日本電子廠商將相繼啟動市場有望擴大的純電動汽車(EV)用半導(dǎo)體的增產(chǎn)投資。東芝將投入300億日元，將有助于純電動汽車節(jié)能化的電力控制用半導(dǎo)體的產(chǎn)能增加5成。另外，三菱電機和富士電機也將增強生產(chǎn)設(shè)備。電力控制用半導(dǎo)體在制造方面需要經(jīng)驗，日本企業(yè)具有一定的影響力。各企業(yè)將通過積極投資，追趕德國和美國2強。

日本各企業(yè)啟動投資的是被稱為「功率半導(dǎo)體(power semiconductor)」的用于電力控制的半導(dǎo)體。在家電、工業(yè)設(shè)備和光伏發(fā)電等廣泛領(lǐng)域得到應(yīng)用，但預(yù)計今后成為主戰(zhàn)場的是環(huán)保規(guī)定帶來市場擴大的純電動汽車。為了實現(xiàn)純電動汽車配備的電力設(shè)備的小型化，或高效控制馬達(dá)，具有節(jié)能化效果的功率半導(dǎo)體的需求正在增加。

東芝到2020年度將把功率半導(dǎo)體產(chǎn)能增加至2017年度的1.5倍。將以保持滿負(fù)荷運轉(zhuǎn)的生產(chǎn)子公司加賀東芝電子為中心增強設(shè)備。此外，東芝姫路半導(dǎo)體工廠(位于兵庫縣太子町)和泰國的半導(dǎo)體工廠也將加強組裝工序。

投資額在3年里預(yù)計達(dá)到約300億日元。東芝正在制造被稱為「分離式(Discrete)」的功率半導(dǎo)體。該產(chǎn)品的利潤率高達(dá)10%左右，因此東芝考慮將分離式功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的銷售額到2020年度增加25%，達(dá)到2000億日元。在將全年銷售額達(dá)到4000億日元以上的記憶體業(yè)務(wù)出售之后，東芝為實現(xiàn)經(jīng)營重建，希望將分離式功率半導(dǎo)體培育為新的盈利業(yè)務(wù)支柱之一。

據(jù)國際能源署(IEA)預(yù)測，到2030年，在全球銷售的純電動汽車臺數(shù)將達(dá)到2017年的15倍，增至2150萬輛。另據(jù)日本富士經(jīng)濟統(tǒng)計，功率半導(dǎo)體到2030年的世界市場規(guī)模有望比2017年增加7成，達(dá)到4.68萬億日元，但隨著純電動汽車的普及，有可能進一步增加。

美國調(diào)查公司IC Insights統(tǒng)計顯示，從半導(dǎo)體的銷售額份額來看，日本企業(yè)1990年占49%，居世界首位，但到2017年降至7%。另一方面，雖然功率半導(dǎo)體占半導(dǎo)體市場整體的比例僅為5%左右，但三菱電機和東芝分居該領(lǐng)域第3、4位，日本企業(yè)表現(xiàn)突出。

功率半導(dǎo)體與韓國和中國企業(yè)正在涉足的記憶體等不同，屬于多品種少量生產(chǎn)，需要豐富的制造經(jīng)驗，進入門檻較高。由于韓國和中國企業(yè)并未崛起，因此不易發(fā)生價格崩盤。同時不易受到行情影響，能維持穩(wěn)定的利潤率。

不僅是純電動汽車，工廠自動化(FA)領(lǐng)域的需求也有望在全球范圍擴大。在工業(yè)設(shè)備和鐵路等領(lǐng)域，由于節(jié)能化的需求，今后也能期待穩(wěn)定的收益增加，因此歐美和日本企業(yè)正聯(lián)袂展開增產(chǎn)投資。

日本國內(nèi)最大企業(yè)三菱電機2018年度將以位于熊本縣和中國的主力工廠為中心，投資約100億日元。以功率半導(dǎo)體為中心的功率器件業(yè)務(wù)到2022年度力爭實現(xiàn)2000億日元銷售額。

富士電機也將在2018年度內(nèi)投入200億日元，增強國內(nèi)工廠設(shè)備。開發(fā)面向純電動汽車、小型輕量化的功率半導(dǎo)體。該公司2017年度剛剛形成量產(chǎn)體制。2020年度以后將追加投資300億日元，希望將功率半導(dǎo)體的2023年度銷售額增加至現(xiàn)在的1.5倍，達(dá)到1500億日元。

瞄準(zhǔn)增長市場的不僅僅是日本企業(yè)。世界最大企業(yè)德國英飛凌科技公司(Infineon Technologies AG)3月與上海汽車合資，在上海成立了功率半導(dǎo)體模塊的制造公司。而美國半導(dǎo)體巨頭安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)也將以車載半導(dǎo)體為中心，擴充功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。

在規(guī)模上處于劣勢的日本企業(yè)將致力于技術(shù)開發(fā)。將加強減少功率半導(dǎo)體的電力損失、力爭實現(xiàn)更長壽命和高耐熱性的開發(fā)體制。還將專注于氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等采用新一代材料的功率半導(dǎo)體的開發(fā)。