一、薄膜電路工藝

采用通過磁控濺射，圖形化光刻，干法濕法蝕刻，電鍍加厚工藝，在陶瓷基板上制作出超細線條電路圖形。

在薄膜工藝中，基于薄膜電路工藝，通過磁控濺射實現(xiàn)陶瓷表面金屬化，通過電鍍實現(xiàn)銅層和金成的厚度大于10微米以上。即DPC( Direct Plate Copper-直接鍍銅基板)。

二、厚膜電路工藝

1、HTCC(High-Temperature Co-fired Ceramic)

2、LTCC(Low-Temperature Co-fired Ceramic)

3、DBC(Direct Bonded Copper)

陶瓷基板制作工藝中的相關技術：

1、鉆孔：利用機械鉆孔產(chǎn)生金屬層間的連通管道。

2、鍍通孔：連接層間的銅線路鉆孔完成后，層間的電路并未導通，因此必須在孔壁上形成一層導通層，借以連通線路，這個過程一般業(yè)界稱謂“PTH制程”，主要的工作程序包含了去膠渣、化學銅和電鍍銅三個程序。

3、干膜壓合：制作感光性蝕刻的阻抗層。

4、內層線路影像轉移：利用曝光將底片的影像轉移至板面。

5、 外層線路曝光：經(jīng)過感光膜的貼附后，電路板曾經(jīng)過類似內層板的制作程序，再次的曝光、顯影。這次感光膜的主要功能是為了定義出需要電鍍與不需要電鍍的區(qū)域，而我們所覆蓋的區(qū)域是不需要電鍍的區(qū)域。

6、磁控濺射：利用氣體輝光放電過程中產(chǎn)生的正離子與靶材料的表面原子之間的能量和動量交換，把物質從源材料移向襯底，實現(xiàn)薄膜的淀積。

7、蝕刻——外部線路的形成：將材料使用化學反應或者物理撞擊作用而移除的技術。蝕刻的功能性體現(xiàn)在針對特定圖形，選擇性地移除。

線路電鍍完成后，電路板將送入剝膜、蝕刻、剝錫線，主要的工作就是將電鍍阻劑完全剝除，將要蝕刻的銅曝露在蝕刻液內。由于線路區(qū)的頂部已被錫保護，所以采用堿性的蝕刻液來蝕銅，但因線路已被錫所保護，線路區(qū)的線路就能保留下來，如此整體線路板的表面線路就呈現(xiàn)出來。

8、防焊漆涂布：陶瓷電路板的目的就是為了承載電子零件，達成連接的目的。因此電路板線路完成后，必須將電子零件組裝的區(qū)域定義出來，而將非組裝區(qū)用高分子材料做適當?shù)谋Ｗo。由于電子零件的組裝連結都用焊錫，因此這種局部保護電路板的高分子材料被稱為“防焊漆”。目前多數(shù)的感光型防焊漆是使用濕式的油墨涂布形式。

三、LAM技術工藝

1、金屬層與陶瓷之間結合強度高，導電性好，可以多次焊接，金屬層厚度在1μm-1mm內可調，L/S分辨率最大可以達到10μm，可以方便地直接實現(xiàn)過孔連接。

2、LAM技術工藝生產(chǎn)流程：

3、LAM技術優(yōu)點：

（1）更高的熱導率：傳統(tǒng)的鋁基電路板MCPCB的熱導率是1～2W/mk，銅本身的導熱率是383.8W/m.K但是絕緣層的導熱率只有1.0W/m.K.左右，好一點的能達到1.8W/m.K。氧化鋁陶瓷的熱導率：20～35 W/m.k，氮化鋁陶瓷的熱導率：170～230 W/m.k，銅基板的導熱率為2W/(m*K)，；而且其熱膨脹系數(shù)與常用的LED芯片相匹配，可以把大型Si基芯片直接搭乘在銅導體電路上，省去了傳統(tǒng)模塊中的鉬片等過渡層；

（2）更牢、更低阻的金屬膜層：產(chǎn)品上金屬層與陶瓷基板的結合強度高，最大可以達到45MPa（大于1mm厚陶瓷片自身的強度）；金屬層的導電性好，例如，得到的銅的體積電阻率小于2.5×10－6Ω.cm，電流通過時發(fā)熱小；

（3）基板的可焊性好，使用溫度高：耐焊接，可多次重復焊接；

（4）絕緣性好：耐擊穿電壓高達20KV/mm；

（5）導電層厚度在1μm～1mm內任意定制：可根據(jù)電路模塊設計任意電流，銅層越厚，可以通過的電流越大。而傳統(tǒng)的DBC技術只能制造100μm～600μm厚的導電層；傳統(tǒng)的DBC技術做﹤100μm時生產(chǎn)溫度太高會融化，做﹥600μm時銅層太厚，銅會流下去導致產(chǎn)品邊緣模糊。我們的銅箔是覆上去的，所以厚度1μm～1mm內任意定制，精度很準。

（6）高頻損耗小，可進行高頻電路的設計和組裝；介電常數(shù)小，

（7）可進行高密度組裝，線/間距（L/S）分辨率可以達到20μm,從而實現(xiàn)設備的短、小、輕、薄化；

（8）不含有機成分，耐宇宙射線，在航空航天方面可靠性高，使用壽命長；

（9）銅層不含氧化層，可以在還原性氣氛中長期使用；

（10）三維基板、三維布線