Analog Devices Inc. ADRF5515接收器前端是一款雙通道、集成射頻、前端、多芯片模塊，設計用于時分雙工 (TDD) 應用。ADRF5515前端采用雙通道配置，包含級聯兩級LNA和大功率硅 SPDT 開關。

數據手冊：*附件：Analog Devices Inc. ADRF5515接收器前端數據手冊.pdf

ADI ADRF5515接收器前端具有高增益模式和關斷模式。在高增益模式下，級聯兩級LNA和開關提供1.0dB的低噪聲系數和33dB的高增益（頻率為3.6GHz）以及32dBm（典型值）的輸出3階交調截點 (OIP3)。在低增益模式下，兩級LNA的一級處于旁路狀態，在36mA的較低電流下提供16dB的增益。在關斷模式下，LNA將關閉，器件耗流為12mA。

在發射過程中，當射頻輸入連接到端電極引腳（TERM-CHA或TERM-CHB）時，該開關提供0.45dB的低插入損耗， 它可處理43dBm長期演進 (LTE) 平均功率（9dB峰值/平均比 (PAR)），以便在整個使用壽命內工作。ADRF5515與10W版本的[ADRF5545A]（工作頻率范圍為2.4GHz至4.2GHz）引腳兼容。

ADRF5515在射頻端口上無需任何內部匹配至50Ω的匹配元件。ANT和TERM端口也在內部交流耦合。因此，僅接收器端口需要外部直流阻斷電容器。

ADRF5515的工作頻率范圍為3.3GHz至4.0GHz，采用符合RoHS指令的緊湊型6mm × 6mm、40引腳LFCSP封裝。

特性

• 集成式雙通道射頻前端
  • 2級LNA和大功率硅SPDT開關
  • 片上偏置和匹配
  • 單電源供電
• 增益
  • 高增益模式：33dB（典型值）
  • 低增益模式：16dB（3.6GHz時典型值）
• 低噪聲系數
  • 高增益模式：1.0dB（3.6GHz時典型值）
  • 低增益模式：1.0dB（3.6GHz時典型值）
• 高隔離度
  • RXOUT-CHA和RXOUT-CHB：45dB（典型值）
  • TERM-ChA和TERM-CHB：60dB（典型值）
• 低插入損耗：0.45dB（3.6GHz時典型值）
• 0TCASE = 105°C時具有高功率處理能力
  • 整個生命周期
    • LTE平均功率 (9dB PAR)：43dBm
• 高OIP3（高增益模式）：32dBm（典型值）
• 關斷模式和低增益模式（針對LNA）
• 低電源電流
  • 高增益模式：86mA（5V時典型值）
  • 低增益模式：36mA（5V時典型值）
  • 關斷模式：12mA（5V時典型值）
• 正邏輯控制
• 6mm × 6mm、40引腳LFCSP封裝
• 與10W版本的ADRF5545A引腳兼容

應用

• 無線基礎設施
• TDD大規模多輸入和多輸出以及有源天線系統
• 基于TDD的通信系統

接口原理圖