富士通FRAM已經(jīng)能夠滿足智能表計應(yīng)用的各類需求,但富士通已投入開發(fā)與試產(chǎn)下一代高性能存儲產(chǎn)品——NRAM。NRAM是富士通與Nantero公司協(xié)議授權(quán)后,共同打造的下一代顛覆性新型存儲器,因為它同時繼承了FRAM的高速寫入、高讀寫耐久性,又具備與NOR Flash相當?shù)拇笕萘颗c造價成本,并實現(xiàn)很低的功耗。以智能表計方案為例,使用一個NRAM就可以替代電、水、氣、熱表中的Flash、FRAM和EEPROM等所有存儲單元,不僅減少了存儲器的使用數(shù)量,也有利于系統(tǒng)工程師簡化設(shè)計上的難度。
圖7:基于富士通NRAM可簡化智能表計方案設(shè)計
作為NRAM的第一代產(chǎn)品,16Mbit的DDR3 SPI接口產(chǎn)品最快將于2020年底上市,勢必引發(fā)存儲行業(yè)的新一輪變革。馮逸新自信地表示:“NRAM既繼承了FRAM的高性能,又具有替換NOR Flash大容量的特點,我們堅信這必將是一個劃時代的存儲器解決方案!”
-
NRAM
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
12瀏覽量
9685 -
富士通
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
203瀏覽量
55199
原文標題:老板,我跑業(yè)務(wù)回來了
文章出處:【微信號:xincailiaozaixian,微信公眾號:新材料在線】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
下一代高速芯片晶體管解制造問題解決了!
下一代PX5 RTOS具有哪些優(yōu)勢
下一代高速銅纜鐵氟龍發(fā)泡技術(shù)

納米壓印技術(shù):開創(chuàng)下一代光刻的新篇章

百度李彥宏談訓(xùn)練下一代大模型
使用下一代GaNFast和GeneSiC Power實現(xiàn)電氣化我們的世界

意法半導(dǎo)體下一代汽車微控制器的戰(zhàn)略部署
蘋果將推出M4 Ultra芯片,強化下一代Mac Pro與Mac Studio性能
通過電壓轉(zhuǎn)換啟用下一代ADAS域控制器應(yīng)用說明

實現(xiàn)具有電平轉(zhuǎn)換功能的下一代無線信標

通過下一代引線式邏輯IC封裝實現(xiàn)小型加固型應(yīng)用

評論