女人荫蒂被添全过程13种图片,亚洲+欧美+在线,欧洲精品无码一区二区三区 ,在厨房拨开内裤进入毛片

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

英飛凌碳化硅技術(shù)大解析

h1654155971.7688 ? 來源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-05-02 09:45 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

SiC被發(fā)現(xiàn)并應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)已有百余年的歷史,但是將其用于功率電子領(lǐng)域則是最近一二十年的進(jìn)展。其物理、電子特性使得SiC材料的器件擁有比傳統(tǒng)Si材料制品有更好的耐高溫耐高壓特性,從而能獲得更高的功率密度和能源效率。英飛凌一直在不斷開發(fā)碳化硅最前沿的技術(shù),產(chǎn)品以及解決方案,致力于滿足用戶對(duì)節(jié)能,提升效率、縮減尺寸、系統(tǒng)集成和提高可靠性的需求。

電力電子未來發(fā)展的趨勢(shì)之一是使用更高的開關(guān)頻率以獲得更緊密的系統(tǒng)設(shè)計(jì),所以如何降低動(dòng)態(tài)損耗至關(guān)重要。因?yàn)镾iC材料的本征特性,SiC器件的電容相當(dāng)小。在高頻開關(guān)系統(tǒng)中,電容小也意味著開關(guān)損耗小。因?yàn)槠骷娙菪?在高開關(guān)頻率高功率的應(yīng)用中SiC器件優(yōu)勢(shì)明顯:

圖 高開關(guān)頻率高功率的應(yīng)用中SiC優(yōu)勢(shì)明顯

如果需要更高開關(guān)頻率,則需要使用GaN材料的器件,但是GaN材料器件功率上有局限,因與本文無關(guān),此處不題。

以英飛凌CoolSiC系列的第5代工藝肖特基二極管結(jié)構(gòu)圖為例,以便更直觀的了解其特點(diǎn):

從如下結(jié)構(gòu)圖上看,此結(jié)構(gòu)為肖特基二極管與普通PN結(jié)二極管的組合。平時(shí)為肖特基二極管, 電流高的時(shí),表現(xiàn)為PN結(jié)二極管(因?yàn)楦唠娏鲿r(shí),PN結(jié)二極管正向壓降小于肖特基二極管)。與其它廠商的SiC肖特基二極管在N型摻雜區(qū)上面多了P型摻雜區(qū)。這是結(jié)構(gòu)上的主要差別,為的是同時(shí)結(jié)合兩種二極管的優(yōu)點(diǎn)于一身。襯底比較薄,以降低VF,增加熱傳導(dǎo)性。

圖 英飛凌CoolSiC系列的第5代工藝肖特基二極管結(jié)構(gòu)圖

目前SiC的應(yīng)用還局限于很小一部分功率系統(tǒng),今后的幾十年將是SiC器件獲得更大規(guī)模應(yīng)用的時(shí)期,不僅僅是從能耗上考慮,其體積與系統(tǒng)穩(wěn)定性也會(huì)因?yàn)镾iC的采用而更加優(yōu)化。目前市場(chǎng)上的SiC產(chǎn)品的代表性廠商為英飛凌的CoolSiC?系列。目前推出的產(chǎn)品系列有:

CoolSiC? MOSFET

CoolSiC? 肖特基二極管

CoolSiC?MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)IC

結(jié)合碳化硅技術(shù),英飛凌又推出了哪些前沿解決方案?未來,英飛凌碳化硅技術(shù)將如何發(fā)展?不如,讓我們來次線下約會(huì),你的疑問,我來解答!

2018年5月16日英飛凌將在深圳金茂萬豪酒店舉辦2018英飛凌碳化硅發(fā)展論壇。屆時(shí),行業(yè)專家將齊聚一堂,我們誠(chéng)邀您與英飛凌一起共同探討碳化硅行業(yè)大勢(shì),分享技術(shù)革新。這場(chǎng)盛會(huì)將助您更進(jìn)一步了解碳化硅的現(xiàn)狀與發(fā)展,帶您開啟碳化硅的“芯”篇章,擁抱技術(shù)革新“芯”亮點(diǎn),分享碳化硅技術(shù)“芯"思路。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 英飛凌
    +關(guān)注

    關(guān)注

    68

    文章

    2340

    瀏覽量

    140453
  • 肖特基二極管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    982

    瀏覽量

    35977
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    3210

    瀏覽量

    64851

原文標(biāo)題:英飛凌碳化硅技術(shù)大解析,到底“Cool”在哪里?

文章出處:【微信號(hào):weixin21ic,微信公眾號(hào):21ic電子網(wǎng)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏
    發(fā)表于 03-08 08:37

    碳化硅的歷史與應(yīng)用介紹

    硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過,自1893 年以來,粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
    發(fā)表于 07-02 07:14

    碳化硅深層的特性

    碳化硅近幾年的快速發(fā)展 近幾年來,低碳生活也是隨之而來,隨著太陽能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,作為光伏產(chǎn)業(yè)用的材料,碳化硅的銷售市場(chǎng)也是十分火爆,許多磨料磨具業(yè)內(nèi)人開始關(guān)注起碳化硅這個(gè)行業(yè)了。目前碳化硅
    發(fā)表于 07-04 04:20

    碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

    碳化硅(SiC)即使在高達(dá)1400℃的溫度下,仍能保持其強(qiáng)度。這種材料的明顯特點(diǎn)在于導(dǎo)熱和電氣半導(dǎo)體的導(dǎo)電性極高。碳化硅化學(xué)和物理穩(wěn)定性,碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強(qiáng)度好的材料
    發(fā)表于 01-12 11:48

    碳化硅器件是如何組成逆變器的?

    進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
    發(fā)表于 03-16 07:22

    碳化硅器件的特點(diǎn)是什么

    今天我們來聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
    發(fā)表于 03-16 08:00

    電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊

    面向電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能,特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中,它可提高逆變器的效率,從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
    發(fā)表于 03-27 19:40

    什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

    什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
    發(fā)表于 06-18 08:32

    碳化硅的應(yīng)用

    碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢?
    發(fā)表于 08-19 17:39

    傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

    應(yīng)用領(lǐng)域,SiC和GaN形成競(jìng)爭(zhēng)。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
    發(fā)表于 09-23 15:02

    請(qǐng)教碳化硅刻蝕工藝

    最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會(huì)在
    發(fā)表于 08-31 16:29

    歸納碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)

    可有效減小功率回路寄生電感參數(shù),減小開關(guān)過程中的震蕩、過沖現(xiàn)象。但目前瓷片電容不耐高溫,所以并不適宜于碳化硅的高溫工作情況。驅(qū)動(dòng)集成技術(shù)也逐漸引起了人們的重視,三菱、英飛凌等公司均提出了 SiC 智能
    發(fā)表于 02-22 16:06

    淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)的區(qū)別

      硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)兩者電氣參數(shù)特性差別較大,碳化硅MOSFET對(duì)于驅(qū)動(dòng)的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件,主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護(hù)、信號(hào)延遲和抗干擾幾個(gè)方面,具體如下
    發(fā)表于 02-27 16:03

    碳化硅肖特基二極管技術(shù)演進(jìn)解析

    碳化硅肖特基二極管主要特點(diǎn)及產(chǎn)品系列  基本半導(dǎo)體B1D系列碳化硅肖特基二極管主要技術(shù)參數(shù)如下:  650V、1200V系列B1D碳化硅肖特基二極管電流范圍從2-40A,封裝涵蓋TO-
    發(fā)表于 02-28 16:55

    英飛凌碳化硅模塊實(shí)例

    具體來說,在新能源發(fā)電系統(tǒng)中,采用碳化硅技術(shù)能夠達(dá)到的更高的效率意味著其能夠更早地替代傳統(tǒng)的石化燃料發(fā)電。英飛凌為光伏串組串逆變器的升壓和逆變部分提供量身定制的模塊系列,可以提升的逆變器效率和性能。在充電樁應(yīng)用中,
    的頭像 發(fā)表于 05-04 09:05 ?9657次閱讀
    主站蜘蛛池模板: 宣汉县| 盐池县| 中卫市| 渝中区| 乃东县| 兴海县| 阿城市| 永安市| 富宁县| 平定县| 青河县| 克什克腾旗| 汉阴县| 霍州市| 闽侯县| 天全县| 浦县| 涿鹿县| 天台县| 龙岩市| 汕头市| 吴旗县| 四子王旗| 桑植县| 钟祥市| 汶上县| 沾化县| 海盐县| 抚顺县| 乃东县| 沧源| 灯塔市| 承德市| 尉犁县| 黔西| 民乐县| 油尖旺区| 广河县| 会东县| 麻城市| 锡林浩特市|