1.引言

微波測量方法是將電磁波作為探測束入射到等離子體中，對等離子體特性進行探測，不會對等離子體造成污染。常規(guī)微波反射計也是通過測量電磁波在等離子體截止頻率時的反射信號相位來計算等離子密度。當?shù)入x子密度較高且范圍較大時，需要寬頻帶的信號源進行掃頻，這給反射計的設計帶來的巨大的困難。本文通過分析不同頻率時電磁波的反射率和等離子體碰撞頻率對電磁波反射率的影響，設計了一種標量的反射計，反射計結(jié)構(gòu)簡單且不需掃頻即可測量大范圍的等離子體密度。

2.電磁波在等離子體上的反射

研究等離子體波的問題歸結(jié)于求色散關(guān)系。電磁波以任意角度入射到不同煤質(zhì)分界面上稱為斜入射，在這種情況下，入射波、反射波和透射波的傳播方向都不垂直于分界面。

若入射波的電場垂直于入射平面，則稱為垂直極化波。當垂直極化電磁波在等離子表面垂直入射時可以求得電磁波在等離子體表面的反射系數(shù)。本文主要對等離子體密度大小為1013~1014/cm3,碰撞頻率為1010到1012,等離子體大小80mm到300mm的等離子經(jīng)行分析。

通過編程計算可以得到不同頻率電磁波在不同密度和碰撞頻率等離子體表面的反射系數(shù)變化，如圖1、圖2、圖3所示。當?shù)入姶挪l率取100GHz時，因為在等離子體密度范圍為1013~1014/cm3時，最大的截止頻率為89.8GHz,所以當用100GHz電磁波入射等離子體時，電磁波將大部分穿過等離子，反射率很小。從圖3可以看出在電磁波的反射率在0到0.14之間逐步增大。圖1為電磁波頻率去58GHz時的反射率計算。

從圖1可以看出電磁波的反射率較大，從0到0.8左右變化，且變化趨勢較陡峭。當電磁波頻率為10GHz,等離子密度為1×1014/cm3時，隨著碰撞頻率從1010到1011變化，反射率的變化如圖2所示。

從圖2可以看出，當碰撞頻率變大時，反射率減小。因為當電磁波頻率為10GHz時，處于截止狀態(tài)，反射率較大。隨著碰撞平率的增大，等離子體對電磁波的反射將大幅減小。

通過上述分析可知，當?shù)入x子體碰撞頻率改變時，對電磁波在等離子體面上的反射影響較大。當?shù)入x子密度變化時，電磁波的反射率如圖1到3所示。圖中給出了不同碰撞平率下的反射率曲線。從圖3可以看出，當電磁波頻率超過截止頻率是反射率非常小，所以不適合作為反射計的工作頻率。對比圖1和圖2,可以發(fā)現(xiàn)在電磁波頻率去10GHz時，反射率大，但是隨著，密度的改變反射率的改變率平緩，相反，當電磁波平率取58GHz時，反射率較大，且隨著密度的改變反射率的改變量也較大，因此適合作為反射計的工作頻率。

3.反射計的設計

典型的反射計由兩只定向耦合器構(gòu)成，耦合器Ⅰ將投入負載的入射波2 b 的一小部分耦合出來（亦稱取樣）由口4輸出成為4 b ;耦合器Ⅱ則將負載反射波2 a 取樣由口3輸出，成為3 b .

設兩只耦合器的方向性都屬理想，其耦合系數(shù)分別為C1和C2.故設法測出 3 b 和4 b 的復數(shù)比值便能得出被測負載的復反射系數(shù)Γ .標量反射計的不同時僅需幅度信息，因而通常將兩個耦合輸出信號3 b 和4 b 都經(jīng)過幅度檢波器之后取得他們的模值，然后再求比值。檢波后在直流或低頻測量標量比值比在微波頻率上測量復數(shù)比值在設備要求上更加容易解決。

反射計的工作頻率需要根據(jù)計算得到的電磁波在等離子表面的反射率曲線來確定。選擇反射率相對較大切在一定等離子體密度范圍內(nèi)變化較大的電磁波頻率作為工作頻率。反射計末端接一個天線，天線對準等離子體層。耦合器1和耦合器2分別用來耦合入射波和反射波，耦合出來的電磁波用檢波器檢波，最后接自各自的指示器。通過測量反射率，可以通過計算獲得等離子體密度的大小。

4.結(jié)論

電磁波入射等離子時會發(fā)生反射。通過計算分析了等離子體密度為1013~1014/m3時，電磁波在等離子表面的反射率變化曲線。通過對電磁波在等離子體表面的反射計算，當電磁波頻率去等離子體截止頻率上下線的中間值時，反射率較大且隨著密度的改變反射率的改變量也較大，適合作為反射計的工作頻率。確定反射計的工作頻率后，設計了一種用于等離子體密度測量的標量微波反射計，克服了常規(guī)微波反射計結(jié)構(gòu)復雜需要寬帶掃頻源等難點，反射計結(jié)構(gòu)簡單且不需掃頻即可測量大范圍的等離子體密度