超薄晶圓因其厚度極薄,在切割時對振動更為敏感,易影響厚度均勻性。我將從分析振動對超薄晶圓切割的影響出發,探討針對性的振動控制技術和厚度均勻性保障策略。
超薄晶圓(<50μm)切割振動控制技術與厚度均勻性保障
一、引言
隨著半導體技術的飛速發展,超薄晶圓(<50μm)在先進芯片制造中的應用愈發廣泛。然而,其極薄的特性使得在切割過程中對振動極為敏感,微小振動都可能導致晶圓厚度不均勻,進而影響芯片性能與良品率。因此,深入研究超薄晶圓切割振動控制技術,保障厚度均勻性,是當前半導體制造領域亟待解決的關鍵問題。
二、超薄晶圓切割振動對厚度均勻性的影響
2.1 刀具振動引發的切割偏差
超薄晶圓硬度高、脆性大,切割時刀具易產生高頻振動。這種振動會使刀具偏離理想切割軌跡,造成晶圓不同部位的切割深度不一致。在切割過程中,刀具振動幅值若達到 1μm,對于 50μm 以下的超薄晶圓,可能導致局部切割深度偏差超過 10%,嚴重破壞厚度均勻性 。
2.2 工件振動加劇的不均勻問題
超薄晶圓剛性差,在切割力作用下易發生振動。工件振動不僅使切割過程不穩定,還會導致切割力波動。切割力的變化會引起晶圓局部材料去除量差異,使得厚度出現偏差 。此外,振動產生的應力集中可能致使晶圓產生裂紋,進一步惡化厚度均勻性。
三、超薄晶圓切割振動控制技術
3.1 優化刀具設計與選擇
采用超細晶粒硬質合金或金剛石涂層刀具,提高刀具剛性和耐磨性,降低振動產生的可能性。優化刀具幾何參數,如減小刀具前角、增大后角,可減少切削力,抑制振動 。同時,合理設計刀具刃口形狀,使切削過程更平穩,降低振動幅度。
3.2 改進切割工藝參數
通過實驗和仿真確定最佳切割工藝參數。降低切割速度能減少切削力波動,降低振動頻率;減小進給量可避免過大的切削負荷,減少振動激發。例如,將切割速度控制在較低水平(如 10 - 20mm/min),進給量設置為 0.01 - 0.03mm/r,能有效抑制振動 。
3.3 應用主動振動控制技術
在切割設備上安裝高精度振動傳感器,實時監測振動信號。利用主動振動控制技術,如基于壓電陶瓷的主動減振系統,根據傳感器反饋信號產生反向振動,抵消有害振動。該技術可將振動幅值降低 50% 以上,顯著提升切割穩定性 。
四、超薄晶圓厚度均勻性保障策略
4.1 優化工件夾持系統
設計專用的超薄晶圓夾持系統,采用真空吸附或彈性夾持方式,確保晶圓在切割過程中穩固固定,減少因夾持不當產生的振動。同時,優化夾持力分布,避免局部應力集中,保障晶圓厚度均勻性 。
4.2 引入在線檢測與補償
在切割過程中引入在線厚度檢測技術,如激光干涉測量法,實時監測晶圓厚度變化。根據檢測結果,及時調整切割工藝參數或刀具位置,對厚度偏差進行補償,實現動態控制,保障厚度均勻性 。
以上內容圍繞超薄晶圓切割振動控制與厚度均勻性保障展開。若你覺得某部分內容需要補充案例數據,或有其他修改方向,歡迎隨時告訴我。
高通量晶圓測厚系統運用第三代掃頻OCT技術,精準攻克晶圓/晶片厚度TTV重復精度不穩定難題,重復精度達3nm以下。針對行業厚度測量結果不一致的痛點,經不同時段測量驗證,保障再現精度可靠。?

我們的數據和WAFERSIGHT2的數據測量對比,進一步驗證了真值的再現性:

(以上為新啟航實測樣品數據結果)
該系統基于第三代可調諧掃頻激光技術,相較傳統雙探頭對射掃描,可一次完成所有平面度及厚度參數測量。其創新掃描原理極大提升材料兼容性,從輕摻到重摻P型硅,到碳化硅、藍寶石、玻璃等多種晶圓材料均適用:?
對重摻型硅,可精準探測強吸收晶圓前后表面;?
點掃描第三代掃頻激光技術,有效抵御光譜串擾,勝任粗糙晶圓表面測量;?
通過偏振效應補償,增強低反射碳化硅、鈮酸鋰晶圓測量信噪比;

(以上為新啟航實測樣品數據結果)
支持絕緣體上硅和MEMS多層結構測量,覆蓋μm級到數百μm級厚度范圍,還可測量薄至4μm、精度達1nm的薄膜。

(以上為新啟航實測樣品數據結果)
此外,可調諧掃頻激光具備出色的“溫漂”處理能力,在極端環境中抗干擾性強,顯著提升重復測量穩定性。

(以上為新啟航實測樣品數據結果)
系統采用第三代高速掃頻可調諧激光器,擺脫傳統SLD光源對“主動式減震平臺”的依賴,憑借卓越抗干擾性實現小型化設計,還能與EFEM系統集成,滿足產線自動化測量需求。運動控制靈活,適配2-12英寸方片和圓片測量。

-
晶圓
+關注
關注
53文章
5151瀏覽量
129685 -
切割
+關注
關注
0文章
78瀏覽量
16197 -
碳化硅
+關注
關注
25文章
3060瀏覽量
50384
發布評論請先 登錄
wafer晶圓厚度(THK)翹曲度(Warp)彎曲度(Bow)等數據測量的設備
切割進給量與碳化硅襯底厚度均勻性的量化關系及工藝優化

評論