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揚(yáng)杰科技推出200V MOSFET Gen2.0系列

揚(yáng)杰科技 ? 來(lái)源:揚(yáng)杰科技 ? 2025-07-03 18:03 ? 次閱讀
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突破能效瓶頸,為下一代電力系統(tǒng)而生!

面對(duì)工業(yè)電源、BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)、新能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)對(duì)功率密度的極致追求,我們正式推出200V MOSFET Gen2.0全系列解決方案。賦能設(shè)備向小型化、高頻化、高可靠進(jìn)化!

核心技術(shù)特性

超低導(dǎo)通損耗

1.采用先進(jìn)SGT工藝,具有極佳的RDS(on)

2.正溫度系數(shù)特性?xún)?yōu)化,支持多管并聯(lián)均流

高頻開(kāi)關(guān)性能

1.優(yōu)化柵電荷總量 Qg, 顯著降低開(kāi)關(guān)振鈴風(fēng)險(xiǎn)

2.反向恢復(fù)時(shí)間Trr(消除體二極管反向?qū)〒p耗)

熱管理增強(qiáng)

1.高效散熱設(shè)計(jì):結(jié)殼熱阻 RθJC ≤ 0.5℃/W (TO-247封裝)

2.最高工作結(jié)溫 Tj(max) = 175℃,出色的散熱性能,優(yōu)異的溫升表現(xiàn)

3.優(yōu)化MOS產(chǎn)品EAS能力,提高產(chǎn)品的可靠性

4.100% UIS測(cè)試認(rèn)證

封裝與兼容性

1.提供PDFN5060, TO-220F, TO-247-3L,TO-263等封裝選項(xiàng)

2.引腳定義兼容主流工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用場(chǎng)景精準(zhǔn)賦能

工業(yè)電源:

服務(wù)器PSU/通信電源模塊

電機(jī)控制

電動(dòng)工具/無(wú)人機(jī)電調(diào)/變頻驅(qū)動(dòng)器

新能源系統(tǒng):

儲(chǔ)能PCS/光伏優(yōu)化器/車(chē)載OBC

自動(dòng)化設(shè)備

伺服驅(qū)動(dòng)器/工業(yè)機(jī)器人電源

揚(yáng)杰科技產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

揚(yáng)杰科技 200V N-SGT YJG246G20H (200V-NL 20V, PDFN5060)

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

1.性能指標(biāo)FOM,優(yōu)勢(shì)相較于主流大廠S3超25%

2.BVDSS 典型值 > 220V,提供高耐壓冗余設(shè)計(jì)

3.175 ℃ 1000hr 可靠性驗(yàn)證通過(guò), 有著高可靠性品質(zhì)

4.低Qg/Ciss/Coss/ Crss, 提供更低切換損耗

全系列產(chǎn)品建構(gòu)完成, 其產(chǎn)品推薦如下

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“選對(duì)MOS,讓工控設(shè)備小型化、高頻化、智能化”

200V N-SGT產(chǎn)品適合高功率密度和高效率電力電子系統(tǒng),兼顧效率與成本,平衡了性能與市場(chǎng)。

工控領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng),本質(zhì)是電能轉(zhuǎn)換效率與熱管理的博弈。MOS作為核心“能效閥門(mén)”,其參數(shù)選型直接決定了的“速度”與“溫度”。唯有緊扣“低阻、高頻、耐壓、小體積”四大核心,才能在工業(yè)控制領(lǐng)域中搶占先機(jī)。

關(guān)于揚(yáng)杰

揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司是國(guó)內(nèi)少數(shù)集半導(dǎo)體分立器件芯片設(shè)計(jì)制造、器件封裝測(cè)試、終端銷(xiāo)售與服務(wù)等產(chǎn)業(yè)鏈垂直一體化(IDM)的杰出廠商。產(chǎn)品線含蓋分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模塊、SiC、整流器件、保護(hù)器件、小信號(hào)等,為客戶(hù)提供一攬子產(chǎn)品解決方案。

公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車(chē)電子、清潔能源、工控、5G通訊、安防、AI消費(fèi)電子等諸多領(lǐng)域。

公司于2014年1月23日在深交所上市,證券代碼300373,相信在您的關(guān)懷支持下,我們一定能夠成為世界信賴(lài)的功率半導(dǎo)體伙伴。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:能效新紀(jì)元|200V MOSFET Gen2.0 系列重磅登場(chǎng)!

文章出處:【微信號(hào):yangjie-300373,微信公眾號(hào):揚(yáng)杰科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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