在半導(dǎo)體制造中，wafer清洗和濕法腐蝕是兩個(gè)看似相似但本質(zhì)不同的工藝步驟。為了能讓大家更好了解，下面我們就用具體來(lái)為大家描述一下其中的區(qū)別：

Wafer清洗和濕法腐蝕是半導(dǎo)體制造中的兩個(gè)關(guān)鍵工藝步驟，以下是兩者的核心區(qū)別：

1. 核心目的不同

Wafer清洗：主要目的是去除晶圓表面的污染物，包括顆粒、有機(jī)物、金屬雜質(zhì)等，確保晶圓表面潔凈，為后續(xù)工藝（如沉積、光刻）提供高質(zhì)量的基礎(chǔ)。例如，在高溫氧化前或光刻后，清洗可避免雜質(zhì)影響薄膜生長(zhǎng)或光刻圖案的準(zhǔn)確性。

濕法腐蝕：通過(guò)化學(xué)反應(yīng)去除特定材料（如氧化層、氮化硅、多晶硅等），形成電路結(jié)構(gòu)或圖案。例如，在光刻后利用腐蝕液溶解暴露的氧化層，從而將光刻圖案轉(zhuǎn)移到晶圓上。

2. 工藝原理不同

Wafer清洗：結(jié)合物理和化學(xué)作用。物理方式（如沖刷、超聲振動(dòng)）用于剝離顆粒，化學(xué)試劑（如SC1、SC2溶液）用于溶解有機(jī)物或絡(luò)合金屬離子。清洗過(guò)程中需避免損傷晶圓主體材料。

濕法腐蝕：純化學(xué)反應(yīng)主導(dǎo)，利用腐蝕液與目標(biāo)材料的選擇性反應(yīng)。例如，氫氟酸（HF）用于腐蝕氧化硅（SiO?），而磷酸（H?PO?）常用于腐蝕單晶硅。腐蝕需精確控制溶液成分、溫度和時(shí)間，以確保選擇性腐蝕且不損傷底層材料。

3. 適用場(chǎng)景不同

Wafer清洗：作為常規(guī)清潔步驟，貫穿整個(gè)制造流程。例如：

光刻后去除殘留光刻膠；

沉積前清除表面氧化物或顆粒；

高溫工藝前（如氧化或擴(kuò)散）避免雜質(zhì)污染。

濕法腐蝕：用于結(jié)構(gòu)成型或圖案轉(zhuǎn)移，例如：

去除光刻膠下的氧化層以形成晶體管隔離區(qū)；

腐蝕多晶硅或金屬層以定義電路圖案。

4. 常用化學(xué)品不同

Wafer清洗：

SC1溶液（堿性）：去除顆粒和有機(jī)物；

SC2溶液（酸性）：去除金屬雜質(zhì)；

DHF/BHF（稀釋氫氟酸）：去除原生氧化層。

濕法腐蝕：

氫氟酸（HF）：腐蝕氧化硅（SiO?）；

熱磷酸（H?PO?）：腐蝕單晶硅；

硝酸（HNO?）：腐蝕金屬或氧化物。

5. 工藝特點(diǎn)不同

Wafer清洗：

強(qiáng)調(diào)廣譜去污，需避免對(duì)晶圓表面造成損傷；

重復(fù)性高，需嚴(yán)格控制清洗時(shí)間和溶液濃度。

濕法腐蝕：

強(qiáng)調(diào)選擇性，需精準(zhǔn)控制腐蝕液的成分和工藝參數(shù)（如溫度、時(shí)間），以避免過(guò)度腐蝕或側(cè)向侵蝕；

部分工藝需配合刷洗或超聲增強(qiáng)均勻性。

6. 環(huán)境與設(shè)備差異

Wafer清洗：

設(shè)備包括清洗槽、超聲機(jī)、噴淋系統(tǒng)、干燥設(shè)備（如甩干機(jī)或氮?dú)獯祾撸?/p>

廢液處理需去除有機(jī)物、顆粒和金屬離子。

濕法腐蝕：

設(shè)備包括刻蝕槽、溫控系統(tǒng)、噴頭（確保腐蝕液均勻分布）；

廢液含強(qiáng)酸或劇毒物質(zhì)（如HF），需專業(yè)處理。

7. 工藝位置不同

Wafer清洗：通常由擴(kuò)散部門負(fù)責(zé)，作為獨(dú)立步驟或嵌入其他工藝環(huán)節(jié)（如沉積前、光刻后）。

濕法腐蝕：屬于刻蝕部門的核心工藝，緊隨光刻步驟，用于將圖案轉(zhuǎn)移到晶圓上。

審核編輯 黃宇