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UCC27200 具有 8V UVLO 和 CMOS 輸入的 3A、120V 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-05-21 10:36 ? 次閱讀
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UCC2720x 系列高頻 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器包括一個 120V 自舉二極管以及具有獨(dú)立輸入的高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動器,可實(shí)現(xiàn)最大的控制靈活性。這允許在半橋、全橋、雙開關(guān)正激和有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器中進(jìn)行 N 溝道 MOSFET 控制。低側(cè)和高側(cè)柵極驅(qū)動器由獨(dú)立控制,并在彼此的導(dǎo)通和關(guān)斷之間匹配 1ns。
*附件:ucc27200.pdf

片上自舉二極管消除了外部分立二極管。高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動器均提供欠壓鎖定,如果驅(qū)動電壓低于指定閾值,則強(qiáng)制輸出為低電平。

UCC2720x 提供兩個版本。UCC27200 具有高抗噪 CMOS 輸入閾值,而 UCC27201 具有 TTL 兼容閾值。

特性

  • 高壓側(cè)和低壓側(cè)配置中驅(qū)動兩個 N 溝道 MOSFET
  • HS 上的負(fù)電壓處理 (–5V)
  • 最大啟動電壓為 120V
  • 最大 VDD 電壓為 20V
  • 片上 0.65V VF、0.65Ω RD 自舉二極管
  • 22ns 傳播延遲時間
  • 3A 灌電流和 3A 拉電流輸出電流
  • 1000pF 負(fù)載時,上升時間 7ns 下降時間
  • 1ns 延遲匹配
  • 用于高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動器的欠壓鎖定
  • 額定溫度范圍為 –40°C 至 150°C

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

一、產(chǎn)品概述

UCC0是一款0V、A/3A半橋驅(qū)動器,設(shè)計用于驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。它包含高側(cè)和低側(cè)兩個獨(dú)立輸入的驅(qū)動器,具有強(qiáng)大的控制靈活性,適用于多種電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),如半橋、全橋、兩開關(guān)正向和有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器。此外,UCC0還具備高噪聲免疫的CMOS輸入閾值。

二、主要特性

  • ?高電壓處理?:最大自舉電壓V,最大VDD電壓0V。
  • ?高電流驅(qū)動?:提供3A的源電流和沉電流輸出。
  • ?快速響應(yīng)?:傳播延遲時間為2ns,上升時間ns,下降時間7ns(0pF負(fù)載)。
  • ?獨(dú)立輸入?:高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器具有獨(dú)立輸入。
  • ?負(fù)電壓處理?:HS引腳可處理-5V負(fù)電壓。
  • ?保護(hù)特性?:內(nèi)置欠壓鎖定(UVLO)保護(hù),防止在低電壓條件下工作。
  • ?封裝選項?:提供SOIC、PowerPAD SOIC和VSON封裝選項。

三、引腳配置與功能

  • ?VDD?:正電源輸入,為低側(cè)柵極驅(qū)動器供電。
  • ?VSS?:負(fù)電源終端,通常接地。
  • ?HB?:高側(cè)自舉電源輸入,連接自舉電容的正極。
  • ?HS?:高側(cè)源連接,連接高側(cè)MOSFET的源極和自舉電容的負(fù)極。
  • ?HO?:高側(cè)柵極驅(qū)動器輸出,連接高側(cè)MOSFET的柵極。
  • ?LI?:低側(cè)輸入,控制低側(cè)柵極驅(qū)動器的輸出。
  • ?LO?:低側(cè)柵極驅(qū)動器輸出,連接低側(cè)MOSFET的柵極。
  • ?HI?:高側(cè)輸入,控制高側(cè)柵極驅(qū)動器的輸出。

四、電氣特性

  • ?工作電壓范圍?:VDD為V至V,HB為VS至VDD+V。
  • ?輸入閾值?:CMOS兼容輸入,高電平輸入閾值(VHIT)為V,低電平輸入閾值(VLIT)為.V。
  • ?輸出特性?:低電平輸出電壓(VOL/LOL)和高電平輸出電壓(VOH/HOH)分別為.V至0.4V和VDD-.V至VDD-0.4V(對于LO)或VHB-0.1V至VHB-0.4V(對于HO)。
  • ?傳播延遲?:典型值為ns。
  • ?UVLO閾值?:VDD UVLO閾值為.V,具有.V遲滯;HB UVLO閾值為6.7V,具有0.4V遲滯。

五、功能描述

  • ?輸入階段?:提供與PWM輸出信號接口,具有高阻抗輸入和寬滯回特性。
  • ?UVLO保護(hù)?:監(jiān)測VDD和HB至HS差分電壓,確保在供電電壓不足時禁止輸出。
  • ?電平移位?:高側(cè)輸入與高側(cè)驅(qū)動器級之間的電平移位電路,實(shí)現(xiàn)與高側(cè)MOSFET的有效接口。
  • ?自舉二極管?:內(nèi)置0.V VF、.5Ω RD自舉二極管,消除外部離散二極管需求。
  • ?輸出階段?:高轉(zhuǎn)換速率、低電阻和高峰值電流能力的輸出驅(qū)動器,實(shí)現(xiàn)高效MOSFET開關(guān)。

六、應(yīng)用信息

  • ?典型應(yīng)用?:適用于太陽能電源優(yōu)化器、微逆變器、電信和商用電源、在線和離線UPS、儲能系統(tǒng)以及電池測試設(shè)備等。
  • ?設(shè)計考慮?:包括輸入閾值類型選擇、VDD偏置電源電壓、峰值源和沉電流、傳播延遲和功率耗散等方面的設(shè)計要求。
  • ?布局指南?:強(qiáng)調(diào)驅(qū)動器應(yīng)盡可能靠近MOSFET放置,以減少寄生電感并提高電路性能。

七、封裝與訂購信息

  • ?封裝類型?:提供SOIC、PowerPAD SOIC和VSON封裝選項。
  • ?訂購信息?:詳細(xì)列出了不同封裝和狀態(tài)的訂購代碼,以及相關(guān)的封裝尺寸和帶卷信息。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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