IGBT產(chǎn)品,按照封裝形式和集成程度的不同,可分為IGBT裸片、IGBT單管、IGBT模塊以及IPM/PIM模塊。其中,IGBT模塊主要構(gòu)成為,芯片(包含IGBT芯片和Diode芯片),散熱基板、DBC基板,焊料層,鍵合引線等。在IGBT模塊封裝過程中,主要工藝有焊接,鍵合,注膠與固化,測試等。
普賽斯儀表推出的HCPL100大電流脈沖源,E系列高電壓源,數(shù)據(jù)采集卡等產(chǎn)品,也主要是針對IGBT模塊封裝過程中動靜態(tài)測試,以及可靠性測試中使用。
IGBT規(guī)格參數(shù)
IGBT產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)較多,一般會包含如下幾種類型參數(shù):靜態(tài)參數(shù),動態(tài)參數(shù),熱參數(shù)。
靜態(tài)參數(shù):
靜態(tài)參數(shù)主要是指本身固有的,與其工作條件無關(guān)的相關(guān)參數(shù),相關(guān)參數(shù)主要有:門極開啟電壓、門極擊穿電壓,集電極發(fā)射極間耐壓、集電極發(fā)射極間漏電流,寄生電容:輸入電容、轉(zhuǎn)移電容、輸出電容,以及以上參數(shù)的相關(guān)特性曲線的測試。
動態(tài)參數(shù)
動態(tài)參數(shù)是指開關(guān)過程中的相關(guān)參數(shù),這些參數(shù)會隨著開關(guān)條件如電壓,工作電流,驅(qū)動電壓,驅(qū)動電阻等的改變而變化,相關(guān)參數(shù)有柵極電荷,導(dǎo)通延遲時間、上升時間、關(guān)斷延遲時間、下降時間、開通損耗、關(guān)斷損耗、反向恢復(fù)電流、反向恢復(fù)時間以及反向恢復(fù)能量等。
熱參數(shù)
熱參數(shù)主要指IGBT模塊散熱性能,以及溫度適用范圍。使用環(huán)境溫度,以及IGBT模塊的散熱能力,會對模塊內(nèi)部各種組件,以及工作特性參數(shù),產(chǎn)生重要影響。常見的熱參數(shù)主要為熱阻,如模塊結(jié)殼熱阻,瞬間組態(tài)熱阻抗等。
IGBT測試類型
靜態(tài)測試
靜態(tài)測試,主要是關(guān)于IGBT靜態(tài)參數(shù)的測試。測試方法,一般選取在模塊兩個端子,加載電壓或者電流,測試這兩端,或者第三端的電壓,電流能力,I-V曲線等。
動態(tài)測試
動態(tài)測試,主要是用于測試IGBT動態(tài)參數(shù),目前,主要采用雙脈沖測試方案。其測試主要方法是,加載脈沖電壓,用獲取IGBT在開啟,或者關(guān)閉瞬間的電壓,電流變化情況,并計算出相應(yīng)的參數(shù)。
可靠性測試
IGBT可靠性測試,主要是結(jié)合IGBT額定的電參數(shù)值,對其進(jìn)行可靠性驗證,或者失效分析,從而完成對它性能評估,篩選,以及分析。測試方法有多種,主要包括,高溫反偏測試(HTRB),高溫柵偏測試(HTGB),高溫高濕反偏測試(HTRB),功率循環(huán),溫度循環(huán)等。
審核編輯 黃宇
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