三星被判侵犯FinFET工藝專利 須賠償4億美元
根據(jù)美國德克薩斯州聯(lián)邦法院的裁決，三星電子侵犯了一家韓國大學關于雙柵極FinFET半導體工藝的技術專利，必須賠償4億美元。
韓國科學技術院(KAIST)在美國的授權機構起訴三星電子，稱其曾經宣稱要與韓國大學共同研究FinFET(鰭式場效應晶體管)技術，但很快就放棄，改變主意從Intel那里購買授權，不過三星還是使用了他們的技術，卻并非付費。
法院認可了這一起訴，責令三星電子賠償4億美元。事實上，陪審團發(fā)現(xiàn)三星的侵權是故意行為，因此完全可以做出三倍處罰，也就是最多12億美元。
有趣的是，GlobalFoundries和高通也被發(fā)現(xiàn)同樣侵權，因為GF是從三星那里買了FinFET工藝的授權，高通則通過三星和GF代工芯片，但這兩家無需賠償。
三星對此判決自然表示很失望，將提出上訴。
目前，三星電子已經超越Intel，成為全球最大的半導體廠商。
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原文標題：三星被判侵犯FinFET工藝專利: 罰款4億美元
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