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32.768kHz晶振電容匹配指南

華昕電子 ? 2025-07-03 18:07 ? 次閱讀
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32.768kHz晶振電容匹配指南

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選擇32.768kHz晶振的電容大小是一個關鍵的考慮因素,它直接影響到晶振的穩定性和性能。在選擇電容時,我們需要充分考慮晶振的電氣參數、電路板的設計以及雜散電容的影響。

核心公式與原理如下:

負載電容計算公式

CL = (C1×C2)/(C1+C2) + Cs

C1/C2:對稱外接電容;Cs:雜散電容(2~5pF)。


示例:CL=12.5pF且Cs=3pF時,C1=C2≈19pF(優選18pF/22pF后微調)。



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然而,不同的電路板設計會產生不同的雜散電容值,因此在實際應用中還需要根據具體情況進行調整。通過調整外接電容的大小,我們可以找到使晶振處于最佳工作狀態的電容值。

這就需要我們用專業的設備對晶振單體測試,對晶振上板測試,從而找到板子最佳的匹配電容,以獲得最佳的工作效果。

華昕晶振設有專門的實驗室,在項目階段可以幫助客戶完成晶體在板上的匹配實驗,可以出具完整的測試匹配報告,可免費提供樣品測試。


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