0.5mm 高 （YFP）
• ESD 性能測試符合 JESD 22 標準
  • 2 kV HBM 和 1 kV CDM

參數

方框圖

1. 產品概述

TPS22915是一款5.5V、2A、37mΩ（典型值）導通電阻的單通道負載開關，適用于空間受限、電池供電的應用。它集成了N溝道MOSFET，具有可控的上升時間，減少了由大容量負載電容引起的涌入電流，從而降低了或消除了電源壓降。

2. 主要特性

• ?低導通電阻?：在VIN=5V時，導通電阻為37mΩ（典型值）。
• ?大電流能力?：最大連續開關電流為2A。
• ?低靜態電流?：在VIN=3.3V時，靜態電流為7.7μA（典型值）。
• ?可控上升時間?：減少涌入電流，避免電源壓降。
• ?快速輸出放電?：集成143Ω下拉電阻，實現快速輸出放電。
• ?超小封裝?：0.78mm x 0.78mm，0.4mm間距，0.5mm高度的WCSP封裝。
• ?寬輸入電壓范圍?：1.05V至5.5V。

3. 應用領域

• ?智能手機?
• ?平板電腦?
• ?超薄筆記本?
• ?可穿戴設備?
• ?固態硬盤?
• ?數碼相機?

4. 功能描述

4.1 負載開關控制

• 通過ON引腳控制負載開關的開啟和關閉。ON引腳兼容低電壓控制信號，可直接與GPIO接口。

4.2 輸入電容

• 建議在VIN和GND之間放置一個1μF的陶瓷電容，以限制開關開啟時由于涌入電流引起的輸入電壓降。

4.3 輸出電容

• 由于MOSFET內置體二極管的存在，推薦CIN大于CL，以避免在系統供電移除時VOUT超過VIN。

4.4 快速輸出放電

• TPS22915集成了143Ω下拉電阻，當開關關閉時，可實現快速輸出放電。

5. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：WCSP（晶圓級芯片規模封裝）
• ?尺寸?：0.78mm x 0.78mm，0.4mm間距，0.5mm高度

6. 典型應用電路

• 提供了典型應用電路圖，展示了如何將TPS22915用于為下游模塊供電。

7. 設計指南

• ?輸入電容選擇?：推薦在VIN和GND之間放置1μF的陶瓷電容，以減少涌入電流引起的電壓降。
• ?布局建議?：VIN和VOUT走線應盡可能短且寬，以容納高電流。輸入和輸出電容應盡可能靠近TPS22915的引腳。

8. 文檔與支持

• 提供了相關的技術文檔、工具、軟件支持和社區資源鏈接。

TPS22915以其低導通電阻、大電流能力、可控上升時間和超小封裝，成為空間受限、電池供電應用的理想選擇。