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大基金總裁丁文武指出發(fā)展集成電路產業(yè)要在補短板和強長板方面下功夫

半導體動態(tài) ? 來源:網絡整理 ? 作者:工程師吳畏 ? 2018-10-23 15:56 ? 次閱讀
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在10月22日召開的北京微電子國際研討會暨IC World大會上,國家集成電路產業(yè)投資基金股份有限公司(簡稱“大基金”)總裁丁文武表示,發(fā)展集成電路產業(yè)是建設創(chuàng)新國家的必然選擇,不管國際形勢多么復雜和嚴峻,中國發(fā)展集成電路產業(yè)的信心和決心不會改變。發(fā)展集成電路產業(yè)要在“補短板、強長板”方面下功夫。

IC產業(yè)快速發(fā)展

據(jù)丁文武介紹,今年上半年中國集成電路產業(yè)銷售額為2726.5億元,同比增長23.9%。其中,設計銷售額為1019億元,同比增長22.8%;制造銷售額為737.4億元,同比增長29.3%,繼續(xù)保持高速增長態(tài)勢;封測銷售額為970億元,同比增長21.2%。

中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計的數(shù)據(jù)顯示,自2012年以來,國內集成電路產業(yè)銷售額連續(xù)保持每年兩位數(shù)高速增長態(tài)勢。2012年的銷售額為2158.5億元,同比增長11.6%;2013年銷售額為2508.51億元,同比增長16.2%;2014年銷售額為3015.4億元,同比增長20.2%;2015年銷售額為3609.8億元,同比增長19.7%;2016年為4335.5億元,同比增長20.1%;2017年為5411.3億元,同比增長24.8%。

國內集成電路產業(yè)規(guī)模快速發(fā)展的同時,技術水平不斷提升。丁文武指出,在芯片設計領域,14納米和16納米的設計占比進一步增加,設計水平接近國際先進水平;在制造領域,28納米工藝實現(xiàn)規(guī)模量產,14納米和16納米工藝研發(fā)與生產線建設取得階段性進展;在封測領域,中高端封裝比例占30%以上;在裝備材料領域,部分關鍵材料和裝備已經進入國內外生產線。

值得一提的是,近期國內集成電路制造領域捷報頻傳。10月18日,華力二期12英寸先進生產線正式建成投片;8月9日,中芯國際宣布在14納米FinFET技術開發(fā)上取得重大進展;8月9日,長江存儲在美國召開的閃存峰會詳細介紹了X-tacking技術。丁文武表示,在存儲制造領域,“3D NAND flash和DRAM生產線正在建設過程中,有望很快建成投片。”

大力補短板、強長板

丁文武指出,要清醒認識到,與國際水平相比國內還有很大差距。一是對外依存度高,技術水平差距大;二是高端核心芯片基本依賴進口;三是產業(yè)規(guī)模差距大;四是企業(yè)研發(fā)投入與國際大企業(yè)相比差距大;五是人才還有大量缺口。

“盡管目前面臨復雜嚴峻的國際形勢和挑戰(zhàn),但要看到,國內發(fā)展集成電路產業(yè)還是有機遇的,包括政策的大力支持、巨大的市場需求、新技術和新興產業(yè)創(chuàng)新驅動帶來的活力,以及對外開放、國際合作等。”丁文武表示,今后集成電路產業(yè)的發(fā)展要在“補短板、強長板”方面下功夫。要理性發(fā)展集成電路制造業(yè)。現(xiàn)在很多地方發(fā)展集成電路的積極性很高,但要避免低水平重復、無序化、同質化以及分散化的現(xiàn)象。

具體到實踐層面,丁文武認為,在設計領域,要大力發(fā)展高端芯片,比如CPUMCU等;在制造領域,要大力發(fā)展先進工藝生產線、存儲生產線以及化合物半導體生產線等;在封測領域,要擴大高端封測的能力;在裝備領域,要大力發(fā)展***、刻蝕機、離子注入機等高端設備;在材料領域,要推動大硅片、光刻膠、靶材、高純化學品等關鍵核心材料的產業(yè)化。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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