女人荫蒂被添全过程13种图片,亚洲+欧美+在线,欧洲精品无码一区二区三区 ,在厨房拨开内裤进入毛片

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

多晶硅是做什么的

工程師 ? 來源:未知 ? 作者:姚遠香 ? 2019-04-11 14:02 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時,硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核,如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒,則這些晶粒結(jié)合起來,就結(jié)晶成多晶硅。

多晶硅可作拉制單晶硅的原料,多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。例如,在力學性質(zhì)、光學性質(zhì)和熱學性質(zhì)的各向異性方面,遠不如單晶硅明顯;在電學性質(zhì)方面,多晶硅晶體的導電性也遠不如單晶硅顯著,甚至于幾乎沒有導電性。

在化學活性方面,兩者的差異極小。多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區(qū)別,但真正鑒別須通過分析測定晶體的晶面方向、導電類型和電阻率等。

當前,晶體硅材料(包括多晶硅和單晶硅)是最主要的光伏材料,其市場占有率在90%以上,而且在今后相當長的一段時期也依然是太陽能電池的主流材料。多晶硅材料的生產(chǎn)技術(shù)長期以來掌握在美、日、德等3個國家7個公司的10家工廠手中,形成技術(shù)封鎖、市場壟斷的狀況。

多晶硅的需求主要來自于半導體和太陽能電池。按純度要求不同,分為電子級和太陽能級。其中,用于電子級多晶硅占55%左右,太陽能級多晶硅占45%,隨著光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展,太陽能電池對多晶硅需求量的增長速度高于半導體多晶硅的發(fā)展,預計到2008年太陽能多晶硅的需求量將超過電子級多晶硅。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 多晶硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    248

    瀏覽量

    29799
  • 單晶硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    7

    文章

    193

    瀏覽量

    28691
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    基于厚度梯度設計的TOPCon多晶硅指狀結(jié)構(gòu),實現(xiàn)25.28%量產(chǎn)效率突破

    隧穿氧化層鈍化接觸(TOPCon)技術(shù)作為當前太陽能電池領(lǐng)域的核心技術(shù)之一,憑借其優(yōu)異的背面鈍化性能,在工業(yè)生產(chǎn)中實現(xiàn)了廣泛應用。然而,多晶硅薄膜材料固有的窄帶隙和高吸收系數(shù)特性,導致其在
    的頭像 發(fā)表于 06-23 09:03 ?155次閱讀
    基于厚度梯度設計的TOPCon<b class='flag-5'>多晶硅</b>指狀結(jié)構(gòu),實現(xiàn)25.28%量產(chǎn)效率突破

    使用共聚焦拉曼顯微鏡進行多晶硅太陽能電池檢測

    圖1.多晶硅太陽能電池的顯微鏡光學圖像。在此圖像上可以觀察到大塊的熔融和凝固的。 可再生能源,例如太陽能,預計將在不久的將來發(fā)揮重要作用。為了將太陽光的能量直接轉(zhuǎn)化為電能,太陽能電池(晶體或
    的頭像 發(fā)表于 05-26 08:28 ?113次閱讀
    使用共聚焦拉曼顯微鏡進行<b class='flag-5'>多晶硅</b>太陽能電池檢測

    多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來源

    本文介紹了在多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來源、分布、存在形式以及降低雜質(zhì)的方法。
    的頭像 發(fā)表于 04-15 10:27 ?426次閱讀
    <b class='flag-5'>多晶硅</b>鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來源

    LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)

    本文圍繞單晶多晶硅與非晶三種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開介紹,重點解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn),并結(jié)合不同工藝條件對材料性能的影響,幫助讀者深入理解
    的頭像 發(fā)表于 04-09 16:19 ?728次閱讀
    LPCVD方法在<b class='flag-5'>多晶硅</b>制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)

    芯片制造中的多晶硅介紹

    多晶硅(Polycrystalline Silicon,簡稱Poly)是由無數(shù)微小晶粒組成的非單晶材料。與單晶(如襯底)不同,
    的頭像 發(fā)表于 04-08 15:53 ?976次閱讀
    芯片制造中的<b class='flag-5'>多晶硅</b>介紹

    晶體管柵極多晶硅摻雜的原理和必要性

    本文介紹了多晶硅作為晶體管的柵極摻雜的原理和必要性。
    的頭像 發(fā)表于 04-02 09:22 ?714次閱讀
    晶體管柵極<b class='flag-5'>多晶硅</b>摻雜的原理和必要性

    多晶硅錠定向凝固生長方法

    鑄錠澆注法是較早出現(xiàn)的一種技術(shù),該方法先將料置于熔煉坩堝中加熱熔化,隨后利用翻轉(zhuǎn)機械將其注入模具內(nèi)結(jié)晶凝固,最初主要用于生產(chǎn)等軸多晶硅。近年來,為提升多晶硅電池轉(zhuǎn)換效率,通過控制模具中熔體凝固過程的溫度,創(chuàng)造定向散熱條件,從而
    的頭像 發(fā)表于 03-13 14:41 ?494次閱讀

    單晶圓系統(tǒng):多晶硅與氮化硅的沉積

    本文介紹了單晶圓系統(tǒng):多晶硅與氮化硅的沉積。 在半導體制造領(lǐng)域,單晶圓系統(tǒng)展現(xiàn)出獨特的工藝優(yōu)勢,它具備進行多晶硅沉積的能力。這種沉積方式所帶來的顯著益處之一,便是能夠?qū)崿F(xiàn)臨場的多晶硅和鎢硅化物沉積
    的頭像 發(fā)表于 02-11 09:19 ?513次閱讀
    單晶圓系統(tǒng):<b class='flag-5'>多晶硅</b>與氮化硅的沉積

    為什么采用多晶硅作為柵極材料

    本文解釋了為什么采用多晶硅作為柵極材料 ? 柵極材料的變化 ? 如上圖,gate就是柵極,柵極由最開始的鋁柵,到多晶硅柵,再到HKMG工藝中的金屬柵極。 ? 柵極的作用 ? 柵極的主要作用是控制
    的頭像 發(fā)表于 02-08 11:22 ?596次閱讀
    為什么采用<b class='flag-5'>多晶硅</b>作為柵極材料

    多晶硅的存儲條件是什么

    在全球積極推動清潔能源轉(zhuǎn)型的大背景下,太陽能光伏產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展,而多晶硅作為光伏產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵起始原料,其質(zhì)量和性能直接關(guān)系到整個光伏系統(tǒng)的發(fā)電效率和穩(wěn)定性。因此,了解并嚴格把控多晶硅的存儲條件顯得尤為重要。
    的頭像 發(fā)表于 12-27 09:22 ?818次閱讀

    多晶硅生產(chǎn)過程中芯的作用

    ? ? ? ?多晶硅還原爐內(nèi),芯起著至關(guān)重要的作用。?? 在多晶硅的生長過程中,芯的表面會逐漸被新沉積的層所覆蓋,形成
    的頭像 發(fā)表于 11-14 11:27 ?829次閱讀

    多晶硅柵工藝的制造流程

    與亞微米工藝類似,多晶硅柵工藝是指形成 MOS器件的多晶硅柵極,柵極的作用是控制器件的關(guān)閉或者導通。淀積的多晶硅是未摻雜的,它是通過后續(xù)的源漏離子注入進行摻雜,PMOS 的柵是p型摻雜,NMOS 的柵是n型摻雜。
    的頭像 發(fā)表于 11-07 08:58 ?1525次閱讀
    <b class='flag-5'>多晶硅</b>柵工藝的制造流程

    光伏多晶硅的應用領(lǐng)域有哪些

    光伏多晶硅是太陽能光伏產(chǎn)業(yè)中的關(guān)鍵材料,它在太陽能電池的生產(chǎn)中扮演著重要角色。多晶硅太陽能電池因其成本相對較低、制造工藝成熟、穩(wěn)定性好等特點,在光伏市場中占有重要地位。 1. 住宅和商業(yè)建筑 1.1
    的頭像 發(fā)表于 09-20 11:33 ?1258次閱讀

    光伏多晶硅的分片方法及優(yōu)缺點

    光伏多晶硅是一種用于制造太陽能電池的材料,其分片過程是將整塊的多晶硅切割成適合制造太陽能電池的小塊。這個過程對于提高太陽能電池的效率和降低成本至關(guān)重要。以下是一篇關(guān)于光伏多晶硅分片方法及其優(yōu)缺點
    的頭像 發(fā)表于 09-20 11:26 ?1072次閱讀

    多晶硅柵耗盡效應簡述

    當柵與襯底之間存在壓差時,它們之間存在電場,靜電邊界條件使多晶硅靠近氧化層界面附近的能帶發(fā)生彎曲,并且電荷耗盡,從而形成多晶硅柵耗盡區(qū)。該耗盡區(qū)會在多晶硅柵與柵氧化層之間產(chǎn)生一個額外的串聯(lián)電容。當柵氧化層厚度減小到 2nm 以下
    的頭像 發(fā)表于 08-02 09:14 ?5254次閱讀
    <b class='flag-5'>多晶硅</b>柵耗盡效應簡述
    主站蜘蛛池模板: 北安市| 乡城县| 长泰县| 张北县| 湘乡市| 灌阳县| 冷水江市| 垣曲县| 蒲城县| 蓬溪县| 浦县| 祥云县| 即墨市| 丘北县| 余姚市| 嘉鱼县| 刚察县| 柳州市| 藁城市| 南康市| 乐至县| 长治市| 新郑市| 贞丰县| 喀什市| 读书| 南平市| 北安市| 延边| 阿拉善右旗| 兰考县| 全椒县| 宁明县| 万山特区| 连平县| 安岳县| 溆浦县| 龙州县| 罗源县| 龙井市| 义马市|