文章來源：芯學(xué)知

原文作者：芯啟未來

本文介紹了干法刻蝕的速率、選擇比和均勻性三個(gè)評(píng)價(jià)參數(shù)。

在MEMS制造工藝中，干法刻蝕是通過等離子體、離子束等氣態(tài)物質(zhì)對(duì)薄膜材料或襯底進(jìn)行刻蝕的工藝，其評(píng)價(jià)參數(shù)直接影響器件的結(jié)構(gòu)精度和性能。那么干法刻蝕有哪些評(píng)價(jià)參數(shù)呢？

刻蝕速率

刻蝕速率是單位時(shí)間內(nèi)材料被刻蝕的厚度，通常以nm/min或μm/min表示，為什么刻蝕速率是最重要的一個(gè)刻蝕指標(biāo)，是因?yàn)樗鼪Q定工藝效率，速率過低會(huì)延長(zhǎng)生產(chǎn)周期，同時(shí)需與其他材料的刻蝕速率匹配（如掩膜層），以控制刻蝕深度。一般干法刻蝕硅襯底的速率為5~6μm/min，也就是刻蝕300μm硅槽大約需要50min，但是刻蝕速率除了與刻蝕機(jī)器設(shè)定參數(shù)和材料本身有關(guān)，還與刻蝕面積相關(guān)，因此干法刻蝕一定需要有足夠的驗(yàn)證參數(shù)才能做到好的刻蝕形貌。

干法刻蝕過程示意圖

刻蝕選擇比

刻蝕選擇比有兩種，待刻膜與襯底的刻蝕速率比稱為襯底選擇比，待刻膜與掩膜的刻蝕速率比稱為掩膜選擇比。理想情況需要選擇一種刻蝕氣體，對(duì)襯底選擇比低，而對(duì)掩膜選擇比高，但是實(shí)際情況很難完全滿足，因此需要綜合襯底和待刻膜的材料性質(zhì)，選擇合適的刻蝕氣體和掩膜。

英寸晶圓SiO2刻蝕速率面內(nèi)分別

刻蝕均勻性

晶圓表面不同位置刻蝕速率的一致性，通常用偏差百分比表示?？涛g均勻性分為片內(nèi)均勻性和片間均勻性，片內(nèi)均勻性是指同一晶圓上不同位置的刻蝕速率一致性，片間均勻性是指不同晶圓之間的刻蝕速率一致性。片內(nèi)均勻性差會(huì)導(dǎo)致器件尺寸偏差，影響MEMS結(jié)構(gòu)的對(duì)稱性，6英寸晶圓片內(nèi)均勻性通常需控制在±5%以內(nèi)。片間均勻性會(huì)造成器件批次間一致性差，器件批次間精度浮動(dòng)。