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英諾賽科推出基于InnoGaN ISG6121TD的4kW雙向PFC電源方案,助力智能電網高效發展

大大通 ? 2025-06-23 10:34 ? 次閱讀
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在能源需求不斷增長的時代,電力消耗逐漸從化石燃料轉向可再生能源,低碳節能已成為全球優先事項。智能電網作為構建可持續、更高效能源未來的關鍵支撐,具備集成可再生能源、優化能源消耗和提高電網可靠性的能力。而雙向儲能模塊則是智能電網的“靈活調節中樞”,能夠確保各個環節之間電力的有效傳輸。

全球氮化鎵工藝創新與功率器件制造領導者英諾賽科近日推出更高效、更節能的4kW雙向PFC方案 ,憑借氮化鎵低損耗、高速開關等優勢,或將助力智能電網實現突破性收益!


4kW雙向PFC方案采用AC-DC無橋圖騰柱PFC拓撲,設計緊湊,支持雙向工作,內置英諾賽科合封氮化鎵,峰值效率高達99.03%。


該方案內置4顆InnoGaN 合封器件 ISG6121TD,整個電源模塊(不包括風扇和輔助電源)在整流230Vac測量的峰值效率為99.03%,逆變測試峰值效率98.95%。

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ISG6121TD 是 SolidGaN 產品系列的一部分,該系列產品不僅具備分立式 GaNFET 的所有優勢(關鍵任務應用中的長壽命可靠性、超低開關損耗和零 Qrr),還具備其他先進功能。

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SolidGaN 的先進功能包括:

穩壓 Vgs,可實現最佳的導通電阻 (Rdson) 和柵極節點可靠性

去飽和檢測,用于短路保護

過溫保護

米勒鉗位,可實現可靠的關斷


ISG6121TD 采用堅固耐用的 TO247-4L 汽車級熱優化封裝,并帶有開爾文源極引腳。


ISG6121TD 的 Vdss 額定值為 700V,實際 BVdss 電壓更高,導通電阻 (Rdson) 為 22mΩ(典型值 25C)。驅動引腳支持高達 27V 的 PWM 輸入電壓。


ISG6121TD 可以替代 IGBT 和 650V SiC MOSFET,具有顯著更高的 PFC 效率,適用于 AI 數據中心高達 5.5kW 的高功率系統。


?場景應用圖

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?產品實體圖

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?展示板照片

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?方案方塊圖

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?核心技術優勢

? 高效率(整流):99.03% @ 230Vac Vin

? 高效率(逆變):98.95% @ 230Vac Vout

? 高功率密度:65.6W/立方英寸


英諾SolidGaN 的先進功能包括:

? 穩壓 Vgs,可實現最佳的導通電阻 (Rdson) 和柵極節點可靠性

? 去飽和檢測,用于短路保護

? 過溫保護

? 米勒鉗位,可實現可靠的關斷


?方案規格

正向整流參數規格:

? 輸入電壓:200-264V AC

? PFC整流工作頻率:63kHz

? 輸出電壓:393V

? 輸出功率:4000W max


逆變參數規格:

? 輸入電壓:375-425V DC

? PFC反向工作頻率:63kHz

? 輸出電壓:230V

? 輸出功率:4000W max


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原文鏈接:https://www.wpgdadatong.com.cn/reurl/67Fnay

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