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深圳市浮思特科技有限公司

分享功率器件、觸控驅動、MCU等硬件知識,行業應用和解決方案,以及電子相關的行業資訊。

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動態

  • 發布了文章 2025-01-15 11:01

    高壓逆變器中的載波基礎PWM技術比較

    高壓逆變器是可再生能源系統的重要組成部分,這些逆變器依賴脈寬調制(PWM)來控制電力轉換過程。PWM使得波形生成和電力質量的精確控制成為可能,同時有效地抑制諧波。通過調節電壓脈沖的寬度,可以在高壓逆變器中近似出所需的交流波形,從而實現有效且平穩的電力傳輸給負載。載波波形的形狀在與參考信號進行比較時區分了不同的PWM技術。主要的三種載波基礎PWM技術包括三角波
  • 發布了文章 2025-01-14 11:04

    2024全球半導體市場增長,區域表現分化趨勢明顯

    根據美國半導體行業協會(SIA)近日發布的數據顯示,2024年11月全球半導體銷售額達到578億美元,環比增長1.6%,連續第八個月實現月度增長,同時也創下了新的歷史紀錄。這一數據表明,全球半導體行業在經歷過去幾年的波動后,正在持續復蘇并保持強勁的增長態勢。在全球半導體銷售表現中,美洲地區成為最大的亮點。11月,美洲地區的銷售額達到195億美元,占全球總額的
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  • 發布了文章 2025-01-14 11:02

    高電壓轉換器與電動車應用:NPC多電平逆變器為何如此關鍵?

    隨著能源需求的持續增長,電流在傳輸和利用過程中出現了許多問題。特別是,智能電網的增長和可再生能源的使用對電能的“質量”提出了更高的要求,例如減少諧波和在電網中平衡有功與無功功率的能力,因此需要使用靜態無功補償器(STATCOM)。簡單來說,它們由電力電子設備組成,動態提供無功功率支持,在負載或發電波動期間幫助穩定電壓水平。通常,它們位于高電壓側(從30kV到
  • 發布了文章 2025-01-13 11:41

    瑞薩電子推出新型 100V 高功率 MOSFET,助力多領域應用

    近日,瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產品專為電機控制、電池管理系統、電源管理及充電應用而設計,以其卓越的高電流開關性能和行業領先的技術表現成為市場焦點。新型MOSFET的核心亮點在于采用了瑞薩電子創新的晶圓制造工藝——REXFET-1。這項技術有效降低了MOSFET的導通電阻(Rdson)高達30%,從而顯著減少了功率損耗,為
  • 發布了文章 2025-01-13 11:40

    SiC功率器件如何在極端高溫條件下保持穩定性能?

    隨著DC/DC電源轉換器、電動汽車車載充電器(OBC)、工業電機驅動器、太陽能逆變器以及牽引逆變器等應用對功率密度的需求日益提高,系統的工作溫度也隨之增加。這需要使用能夠在高達175°C溫度下安全運行的元器件。基于寬禁帶材料(如碳化硅,SiC)制造的器件滿足了這一要求,并在這些應用中越來越受歡迎。然而,即使是SiCMOSFET,在高溫下也會表現出復雜的行為,
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  • 發布了文章 2025-01-10 11:55

    意法半導體推出全新IO-Link參考設計 助力智能工業應用

    日前,全球知名的半導體領導企業意法半導體正式發布了一款全新的IO-Link參考設計——EVLIOL4LSV1電路板。此產品以其強大的功能和高集成度,旨在為工業監控和設備制造商提供高效可靠的一站式解決方案。EVLIOL4LSV1電路板采用了ST先進的L6364Q雙通道IO-Link收發器和IPS4260L低邊功率開關。這種設計使得該電路板能夠直接連接到智能警示
  • 發布了文章 2025-01-10 11:52

    第六代雙極功率模塊如何推動工業應用的性能升級?

    雙極模塊在工業工頻應用中仍然是一種穩健且具有成本效益的解決方案。盡管此類電路的基本操作方式沒有變化,但功率模塊的封裝技術卻在不斷進步。自1975年SEMIPACK隔離底板整流模塊問世以來,它已發展成為一個覆蓋多種電流和拓撲的大型產品系列,成為50/60Hz整流器和交流控制器的標準,并廣泛應用于電機驅動、不間斷電源(UPS)系統及過程控制等市場。SEMIPAC
  • 發布了文章 2025-01-08 11:40

    安森美成功收購紐約州德威特GaN晶圓制造廠,助力技術布局!

    近日,全球領先的半導體解決方案供應商安森美(onsemi)宣布,以2000萬美元的價格成功收購位于美國紐約州德威特的原NexGenPowerSystems氮化鎵(GaN)晶圓制造廠。這項交易受到業界廣泛關注,標志著安森美在功率半導體領域的進一步布局。該晶圓制造廠最初由紐約州政府斥資近1億美元建造,旨在推動當地先進制造業的發展。然而,由于市場波動和企業運營問題
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  • 發布了文章 2025-01-08 11:38

    碳化硅IGBT在汽車領域的關鍵作用是什么?

    自電動汽車大規模普及的早期階段以來,碳化硅(SiC)和其他寬禁帶(WBG)技術就被認為是電池電動汽車子系統的理想選擇。與傳統硅材料相比,寬禁帶材料具有更高的禁帶寬度和擊穿電壓,可實現更高的電流密度、更高的開關頻率以及更低的總損耗。
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  • 發布了文章 2025-01-07 12:00

    兩個晶體管能如何實現高效正弦波振蕩?

    在電子設計中,振蕩器是一個重要的組件,廣泛應用于信號發生、無線通信和音頻設備中。一般來說,設計一個穩定的正弦波振蕩器往往需要運算放大器或復雜的電路結構。然而,是否可以僅用兩個晶體管就輕松實現一個高效的正弦波振蕩器呢?本文將介紹一種僅使用兩個晶體管、少量無源元件以及簡單反饋機制的正弦波振蕩器設計,并分析其工作原理和性能。電路結構與原理本文介紹的振蕩器電路如圖1

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公司介紹:深圳市浮思特科技有限公司半導體行業12年企業,為客戶提供從產品選型到方案研發一站式服務。主營范圍是電子方案開發業務和電子元器件代理銷售,專注在新能源、電動汽車及充電樁、家用電器、觸控顯示,4大領域的方案研發,為客戶提供從方案研發到選型采購的一站式服務。公司產品線分為4大類:新能源、電動汽車及充電樁、家用電器、觸控顯示。各產品線已有穩定合作中的大客戶群體。公司有12年的電子元器件研發經驗沉淀和代理銷售經驗,內部流程完整、組織架構清晰,服務客戶超萬位。有專利信息11條,著作權信息41條,是一家長期、持續追求核心技術的科技型公司。公司代理品牌有TRINNO、HITACHI、ABOV、SK PowerTech、晶豐明源、敦泰電子、希磁科技、奧倫德、里陽。公司主要銷售電子元器件是IGBT/IGBT module、MCU、AC-DC芯片、IPM、二極管、碳化硅二極管/碳化硅MOSFET、光耦。

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