作者：電子發(fā)燒友 黃晶晶
關(guān)注: 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈、IoT等
微信號：kittyhjj

在中國大力發(fā)展存儲芯片的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)環(huán)境下，可能很多人不知道，東芯半導(dǎo)體是目前國內(nèi)唯一可以同時(shí)提供NAND、NOR、DRAM設(shè)計(jì)工藝和產(chǎn)品方案的本土存儲芯片設(shè)計(jì)公司。

東芯的三類存儲產(chǎn)品定位不同，其中NOR Flash定位中高端、大容量。NAND Flash定位中低容量，DRAM也是中低容量。主要應(yīng)用在嵌入式行業(yè)，包括通信光貓、監(jiān)測、智能音箱、可穿戴產(chǎn)品、4G模塊等等，以及智能手機(jī)、電視機(jī)、機(jī)頂盒，還有未來的無人駕駛，邊緣計(jì)算等。據(jù)悉，東芯半導(dǎo)體已經(jīng)與國內(nèi)最大的通信公司達(dá)成合作，在2016年底開始大規(guī)模出貨。



“我們避開了三星、美光等行業(yè)巨頭，不與他們直接競爭。這些巨頭的存儲芯片主要是大容量存儲，我們的策略是國際巨頭逐步要放棄的市場。據(jù)估算，這個(gè)市場的份額在100億美金左右，其中70%的市場在中國。因此這個(gè)市場足夠大，我們利用本土優(yōu)勢更貼近市場。”東芯半導(dǎo)體總經(jīng)理王超分析說東芯的產(chǎn)品定位非常清晰，就是要巨頭退出的市場，切入國產(chǎn)芯片進(jìn)行替代。

中低容量存儲不等于低端產(chǎn)品。產(chǎn)品方面，東芯半導(dǎo)體于2014年12月聯(lián)合中芯國際共同開發(fā)了24nm的NAND Flash，于2015年10月成功流片國內(nèi)首顆38nm1Gb SPI NAND芯片，于2016年7月成功流片國內(nèi)首顆24nm4Gb SLC NAND芯片，于2017年9月成功流片國內(nèi)首顆38nm2Gb SPI NAND，使得中國存儲芯片設(shè)計(jì)能力與國際先進(jìn)的差距不斷縮小。



王超解析，大容量主要用于數(shù)據(jù)存儲，中低容量用于程序存儲、運(yùn)算，這類存儲對可靠性要求更高，同時(shí)工藝水平已經(jīng)發(fā)展到極限，也就是2X納米的2D NAND。目前東芯中低容量NAND的設(shè)計(jì)水平已與國際水平相當(dāng)，并在國內(nèi)保持領(lǐng)先。

2016年存儲行業(yè)開啟了大缺貨時(shí)期，存儲芯片價(jià)格爆漲。顯然，東芯也受益了這波上漲的市場行情。如今存儲芯片價(jià)格下跌，王超表示，早在去年初他們已經(jīng)對下跌的形勢有所預(yù)警，并提前做好準(zhǔn)備，因此受影響程度不大。反而更關(guān)注存儲市場未來的爆發(fā)機(jī)會。

王超說，東芯在產(chǎn)品規(guī)劃上面也制定了五年戰(zhàn)略，將繼續(xù)專注中低容量存儲，目標(biāo)是做到國內(nèi)市場份額的三分之一以上。針對車規(guī)級存儲，計(jì)劃三年內(nèi)進(jìn)軍車規(guī)市場。目前，公司已完成A輪融資，引入了中芯聚源、中金鋒泰等戰(zhàn)略股東。三年內(nèi)也希望借助資本助力將企業(yè)規(guī)模做大做強(qiáng)。