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Wolfspeed推SiC MOSFET/SBD新品:頂部散熱封裝

Hobby觀察 ? 來源:電子發燒友 ? 作者:綜合報道 ? 2025-07-08 00:55 ? 次閱讀
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電子發燒友網綜合報道 最近Wolfspeed的破產消息給業界帶來了不小的震撼,雖然在資本層面面臨危機,不過Wolfspeed當前的業務還是在正常推進的。Wolfspeed本周推出了新型的頂部散熱封裝碳化硅MOSFET肖特基二極管產品,通過頂部散熱(TSC)封裝,可以顯著提升系統功率密度和效率,同時優化熱管理性能并增強電路板布局靈活性。

本次新推出的U2系列產品全系采用頂部散熱封裝,提供650 V 至 1200 V 多種電壓選項,面向電動汽車車載充電機及快速充電基礎設施、電動汽車與工業暖通空調(HVAC)電機驅動、高電壓 DC/DC 轉換器、太陽能及儲能系統、工業電機驅動、工業電源等廣泛應用領域。

U2系列提供滿足 JEDEC 與 AEC-Q101 標準車規應用認證的選項,具備低剖面、表面貼裝設計;頂部散熱,熱阻(Rth)低;碳化硅(SiC)MOSFET 電壓范圍:750 V 至 1200 V;碳化硅(SiC)肖特基二極管計劃覆蓋 650 V 至 1200 V。

U2系列的優勢包括SiC頂部散熱(TSC)封裝中最大的爬電距離;通過優化 PCB 布局實現更高系統功率密度;表面貼裝設計支持大規模量產。

頂部散熱封裝優勢?

大多數標準表面貼裝分立功率半導體器件通過底部與 PCB 直接接觸的方式散熱,并依賴安裝在 PCB 下方的散熱器或冷卻板。這種散熱方式廣泛應用于各類電力電子場景,尤其在 PCB 安裝空間和散熱器重量不受限制的應用中尤為常見。

相比之下,頂部散熱(TSC)器件通過封裝頂部實現散熱。在頂部散熱(TSC)封裝內部,芯片采用倒裝方式布置于封裝上層,使熱量能夠直接傳導至頂部表面。這類器件特別適合汽車及電動交通系統等高性能應用場景——這些領域對高功率密度、先進熱管理方案和小型化封裝有著嚴苛要求。在這些應用中,頂部散熱(TSC)器件通過實現最大功率耗散并優化熱性能,有效滿足了系統的冷卻需求。

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來源:wolfspeed


頂部散熱(TSC)設計還實現了 PCB 的雙面利用,因為底板表面不再需要為散熱器預留接口。將散熱器從熱路徑中移除,不僅顯著降低了系統整體熱阻,還支持自動化組裝工藝——這一優勢可大幅提升生產效率,從而打造出更具成本效益的解決方案。

提供評估平臺和電機驅動參考設計

Wolfspeed 提供的SpeedVal Kit模塊化評估平臺為工程師提供了一套靈活的構建模塊,可在實際工作點對系統性能進行電路內評估,從而加速從硅器件向碳化硅(SiC)的轉型過渡。最新發布的三相評估主板不僅支持高功率靜態負載測試,更能為先進電機控制固件的開發提供基礎平臺。

同時針對U2系列的器件,Wolfspeed即將推出 13 kW 電機驅動參考設計,該設計為車廂、電池及電子設備提供全面的熱管理解決方案。通過采用SiC技術優化 HVAC 系統效率和溫控范圍,系統設計人員可實現 15 分鐘內完成快速充電,并延長車輛單次充電續航里程(全生命周期有效)。基于 Wolfspeed 最新 CRD-13DA12N-U2 13 kW HVAC 參考設計,碳化硅技術帶來圖中諸多優勢,包括延長單次充電續航里程、提升快速充電期間的可靠性、減小系統尺寸和降低環境噪音等。


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