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揚(yáng)杰電子MG75HF12TLC1 IGBT模塊:大功率應(yīng)用的可靠選擇

深圳弗瑞鑫電子有限公司 ? 來源:深圳弗瑞鑫電子有限公司 ? 作者:深圳弗瑞鑫電子有 ? 2025-06-20 13:58 ? 次閱讀
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工業(yè)自動(dòng)化電力電子領(lǐng)域,高效、穩(wěn)定的功率半導(dǎo)體器件是確保設(shè)備性能的關(guān)鍵。揚(yáng)杰電子(Yangjie Electronic)推出的MG75HF12TLC1 IGBT模塊,是一款專為高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)的高性能解決方案。憑借其先進(jìn)的溝槽技術(shù)和優(yōu)異的電氣特性,這款模塊成為電機(jī)驅(qū)動(dòng)、UPS系統(tǒng)等領(lǐng)域的理想選擇。

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產(chǎn)品概述

MG75HF12TLC1是一款電壓等級(jí)為1200V、額定電流75A的IGBT模塊,采用低飽和壓降(VCE(sat))的溝槽技術(shù),顯著提升了開關(guān)效率和功率密度。模塊內(nèi)置超快軟恢復(fù)反并聯(lián)二極管,進(jìn)一步優(yōu)化了整體性能。其最高結(jié)溫可達(dá)175℃,并具備高短路承受能力(10微秒),適用于嚴(yán)苛的工作環(huán)境。

核心優(yōu)勢(shì)

高效能與低損耗模塊的飽和壓降低至1.95V(25℃時(shí)),且具有正溫度系數(shù)特性,確保高溫環(huán)境下性能穩(wěn)定。其開關(guān)損耗極低,開啟能量損耗(Eon)為17.7mJ,關(guān)斷能量損耗(Eoff)為4.9mJ,適合高頻開關(guān)應(yīng)用。

高可靠性設(shè)計(jì)模塊采用低電感封裝技術(shù),熱阻極低(IGBT部分熱阻為0.26 K/W),散熱性能優(yōu)異。此外,其寬工作溫度范圍(-40℃至150℃)和高達(dá)300A的短路電流承受能力,確保了在極端條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。

集成化解決方案模塊不僅包含高性能IGBT,還集成了快速恢復(fù)二極管,為用戶提供完整的功率開關(guān)解決方案。這種設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化了系統(tǒng)布局,減少了外部元器件需求,提高了整體可靠性。

典型應(yīng)用

MG75HF12TLC1廣泛應(yīng)用于以下場(chǎng)景:

電機(jī)驅(qū)動(dòng):為工業(yè)電機(jī)和伺服系統(tǒng)提供高效能量轉(zhuǎn)換。

不間斷電源(UPS):確保電源切換時(shí)的快速響應(yīng)和高可靠性。

軟開關(guān)焊機(jī):優(yōu)化焊接設(shè)備的能效和穩(wěn)定性。

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技術(shù)亮點(diǎn)

模塊的關(guān)鍵參數(shù)包括:

電氣特性:柵極閾值電壓5.8V(典型值),輸入電容5.83nF,反向傳輸電容0.23nF。

開關(guān)特性:開啟延遲時(shí)間358ns,上升時(shí)間219ns,關(guān)斷延遲時(shí)間440ns。

二極管性能:正向壓降低至1.45V(150℃時(shí)),反向恢復(fù)電荷3.28μC。

此外,模塊通過了2500V的隔離電壓測(cè)試,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),體現(xiàn)了其高安全性和環(huán)保性。

總結(jié)

揚(yáng)杰電子的MG75HF12TLC1 IGBT模塊憑借其高效能、低損耗和高可靠性,成為高功率電力電子應(yīng)用的優(yōu)選。無論是工業(yè)自動(dòng)化還是新能源領(lǐng)域,這款模塊都能提供卓越的性能表現(xiàn)。揚(yáng)杰電子通過持續(xù)創(chuàng)新,為全球客戶提供高質(zhì)量的功率半導(dǎo)體解決方案,助力電力電子技術(shù)的進(jìn)步。

審核編輯 黃宇

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