引言

在半導體制造與微納加工領域，光刻圖形線寬變化直接影響器件性能與集成度。精確控制光刻圖形線寬是保障工藝精度的關鍵。本文將介紹改善光刻圖形線寬變化的方法，并探討白光干涉儀在光刻圖形測量中的應用。

改善光刻圖形線寬變化的方法

優化曝光工藝參數

曝光是決定光刻圖形線寬的關鍵步驟。精確控制曝光劑量，可避免因曝光過度導致光刻膠過度反應，使線寬變寬；或曝光不足造成線寬變窄。采用先進的曝光設備，如極紫外（EUV）光刻機，利用其更短的波長減少光的衍射效應，提高曝光分辨率，從而降低線寬變化。同時，通過優化光源的均勻性，確保晶圓表面各處光刻膠接受的曝光劑量一致，減少線寬的不均勻性。

改進顯影工藝

顯影工藝對光刻圖形線寬有重要影響。選擇合適的顯影液濃度和顯影時間，可防止顯影不足或過度。顯影液濃度過高、時間過長，會導致光刻膠過度溶解，線寬變窄；反之，則會使線寬變寬。采用動態顯影技術，如噴霧顯影，可使顯影液更均勻地作用于光刻膠表面，提高顯影的一致性，有效改善線寬變化。此外，對顯影液的溫度進行精確控制，維持顯影過程的穩定性 。

控制工藝環境

工藝環境因素如溫度、濕度和潔凈度會影響光刻圖形線寬。保持恒定的溫度和濕度，避免光刻膠因環境變化發生膨脹或收縮，從而引起線寬波動。嚴格控制車間內的潔凈度，防止灰塵等顆粒污染物落在光刻膠表面，影響曝光和顯影效果，導致線寬異常。建立嚴格的環境監控系統，實時監測并調整環境參數 。

白光干涉儀在光刻圖形測量中的應用

測量原理

白光干涉儀基于白光干涉原理，通過對比參考光束與光刻圖形表面反射光束的光程差，將光強分布轉化為表面高度信息。由于白光包含多種波長，僅在光程差為零的位置形成清晰干涉條紋，利用這一特性，可實現納米級精度的光刻圖形形貌測量，精準獲取光刻圖形的線寬等關鍵尺寸信息 。

測量過程

將完成光刻工藝的樣品放置于白光干涉儀載物臺上，利用顯微鏡初步定位待測光刻圖形區域。精確調節干涉儀的光路參數，獲取清晰干涉條紋圖像。通過專業軟件對干涉圖像進行相位解包裹等處理，計算出光刻圖形的線寬、深度、側壁角度等關鍵參數，為評估光刻圖形質量提供數據支持 。

優勢

白光干涉儀采用非接觸式測量，避免對光刻圖形造成物理損傷，適用于脆弱的微小光刻結構檢測；具備快速測量能力，可實現對大量光刻圖形的批量檢測，滿足生產線高效檢測需求；其三維表面形貌可視化功能，便于工程師直觀觀察光刻圖形的質量狀況，快速定位線寬變化問題，及時調整光刻工藝參數 。

TopMap Micro View白光干涉3D輪廓儀

一款可以“實時”動態/靜態 微納級3D輪廓測量的白光干涉儀

1)一改傳統白光干涉操作復雜的問題，實現一鍵智能聚焦掃描，亞納米精度下實現卓越的重復性表現。

2)系統集成CST連續掃描技術，Z向測量范圍高達100mm，不受物鏡放大倍率的影響的高精度垂直分辨率，為復雜形貌測量提供全面解決方案。

3）可搭載多普勒激光測振系統，實現實現“動態”3D輪廓測量。

實際案例

1，優于1nm分辨率，輕松測量硅片表面粗糙度測量，Ra=0.7nm

2，毫米級視野，實現5nm-有機油膜厚度掃描

3，卓越的“高深寬比”測量能力，實現光刻圖形凹槽深度和開口寬度測量。

審核編輯 黃宇