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BC電池26.64%效率:硅片參數(shù)厚度/電阻率/體壽命系統(tǒng)協(xié)同優(yōu)化

美能光伏 ? 2025-06-16 09:02 ? 次閱讀
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叉指背接觸(IBC)晶體硅太陽能電池因其高短路電流(Jsc)和理論效率接近29.4%的潛力,成為光伏領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。其結(jié)構(gòu)通過將正負(fù)電極移至背面,避免了傳統(tǒng)前接觸電池的金屬遮擋問題,同時(shí)提升了光捕獲能力和載流子收集效率。然而,IBC電池的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用受限于復(fù)雜制造工藝(如背接觸對(duì)準(zhǔn)精度)及背面復(fù)合損失等問題。現(xiàn)有研究多聚焦于發(fā)射極寬度或接觸類型優(yōu)化,但對(duì)硅片參數(shù)(如厚度、電阻率、體壽命)幾何設(shè)計(jì)(如面積占比)的系統(tǒng)性協(xié)同研究仍不足。本研究基于Quokka3模擬平臺(tái),結(jié)合美能QE量子效率測(cè)試儀對(duì)光譜響應(yīng)的精準(zhǔn)量化能力,深入分析關(guān)鍵參數(shù)對(duì)IBC電池性能的影響,提出優(yōu)化方案以提升效率至26.64%,為實(shí)驗(yàn)制備提供理論指導(dǎo)。

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IBC太陽能結(jié)構(gòu)的模型示意圖

硅片參數(shù)優(yōu)化

Millennial Solar



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a) 硅片電阻率與厚度對(duì)效率的影響;b) 體壽命與厚度對(duì)效率的影響

硅片厚度、電阻率與體壽命是決定IBC電池性能的核心參數(shù)。通過三維模擬發(fā)現(xiàn),當(dāng)硅片厚度從80 μm增至200 μm時(shí),效率提升顯著。結(jié)合電阻率1 Ω·cm與體壽命≥10 ms的條件,效率可達(dá)24.85%。進(jìn)一步優(yōu)化表明,體壽命延長(zhǎng)至10 ms以上可有效抑制基底復(fù)合,提升開路電壓(Voc)與填充因子(FF)。此外,硅片電阻率過低(<1 Ω·cm)會(huì)導(dǎo)致串聯(lián)電阻增加,而過高(>2 Ω·cm)則限制載流子濃度,因此1 Ω·cm為最優(yōu)選擇。

表面鈍化技術(shù)影響

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前/后表面J0對(duì)a) Voc、b) Jsc、c) FF、d) η的影響

前/后表面鈍化質(zhì)量直接影響Voc與Jsc。模擬顯示,當(dāng)前后表面復(fù)合電流密度(J0)從50 fA·cm?2降至1 fA·cm?2時(shí),Voc提升約25.4 mV,效率增加1.91%。此結(jié)果表明,采用高質(zhì)量鈍化層(如原子層沉積Al2O3)可顯著降低表面復(fù)合損失。值得注意的是,后表面鈍化需兼顧均勻性與厚度,過厚鈍化層可能導(dǎo)致寄生吸收損失。

背面結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與電阻率優(yōu)化

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硼發(fā)射極背面a) Voc、b) Jsc、c) FF、d) η隨電阻率與J0的變化

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磷擴(kuò)散背面a) Voc、b) Jsc、c) FF、d) η隨電阻率與J0的變化

背面硼發(fā)射極與磷擴(kuò)散BSF的電阻率(Rsheet)和復(fù)合速率(J0)對(duì)性能至關(guān)重要。模擬表明,硼發(fā)射極Rsheet=100 Ω/□、J0=1 fA·cm?2時(shí),效率達(dá)26.05%;而磷擴(kuò)散BSF在Rsheet=50 Ω/□、J0=1 fA·cm?2時(shí),效率進(jìn)一步提升至26.25%。條狀接觸結(jié)構(gòu)因橫向?qū)щ娦詢?yōu)于點(diǎn)狀接觸,可降低串聯(lián)電阻并提升FF。此外,發(fā)射極與BSF間需保持適當(dāng)間隙以避免隧道結(jié)效應(yīng)導(dǎo)致的低偏壓穿透風(fēng)險(xiǎn)。

面積占比與復(fù)合控制

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硼發(fā)射極面積占比與J0對(duì)a) Voc、b) Jsc、c) FF、d) η的影響

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磷擴(kuò)散面積占比與J0對(duì)a) Voc、b) Jsc、c) FF、d) η的影響

硼發(fā)射極面積占比增加可提升Jsc,但需控制J0<10 fA·cm?2以抑制復(fù)合損失。模擬顯示,發(fā)射極占比70%時(shí)效率最優(yōu)。對(duì)于磷擴(kuò)散BSF,面積占比超過10%會(huì)導(dǎo)致Voc下降,因此建議BSF面積≤30%并優(yōu)化J0<1 fA·cm?2。此外,間隙區(qū)域需最小化以減少陰影損失,同時(shí)避免發(fā)射極與BSF直接接觸引發(fā)隧道效應(yīng)。本研究通過Quokka3模擬明確了IBC電池高效化的關(guān)鍵參數(shù):硅片厚度200 μm、電阻率1 Ω·cm、體壽命≥10 ms、發(fā)射極占比70%、前后表面J0≤1 fA·cm?2。在此條件下,理論效率達(dá)26.64%(Voc=737.9 mV, Jsc=42.06 mA/cm2, FF=85.85%)。研究為IBC電池設(shè)計(jì)提供了實(shí)驗(yàn)依據(jù),未來可結(jié)合新型鈍化材料(如超薄SiCx:H)與激光摻雜技術(shù)進(jìn)一步降低復(fù)合損失,推動(dòng)其產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。

美能QE量子效率測(cè)試儀

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美能QE量子效率測(cè)試儀可以用來測(cè)量太陽能電池的光譜響應(yīng),并通過其量子效率來診斷太陽能電池存在的光譜響應(yīng)偏低區(qū)域問題。它具有普遍的兼容性、廣闊的光譜測(cè)量范圍、測(cè)試的準(zhǔn)確性和可追溯性等優(yōu)勢(shì)。

兼容所有太陽能電池類型,滿足多種測(cè)試需求

光譜范圍可達(dá)300-2500nm,并提供特殊化定制

氙燈+鹵素?zé)?/span>雙光源結(jié)構(gòu),保證光源穩(wěn)定性

美能QE量子效率測(cè)試儀可精準(zhǔn)驗(yàn)證優(yōu)化后電池的Jsc提升與光譜響應(yīng)特性,為實(shí)驗(yàn)參數(shù)校準(zhǔn)提供關(guān)鍵支撐。也為IBC電池設(shè)計(jì)提供了實(shí)驗(yàn)依據(jù),推動(dòng)其產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。

原文參考:Systematic Modeling and Optimization for High-Efficiency Interdigitated Back-Contact Crystalline Silicon Solar Cells

*特別聲明:「美能光伏」公眾號(hào)所發(fā)布的原創(chuàng)及轉(zhuǎn)載文章,僅用于學(xué)術(shù)分享和傳遞光伏行業(yè)相關(guān)信息。未經(jīng)授權(quán),不得抄襲、篡改、引用、轉(zhuǎn)載等侵犯本公眾號(hào)相關(guān)權(quán)益的行為。內(nèi)容僅供參考,若有侵權(quán),請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系我司進(jìn)行刪除。

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