“光伏”是當下新能源行業的熱門話題。隨著全球能源危機不斷加劇，太陽能作為一種綠色、可再生的能源逐漸受....
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芯長征科技 發表于 10-15 15:12
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在過去的二十年，MOSFET主要用作開關器件，得到了長足的發展，由于它是多子器件，有相對較小的開關損....
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芯長征科技 發表于 10-15 15:07
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隨著電動汽車和可再生能源的不斷普及，功率半導體市場正迎來顯著增長，并在封裝領域發生巨大變革。封裝的復....
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芯長征科技 發表于 10-15 15:04
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? 面向消費者的便攜式儲能是儲能市場新的藍海分支，一方面行業正處于高速發展期，另一方面產品具有消費品....
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芯長征科技 發表于 10-15 14:59
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在過去的二十年間，MOSFET作為開關器件發展迅速。然而，由于MOSFET的通態功耗較高，導通電阻受....
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芯長征科技 發表于 10-15 14:50
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在我們進入超結MOSFET的細節之前，我們先了解一些背景知識。
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芯長征科技 發表于 10-15 14:47
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引言：雙極晶體管由于是基極電流驅動，因此電流平衡容易被基極-發射極電壓VBE的波動所破壞，使得并聯連....
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芯長征科技 發表于 10-15 14:30
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PC電源是一個無工頻變壓器的四路開關穩壓電源，其中涉及整流、高頻變化和脈寬調制技術;其具有體積小、效....
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芯長征科技 發表于 10-08 17:54
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當前，在國際節能環保的大趨勢下，SiCIGBT芯片下游的新能源汽車、變頻家電、新能源發電等領域迅速發....
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芯長征科技 發表于 10-08 17:31
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TOLL封裝是一種具有小體積、低封裝電阻和低寄生電感的封裝形式，常用于MOSFET。
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芯長征科技 發表于 10-08 17:29
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功率MOSFET需要在鋰離子電池組內部和輸出負載之間串聯。同時，專用IC用于控制MOSFET的開啟和....
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芯長征科技 發表于 10-08 17:21
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如圖1所示，VDMOS結構就是P型注入和N+注入后兩次擴散形成P型區和N+型區，在硅表面P型區和N+....
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芯長征科技 發表于 10-08 17:16
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IGBT等功率器件具有稱為“短路耐受時間（SCWT：Short Circuit Withstand ....
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芯長征科技 發表于 10-08 17:12
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在MOS管的上下橋驅動中，有這種現象。如下圖，一個管子處在米勒平臺的時候，會給另一個管子的Vgs電壓....
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芯長征科技 發表于 10-08 17:08
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? “兵馬未動，糧草先行”，各路IC英雄是否備好了Hamburger&Chips來迎接下一次的遠征。....
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芯長征科技 發表于 10-08 17:04
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逆變器中使用的MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effe....
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芯長征科技 發表于 10-08 17:00
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Buck 變換器是一種輸出電壓低于輸入電壓的非隔離型直流變換器，其拓撲結構如下所示。Buck 電路輸....
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芯長征科技 發表于 10-08 16:58
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從上述分析可以看出，buck-boost拓撲輸入Ui和輸出Uo正負方向相反。當把電感L等效為兩個電感....
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芯長征科技 發表于 10-08 16:47
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高側開關就是負載是接地的，開關相對于負載處于高電位，如下圖所示。如果將開關和負載的位置互換，就是低側....
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芯長征科技 發表于 10-08 16:43
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Buck電路，也就是常說的降壓電路，為直流進-直流出。電路沒有變壓器，輸入輸出公共一個地。下圖為Bu....
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芯長征科技 發表于 10-08 16:22
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2024年5月9日，芯長征科技集團（簡稱“芯長征”）新能源電子封測產線在中國榮成順利通線并隆重舉行通....
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芯長征科技 發表于 05-10 14:08
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近日，芯長征在UL認證專業機構安可捷協助下，成功完成IGBT模組的UL認證流程，為公司的產品研發與市....
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芯長征科技 發表于 04-16 09:51
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功率型芯片于控制單元中主要負責具有高功率負載的控制電路，是可實現系統中電力控制與管理的關鍵零件，由于....
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芯長征科技 發表于 04-09 12:19
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三極管的結構是給一塊純硅進行三層摻雜，其中較窄區域高濃度N型摻雜，含有大量自由電子，中間極窄區域普通....
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芯長征科技 發表于 04-09 11:15
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功率半導體器件（Power Electronic Device）又稱為電力電子器件和功率電子器件，是....
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芯長征科技 發表于 04-09 10:59
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其中，有一個插圖，知識星球里有朋友不明白每層的構造原理，這里我來剖析一下。
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芯長征科技 發表于 04-03 11:43
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汽車電子對元件的工作溫度要求比較寬，根據不同的安裝位置等有不同的需求，但一般都要高于民用產品的要求。
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芯長征科技 發表于 04-02 11:33
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碳化硅 MOSFET 具有導通電壓低、 開關速度極快、 驅動能力要求相對低等特點， 是替代高壓硅MO....
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芯長征科技 發表于 04-01 11:23
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據日本研究人員報告，通過減少碳污染來避免碳污染源導致的“遷移率崩潰”，氮化鎵（GaN）的電子遷移率性....
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芯長征科技 發表于 03-13 10:51
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為滿足快速發展的電動汽車行業對高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進行了 1 200 V/500 A....
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芯長征科技 發表于 03-13 10:34
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