一、涂膠顯影設備:光刻工藝的“幕后守護者”
在半導體制造的光刻環節里,涂膠顯影設備與光刻機需協同作業,共同實現精密的光刻工藝。曝光工序前,涂膠機會在晶圓表面均勻涂覆光刻膠;曝光完成后,顯影設備則對晶圓進行處理,將曝光形成的光刻圖案顯影出來。整個流程對設備性能要求極高,需要在毫秒級的時間內完成響應,同時確保納米級的操作精度,如此才能保證光刻工藝的準確性與穩定性,進而保障半導體器件的制造質量。
(注:圖片來自于網絡)
1.設備原理
涂膠環節:通過旋涂式或噴膠式將光刻膠均勻覆蓋在晶圓表面,旋涂式一般分為靜態旋涂與動態旋涂,靜態旋涂是在晶圓靜止時滴膠,轉盤帶動晶圓旋轉,完成甩膠、揮發溶劑的過程;動態旋涂是晶圓在進行低速旋轉的同時滴膠,然后加速旋轉,完成甩膠、揮發溶劑的過程。噴膠式則是通過噴膠設備將光刻膠通過以特定行駛軌跡往返運動的膠嘴以“膠霧”的形式噴射到晶圓表面。
(注:圖片來自于網絡)
顯影環節:曝光后的晶圓經顯影液處理,顯影液通常是一種酸性或堿性的溶液,可以溶解光刻膠或者改變其物理性質,使其易于去除。在顯影過程中,晶圓被浸泡在顯影液中一段時間,顯影液會與光刻膠發生化學反應,未曝光的光刻膠被溶解或保留,從而形成與掩膜版對應的圖案。
(注:圖片來自于網絡)
2.核心挑戰:
涂膠的關鍵是需要控制膠膜的厚度與均勻性,需要對轉速、噴膠落點等參數進行精確控制。
在顯影過程中,晶圓的定位精度、顯影液噴淋的均勻性,直接影響圖案的線寬精度和邊緣粗糙度。
超精密控制要求:涂膠機轉速穩定性需控制在非常小的范圍內,才能保證光刻膠厚度均勻性
溫度控制精度:烘烤腔體溫度控制需精確達到誤差不超過0.1度的嚴苛標準
晶圓處理安全:晶圓在進行加工和在設備間轉運時要保持穩定,以免遭到破損
化學穩定性:設備中關鍵零部件需耐受各種化學試劑的長期腐蝕
二、壓電納米技術在涂膠顯影設備中“大展拳腳”
壓電納米技術的優勢:
1.納米級定位分辨率:通過壓電陶瓷的逆壓電效應,實現納米級位移控制,可完美匹配涂膠過程中對膠膜厚度的納米級要求。
2.毫秒級動態響應:壓電驅動幾乎不存在機械傳動間隙,響應時間可達毫秒級,可配合閉環反饋系統,實時跟隨晶圓高速旋轉或進行噴淋位置的快速定位,避免運動滯后導致的圖案偏移。
3.無摩擦、低振動設計:壓電納米平臺內部采用無摩擦柔性鉸鏈導向機構,機械磨損小。運行時振動幅度控制在納米范疇內,杜絕傳統機械驅動可能造成的震顫誤差,適合顯影時對晶圓穩定性的嚴苛要求。
三、芯明天壓電納米技術:為涂膠顯影設備注入“精密之魂”
芯明天壓電納米定位臺
壓電納米定位臺是以壓電陶瓷作為驅動源,結合柔性鉸鏈機構實現X軸、Z軸、XY軸、XZ軸、XYZ軸及六軸精密運動的壓電平臺,驅動形式包含壓電陶瓷直驅機構式、放大機構式。運動范圍可達毫米級,具有體積小、無摩擦、響應速度快等特點,配置高精度傳感器,可以實現納米級分辨率及定位精度,芯明天壓電納米定位臺在精密定位領域中發揮著至關重要的作用。
H64系列六軸壓電納米定位臺
H64系列超高分辨率壓電納米定位臺是以壓電陶瓷作為驅動源,結合柔性鉸鏈機構可實現X軸、Y軸、Z軸、θx、θy和θz六維精密運動的壓電平臺,驅動形式為放大機構式驅動。開/閉環版本可供選擇,閉環定位精度可達0.1%F.S.,非常適合高精度定位應用。
特點
▲X、Y、Z、θx、θy、θz六軸運動
▲可選配閉環反饋傳感器
▲承載能力達10kg
▲超高分辨率
技術參數
型號 | H64.XYZTR0S |
運動自由度 | X、Y、Z、θx、θy、θz |
驅動控制器 | 6路驅動,6路傳感 |
XYZ 標稱行程范圍(0~120V) | XY14.4μm/Z30μm |
XYZ Max.行程范圍(0~150V) | XY18μm/Z37.5μm |
θxθyθz軸標稱偏轉角度(0~120V) | θxθy0.32mrad(≈66秒)/θz1.3mrad(≈268秒) |
θxθyθz軸Max.偏轉角度(0~150V) | θxθy0.4mrad(≈83秒)/θz1.6mrad(≈330秒) |
傳感器 | SGS |
閉環直線分辨率 | XY0.6nm/Z1.25nm |
閉環偏轉分辨率 | θxθy13nrad/θz50nrad(<0.01秒) |
閉環線性度 | 直線可達0.02%F.S./偏轉可達0.1%F.S. |
閉環重復定位精度 | 直線可達0.06%F.S./偏轉可達0.1%F.S. |
靜電容量 | XY6.8μF/θxθyZ14.2μF/θz62.5μF |
承載能力 | 10kg |
空載諧振頻率 | >150Hz |
帶載諧振頻率@10kg | >100Hz |
閉環階躍時間 | 可達60ms |
重量 | 9.5kg(不含線) |
材質 | 鋼、鋁合金 |
H64A.XYZTR2S/K-C系列六軸壓電納米定位臺
H64A.XYZTR2S/K-C系列是X、Y、Z、θx、θy、θz六軸運動壓電納米定位臺,可產生六軸的超精密運動,適用于靜態定位和動態調姿。該定位臺內部采用并聯機構設計,可實現更好動態性。其內置高性能壓電陶瓷,可實現X±9/Y±9.5/Z155μm的直線位移和θxθy±1.1/θz±1mrad的偏轉角度。閉環版本全橋設計避免了溫度的漂移,確保了納米級定位精度。
特點
▲六維X、Y、Z、θx、θy、θz軸運動
▲直線行程:X±9/Y±9.5/Z155μm
▲偏轉行程:θxθy±1.1/θz±1mrad
▲閉環定位精度高
▲內部采用并聯機構,可實現更好動態性
▲承載可達12kg
技術參數
型號 | H64A.XYZTR2S-C |
運動自由度 | X、Y、Z、θx、θy、θz |
驅動控制器 | 6路驅動,6路傳感 |
XYZ標稱行程范圍(0~120V) | X±7μm/Y±7.5μm/Z125μm |
XYZ Max.行程范圍(0~150V) | X±9μm/Y±9.5μm/Z155μm |
θxθyθz軸標稱偏轉角度(0~120V) |
θxθy±0.9mrad(≈±186秒)/ θz±0.8mrad(≈±165秒) |
θxθyθz軸Max.偏轉角度(0~150V) |
θxθy±1.1mrad(≈±227秒)/ θz±1mrad(≈±206秒) |
傳感器 | SGS |
閉環直線分辨率 | X0.56nm/Y0.61nm/Z5nm |
閉環偏轉分辨率 | θxθy0.08μrad/θz0.07μrad(≈0.015秒) |
閉環線性度 | 直線可達0.05%F.S./偏轉可達0.02%F.S. |
閉環重復定位精度 | 0.02%F.S. |
帶載諧振頻率@10kg | >109Hz |
承載能力 | 12kg |
靜電容量 | XY7.2μF/θxθyZ21.6μF/θz50μF |
閉環階躍時間 | 40ms@1Hz,1/10幅值 |
材質 | 不銹鋼、鋁合金 |
重量 | 6.45kg(不含線) |
連接器 | DB15公頭×1+DB15母頭×1 |
注:以上參數是采用E00.D6K04壓電控制器測得。驅動電壓上限可在-20V~150V;對于高可靠的長期使用,建議驅動電壓在0~120V。
芯明天壓電陶瓷促動器
在涂膠顯影工藝中,壓電陶瓷促動器可精準控制:閥門開合精度、噴膠量和晶圓傳輸微調等等。芯明天壓電陶瓷促動器具有微秒級的極快速響應時間、高達數千赫茲的頻率以及微米級的位移,確保了設備在高速運轉下的工藝穩定性。
柱形壓電促動器
柱形壓電促動器是通過將壓電陶瓷疊堆封裝于內部,外部由柱形不銹鋼外殼保護,并通過機械外殼對壓電陶瓷疊堆施加預緊力,較高的內部機械預載力可適用于高負載、高動態應用。它可輸出壓電陶瓷疊堆產生的位移及出力,且可承受一定的拉力。
√直驅結構:
壓電陶瓷促動器采用壓電陶瓷直驅式結構,特點是出力大、響應速度快,可選配傳感器進行閉環反饋。在封裝壓電陶瓷促動器的頂部和底部分別由螺紋固定,固定方式可定制,如外螺紋、內螺紋、球頭、平頭等。
特點
▲納米級分辨率
▲可承受一定壓力
▲閉環精度高
▲位移可達190μm
▲出力可達25000N
技術參數
型號 | 柱形壓電促動器 |
標稱行程 | 8μm~200μm |
剛度 | 5N/μm~4000N/μm |
推/拉力 | 200/30N~50000/6000N |
靜電容量 | 0.17μF~6500μF |
諧振頻率 | 3kHz~40kHz |
長度 | 19mm~200mm |
金屬密封型壓電促動器
金屬密封型壓電促動器因外殼做了全密封,實現了與大氣環境的絕緣,進而受環境濕度影響較小,具有更長的使用壽命和更高性能,非常適用于需要高可靠性的半導體器件制造設備和光通信設備等各種應用。
特點
▲高可靠性:在85℃和100V下可實現MTTF=36000小時
▲精確的納米定位
▲機械磨損最小化
▲工作溫度:-25℃~+85℃或-40℃~+150℃
▲出力最大可達3600N
▲驅動電壓:0~150V
▲內置預加載機構和安裝附件,便于安裝到設備中
注:MTTF(Mean Time To Failures)為平均失效前時間。
型號舉例
H550C801WD1-A0LF是芯明天金屬密封型壓電促動器的眾多型號之一,它的行程可達55μm,出力可達800N,高標準的性能使其非常適用于流體流量控制閥的驅動,滿足流體流量控制閥對驅動部件高可靠性和高精度的要求。(另有多款型號可供選擇,并且支持參數定制。)
技術參數
型號 | H550C801WD1-A0LF |
標稱位移 | 55±8μm |
推力 | 800N |
靜電容量 | 6.4μF |
諧振頻率 | 18kHz |
類型 | 無法蘭 |
重量 | 16g |
工作溫度 | -25~85℃ |
長度 | 44.4±0.5mm |
審核編輯 黃宇
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