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Simcenter Flotherm BCI-ROM技術:與邊界條件無關的降階模型可加速電子熱設計

深圳市和粒科技有限公司 ? 2025-05-28 10:37 ? 次閱讀
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比解算完整的3D詳細模型快40,000倍

與完整的3D詳細模型相比,沒有有效精度損失

適用于所有熱環境–用戶定義傳熱系數范圍

可以在很長的持續時間內進行瞬態仿真,例如汽車行使工況

支持多個熱源

BCI-ROM可生成為矩陣類型、用于電路仿真的電熱模型(VHDL-AMS格式)、用于系統仿真(FMU格式)的模型,甚至用于3D CFD的嵌入式BCI-ROM

從根據熱瞬態測試數據校準的詳細模型開始,可以實現最高精度

摘要

瞬態仿真在電子熱設計中可能是一個重大挑戰。現代電子設計需要考慮多個瞬態電源負載、各種電源控制策略和各種預期工作條件,這些都會影響性能和可靠性。

即使用最先進的3D計算流體力學(CFD)求解器進行熱分析,整個流程也非常耗時,無法探索所有可能性。在如今競爭激烈的環境中開發電子產品,為快速上市搶占市場,企業可謂分秒必爭。因此,巨大的時間壓力導致企業無法對設計空間進行全面的熱評估,這可能會給可靠性帶來風險。

準確預測溫度是一項必不可少的分析任務,用于確認產品未超過組件的溫度規格。這就要求設計進行細致考量,考慮最大溫度極限、空間溫度梯度、溫度變化率和溫度循環,這些因素都會通過各種損壞機制影響可靠性。準確預測時空溫度是關鍵。

Simcenter Flotherm軟件能夠提取邊界條件無關(BCI)降階模型(ROM)。這些BCI-ROM在所有情況下都能保持預測準確性,并且解算速度比CFD快幾個數量級,從而大大提高了工作效率。

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元器件、子系統或系統幾何體的BCI-ROM可保持3D詳細模型的精度

Simcenter Flotherm降階建模技術

BCI-ROM 方法提供了提取熱電阻的替代方案——基于熱電容器的動態緊湊熱模型,該模型表面積的分割有限,通常僅適用于單個熱源封裝。Simcenter Flotherm的BCI-ROM技術在解算有任意數量熱源的線性傳導應用模型時,精度達到全3D傳導模型相同級別,但速度要高出40,000倍。

BCI-ROM技術是意大利米蘭理工大學Lorenzo Codecasa教授開創的快速新型集成電路熱分析仿真工具(FANTASTIC)方法的擴展。他的出版書籍通常描述了該方法并將其應用于幾個驗證示例。

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Simcenter Flotherm BCI-ROM導出為矩陣、VHDL-AMS或FMU格式或嵌入式BCI-ROM

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BCI-ROM(矩陣類型)的空間溫度響應與詳細模型的相同FANTASTIC方法從數學角度來說保證了精確度。在提取BCI-ROM時,用戶可將所需精度設定為可接受的相對誤差。傳熱系數范圍也由用戶在提取時設置。BCI-ROM能以下列格式導出:

矩陣:用于在Matlab、GNU Octave等工具中求解,或使用Simcenter Flotherm附帶的命令行獨立求解器進行求解。

VHDL-AMS:用于電路仿真工具(如PartQuest Explore或Xpedition AMS)中的電熱建模。

FMU:用于通過支持FMI(功能模型接口)的工具進行的系統仿真,例如Simcenter Amesim軟件和Simcenter Flomaster軟件。

嵌入式BCI-ROM:用于3D熱CFD仿真。在保護IP敏感內部細節的同時,實現接近詳細封裝熱模型的準確性。

可模擬任意數量熱源的瞬態功率曲線,或環境條件的時間或空間變化,充分考慮到三維結構內熱流路徑的變化。只需幾分鐘即可模擬數小時的實際時間曲線。

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BCI-ROM(矩陣格式)對復雜功率曲線的響應與詳細模型相同

電力電子電氣化)應用

系統仿真工具(如Simcenter Amesim)通常用于對整車進行建模,包括電池、電機和傳動系統、電源控制單元(包括逆變器)以及連接的冷卻和控制系統。這種建模是利用虛擬工況來評估車輛性能和效率(用于續航里程預測)。通過生成FMU格式的功率模塊BCI-ROM,保留3D Simcenter Flotherm模型精度,可以將其嵌入到系統仿真模型中,從而可以更精確地評估關鍵功率半導體(包括IGBT或SiC MOSFET)的結溫。

此類仿真可用于:

預測是否超過最大溫度變化率或最高溫度

通過了解溫度循環來評估可靠性,或者通過使用雨流計數方法得出測試任務曲線,為功率半導體的壽命測試(功率循環)生成數據

b037b12c-3b6c-11f0-986f-92fbcf53809c.pngSimcenter Amesim電動汽車模型中逆變器電源模塊的BCI-ROM(FMU格式)

電熱電路仿真應用

數字電子現代數字電子產品有復雜的有源電源管理策略,可以針對各種用例和環境條件進行測試。每個用例都有一組獨特的組件功率,甚至每個芯片都有特定的功率圖。仿真可以考慮組合使用案例,例如,使用手機打電話,之后播放視頻,然后使用衛星導航應用程序,同時手機在車內充電。這些用例對系統的不同部分提出了不同的散熱要求。通過導入VHDL-AMS格式的BCI-ROM,PartQuest Explore和Xpedition AMS等電熱仿真器可以考慮功率和熱環境的變化,例如由于風扇轉速的變化。優化控制邏輯,確保系統冷卻解決方案和主動冷卻策略相結合,帶來最佳的用戶體驗,通過降低時鐘頻率來最大限度地減少性能降額的需求,同時將元件結點、元件外殼和觸摸溫度維持在允許的范圍內。模擬電子若電子電路設計人員開發主要由連續(非開關)模擬電子設備組成的系統,VHDL-AMS中的BCI-ROM還提供改進的熱精度以增強電路仿真。b0749164-3b6c-11f0-986f-92fbcf53809c.pngBCI-ROM技術支持用于電路仿真的電子供應鏈b087de68-3b6c-11f0-986f-92fbcf53809c.png

PartQuest Explore中的智能手機電路仿真,使用從Simcenter Flotherm生成的BCI-ROM(VHDL-AMS格式)熱模型

液冷電子系統應用

對于數據中心中的液冷服務器、機架式液冷航空電子設備和其他大型系統,使用快速求解的一維流體動力學系統仿真工具(如Simcenter Flomaster)頗具優勢。這適用于組件選型、配置研究以及執行長時間瞬態模擬,以評估運行方案和主動控制,確保高效冷卻。使用以FMU格式從Simcenter Flotherm導出的BCI-ROM,可以將三維電子冷卻熱分析的準確性帶入支持FMI標準的一維系統建模環境。b0b49d0e-3b6c-11f0-986f-92fbcf53809c.pngSimcenter Flomaster 1D CFD系統仿真液體冷卻管道網絡模型,包含使用導入的BCI-ROM(FMU格式)建模的冷板冷卻PCB

嵌入式 BCI-ROM

嵌入式BCI-ROM技術能夠創建IC封裝的精確降階熱模型,這些模型可用于Simcenter Flotherm 3D CFD電子冷卻仿真,同時保護IP敏感信息。嵌入式BCI-ROM的精度非常接近從中提取它的詳細模型。重要的是,封裝的所有內部結構細節(尺寸和材料)都不存在,無法進行逆向工程。b0ce6b9e-3b6c-11f0-986f-92fbcf53809c.png這消除了從半導體OEM到整個電子供應鏈共享準確熱模型的常見障礙。從線性傳導模型中提取嵌入式BCI-ROM期間,詳細模型中的數千個對象被簡化為單個3D智能部件對象。導入Simcenter Flotherm時,智能部件對象幾何包絡由與實體(例如,電路板安裝或放置在其上的散熱器)、周圍氣流以及輻射傳熱交互的面組成。創建嵌入式BCI-ROM時,可設置多個電源,然后在3D仿真中分配電源。在CFD系統仿真中,嵌入式BCI-ROM編創者定義的任何探針位置都會顯示內部溫度結果。表面溫度的結果也可以在3D仿真中查看。注意:Simcenter Flotherm BCI-ROM模塊僅用于生成嵌入式BCI-ROM(編創),但在Simcenter Flotherm中導入和使用模型不需要該模塊。b0f13a84-3b6c-11f0-986f-92fbcf53809c.png嵌入式BCI-ROM提取,然后在Simcenter Flotherm中導入和使用嵌入式BCI-ROM精度優于雙電阻(2R)和DELPHI型的詳細熱模型和緊湊熱模型。在驗證研究中,與詳細的熱模型結果相比,穩態分析的精度通常可以達到5%以內的誤差,許多封裝類型的平均誤差可能不到1%。因此,嵌入式BCI-ROM模型提供的精度水平與標準DELPHI CTM模型方法相當或更高。與DELPHI和2R方法相比,嵌入式BCI-ROM的其他優勢是具有多個電源的建模包并支持瞬態3D分析。

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