為求低功耗、高能效及高性價比之元件,市場逐漸開發(fā)出FD-SOI(完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管)結(jié)構(gòu);而FD-SOI構(gòu)造主要以SOI晶圓為核心,透過傳統(tǒng)Si芯片制程方式,進而以水平式晶體管架構(gòu),取代線寬較大(16~12nm)之FinFET元件。
進一步分析FD-SOI市占情形,在各廠商相繼投入開發(fā)資源下,2018年整體元件市場規(guī)模達160億美元,預(yù)估2019年整體市場可望達到270億美元(年增68.6%),后續(xù)成長態(tài)勢也將逐年上揚。
技術(shù)的發(fā)展演進,F(xiàn)D-SOI實現(xiàn)低功耗、高性價比之元件架構(gòu)
由于半導(dǎo)體發(fā)展趨勢,使得相同面積下試圖填入更多晶體管的想法逐漸受到重視,因此衍生出微縮整體尺寸的構(gòu)想,而閘極(Gate)尺寸將是微縮重點。以傳統(tǒng)Planar元件發(fā)展來看,其閘極線寬已微縮至極限,因而需改變元件結(jié)構(gòu)才能因應(yīng)此要求,而立體構(gòu)造的FinFET(鰭式場效晶體管)元件就在此時被開發(fā)出來。
FinFET名稱主要由于元件結(jié)構(gòu)以立體方式呈現(xiàn),且其閘極構(gòu)造如同魚鰭一般,豎立于源極(Source)與汲極(Drain)間,作為控制元件的開關(guān)。在這樣新穎結(jié)構(gòu)下,雖可符合微縮尺寸之需求,但最大問題仍是閘極線寬必須在16nm以下(如12nm、10nm),才能有效控制從源極到汲極間的電流開關(guān)。
依現(xiàn)行元件發(fā)展情形,盡管已從傳統(tǒng)的Planar元件推升至FinFET結(jié)構(gòu),閘極線寬仍存在一段難以使用上的尺寸區(qū),還需有其他元件技術(shù)加以補足,而FD-SOI元件結(jié)構(gòu)剛好補上此缺口,實現(xiàn)低功耗、高性價比、制造周期短之元件架構(gòu)。
對于現(xiàn)行技術(shù)發(fā)展情形,依照所需元件尺寸及功能的不同,可區(qū)分為兩大陣營:
精進于微縮閘極線寬之FinFET制程技術(shù)開發(fā)(如臺積電、Samsung等),試圖增加晶體管數(shù)量,提升整體元件工作效率;
投入FD-SOI制程技術(shù),嘗試開發(fā)出低功耗、高性價比之功能性元件。盡管兩者之歷史脈絡(luò)有所不同、技術(shù)上各有千秋,但就元件技術(shù)發(fā)展趨勢評估,兩者技術(shù)仍將持續(xù)發(fā)展及并存。
各家大廠投入FD-SOI元件開發(fā),看好后續(xù)市場發(fā)展
FD-SOI元件技術(shù)主要源于一種水平式晶體管結(jié)構(gòu),透過SOI晶圓(Si/SiO2(Buried Oxide)/Si Substrate結(jié)構(gòu))方式,將最上層Si層借由制程、設(shè)計以滿足所需功能,并作為元件導(dǎo)通層之用;而中間SiO2層,憑借于高阻值之材料特性,隔絕晶體管間不必要的寄生電容,提高元件工作效率,因此在這樣的制程條件下,F(xiàn)D-SOI可透過傳統(tǒng)Si芯片的機臺進行加工,降低開發(fā)所需的設(shè)備成本。
依現(xiàn)行終端產(chǎn)品應(yīng)用,F(xiàn)D-SOI元件技術(shù)將可應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)IoT、車用元件與MEMS(微機電)元件等領(lǐng)域,目前已有Samsung、GlobalFoundries、STM等大廠相繼投入制程開發(fā)上。
雖然這些產(chǎn)品大多可由28nm制程條件下進行量產(chǎn),但隨著技術(shù)進步,憑借于閘極線寬逐漸微縮的趨勢帶動下,將驅(qū)使制程條件朝向22nm、12nm目標(biāo)邁進,甚至進一步跨入10nm制程,從而在相同面積下產(chǎn)生更多元件,大幅提升整體元件效率。
觀察采用FD-SOI元件的發(fā)展現(xiàn)況,從2017年開始,STM已收到Mobileye訂單需求,并運用28nm制程制造ADAS芯片;NXP也于2017年起,積極投入i.MX處理器系列的開發(fā),并選擇Samsung FD-SOI之28nm制程技術(shù)為合作伙伴。
另外,GlobalFoundries于2018年取得新創(chuàng)公司Arbe Robotics訂單,其FD-SOI元件將使用先進的22nm制程技術(shù),目標(biāo)打造車用雷達芯片。由此可見,各家廠商在車用芯片領(lǐng)域,使用FD-SOI技術(shù)已成為一股風(fēng)潮,后續(xù)仍看好該技術(shù)的市場發(fā)展。
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
335文章
28780瀏覽量
235426 -
制程技術(shù)
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
42瀏覽量
11272 -
FD-SOI
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
46瀏覽量
21943
發(fā)布評論請先 登錄
CEA-Leti與Soitec建立了戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
ST汽車MCU:FD-SOI+PCM相變存儲

淺談電源模塊發(fā)展的開發(fā)設(shè)計要點
Quobly宣布容錯量子計算技術(shù)重大突破
Quobly與意法半導(dǎo)體建立戰(zhàn)略合作, 加快量子處理器制造進程,實現(xiàn)大型量子計算解決方案

FD-SOI成≥12nm和≤28nm區(qū)間更好的選擇,三星、格羅方德等公司如何布局?

解讀芯原股份基于FD-SOI的RF IP技術(shù)平臺:讓SoC實現(xiàn)更好的通信

三星電子:18FDS將成為物聯(lián)網(wǎng)和MCU領(lǐng)域的重要工藝

設(shè)計中標(biāo)收入已逾20億美元,格羅方德FDX下一步如何走?

IBS首席執(zhí)行官再談FD-SOI對AI的重要性,在≥12nm和≤28nm區(qū)間FD-SOI是更好的選擇

芯原戴偉民博士回顧FD-SOI發(fā)展歷程并分享市場前沿技術(shù)

評論