stm32f407用lwip1.41做webserver， 頁(yè)面上有html的number標(biāo)簽（帶三角符的那種）。直接瀏覽器打開(kāi)正常。下載到mcu后，再用瀏覽器
2024-03-21 07:33:52
電流對(duì)電池阻抗的影響，這種關(guān)系可能是由電荷轉(zhuǎn)移反應(yīng)的非線性行為驅(qū)動(dòng)的，電池拆解分析顯示這種效應(yīng)在低SOC區(qū)域尤為顯著。
2024-03-19 11:04:04
49 單分子水平的蛋白質(zhì)分析揭示了集合平均技術(shù)所掩蓋的異質(zhì)性行為。
2024-03-13 10:17:39164 
如下硅與石墨復(fù)配的負(fù)極材料的背散SEM，圓圈標(biāo)的地方是硅嗎？如果不是還請(qǐng)大佬指點(diǎn)一下，那些位置是硅？
2024-03-12 08:53:37
想問(wèn)下硅碳/石墨復(fù)配負(fù)極300cls滿充拆解中間黑色的區(qū)域是什么？是什么原因?qū)е缕湫纬傻?
2024-02-29 13:48:15
Intel 硅光子Intel?硅光子將硅集成電路和半導(dǎo)體激光兩個(gè)重要發(fā)明結(jié)合在一起。與傳統(tǒng)電子產(chǎn)品相比，它可以實(shí)現(xiàn)更遠(yuǎn)距離的數(shù)據(jù)傳輸。它利用了Intel?大批量硅制造的效率。特性為數(shù)據(jù)中心及其他領(lǐng)域
2024-02-27 12:19:00
Qorvo QPF4516BEVB-01評(píng)估板Qorvo QPF4516BEVB-01評(píng)估板設(shè)計(jì)用于評(píng)估QPF4516B Wi-Fi前端模塊。QPF4516B是一款設(shè)計(jì)用于Wi-Fi
2024-02-26 19:26:38
Qorvo QPL7442PCK-01評(píng)估板Qorvo QPL7442PCK-01評(píng)估板設(shè)計(jì)用于評(píng)估QPL7442射頻放大器。QPL7442放大器是一款低噪聲、高增益單端單片微波集成電路 (MMIC
2024-02-26 19:23:52
Qorvo QPA2212EVB評(píng)估板Qorvo QPA2212EVB評(píng)估板是用于QPA2212 Ka波段20W GaN功率放大器的演示和開(kāi)發(fā)平臺(tái)。QPA2212設(shè)計(jì)用于在27.5GHz至
2024-02-26 19:21:56
Qorvo QPC2040評(píng)估板Qorvo QPC2040評(píng)估板是用于QPC2040 X波段GaN 10W SPDT開(kāi)關(guān)的演示和開(kāi)發(fā)平臺(tái)。QPC040是一款單刀雙擲開(kāi)關(guān)，采用專有的QGaN
2024-02-26 18:32:41
范圍為6GHz至20GHz，采用無(wú)引線3mm2表面貼裝封裝。CMD316C3低噪聲放大器非常適合用于需要小尺寸和低功耗的通信系統(tǒng)。CMD316C3-EVB評(píng)估板設(shè)
2024-02-26 18:29:06
Qorvo QPB9348EVB評(píng)估板Qorvo QPB9348EVB評(píng)估板是用于QPB9348雙通道開(kāi)關(guān)LNA模塊的演示和開(kāi)發(fā)平臺(tái)。QPB9348是一款高度集成的1.7GHz至4.2GHz前端模塊
2024-02-26 18:23:59
Qorvo QPA9901EVB評(píng)估板Qorvo QPA9901EVB評(píng)估板是用于QPA9901高效放大器的演示和開(kāi)發(fā)平臺(tái)。QPA9901是一款可線性化功率放大器IC，頻率范圍為2.11GHz至
2024-02-26 18:22:46
Qorvo QPQ1903EVB評(píng)估板QPQ1903EVB評(píng)估板采用預(yù)安裝的Qorvo QPQ1903，采用緊湊的1.7mm x 1.1mm層壓SMT封裝。評(píng)估板提供了一個(gè)示例應(yīng)用電路，當(dāng)集成到現(xiàn)有
2024-02-26 18:16:45
Qorvo QPA261xEVB評(píng)估板QPA261xEVB評(píng)估板 特點(diǎn)QPA2610EVB：8.5GHz至10.5GHz頻率范圍QPA2611EVB：8GHz至12GHz頻率范圍QPA2612EVB
2024-02-26 18:11:34
Qorvo CMD305P3評(píng)估板特點(diǎn)用于評(píng)估CMD305P3 6-14GHz驅(qū)動(dòng)放大器的功能為CMDS優(yōu)化組裝而開(kāi)發(fā)應(yīng)使用足夠數(shù)量的過(guò)孔來(lái)連接頂部和底部接地平面表面貼裝工藝各不相同，建議仔細(xì)開(kāi)發(fā)工藝
2024-02-26 17:59:00
Qorvo QPL7425EVB評(píng)估板Qorvo QPL7425EVB評(píng)估板具有使用外部電阻的可調(diào)偏置，并且符合危害性物質(zhì)限制指令。這些評(píng)估板設(shè)計(jì)用于5MHz至684MHz上游和47MHz至
2024-02-26 16:02:52
Qorvo QPL7433EVB00評(píng)估板QPL7433EVB00評(píng)估板采用緊湊型2mm x 2mm DFN-8封裝的預(yù)安裝QPL7433 IC。評(píng)估板提供了示例應(yīng)用電路，當(dāng)集成到現(xiàn)有設(shè)計(jì)中時(shí)，允許
2024-02-26 13:53:32
晶圓表面的潔凈度對(duì)于后續(xù)半導(dǎo)體工藝以及產(chǎn)品合格率會(huì)造成一定程度的影響，最常見(jiàn)的主要污染包括金屬、有機(jī)物及顆粒狀粒子的殘留，而污染分析的結(jié)果可用以反應(yīng)某一工藝步驟、特定機(jī)臺(tái)或是整體工藝中所遭遇的污染程度與種類。
2024-02-23 17:34:23320 
Analog Devices Inc. EV-ADGS2414DSDZ 評(píng)估板Analog Devices Inc. EV-ADGS2414DSDZ評(píng)估板設(shè)計(jì)用于評(píng)估ADGS2414D高密度八通
2024-02-22 14:08:09
Analog Devices Inc. EVAL-CN0556-EBZ 評(píng)估板Analog Devices Inc. EVAL-CN0556-EBZ評(píng)估板設(shè)計(jì)用于評(píng)估LT8228雙向同步100V降壓
2024-02-22 13:48:46
Analog Devices Inc. EVAL-LTC7891-AZ 評(píng)估板Analog Devices Inc. EVAL-LTC7891-AZ評(píng)估板采用LTC7891 100V降壓同步GaN
2024-02-22 13:45:16
Analog Devices Inc. EVAL-LTC7890-AZ 評(píng)估板Analog Devices Inc. EVAL-LTC7890-AZ評(píng)估板是一款雙輸出同步降壓轉(zhuǎn)換器，可驅(qū)動(dòng)所有N溝道
2024-02-22 13:43:55
multisim14 中用雙向可控硅MAC12HCDG仿真時(shí)，為什么觸發(fā)電流撤掉后，T1,T2極也斷開(kāi)了燈泡不亮，電路如下圖，請(qǐng)幫忙看看電路是否有問(wèn)題？
2024-02-04 13:24:21
DSC差熱掃描儀，一種在科研和工業(yè)領(lǐng)域廣泛應(yīng)用的高效分析工具，以其獨(dú)特的檢測(cè)方式揭示了物質(zhì)的熱行為。它不僅在學(xué)術(shù)研究中為科學(xué)家們提供了深入理解物質(zhì)性質(zhì)的手段，還在工業(yè)生產(chǎn)中為優(yōu)化產(chǎn)品性能和提升生產(chǎn)
2024-01-16 15:09:58125 
表面絕緣阻抗是指表面材料在電場(chǎng)中對(duì)電流的阻礙程度，通常用于衡量一個(gè)材料的絕緣性能。當(dāng)三防漆噴涂在某個(gè)表面后，如果這個(gè)表面的絕緣阻抗降低，意味著三防漆涂層并未提供預(yù)期的絕緣保護(hù)，可能存在電流在這個(gè)表面上的穿透或泄漏的問(wèn)題。
2024-01-12 09:45:49293 手上有一個(gè)adis16405的IMU，和一個(gè)評(píng)估板ADISUSBZ。通過(guò)測(cè)試軟件已經(jīng)確認(rèn)設(shè)備完好。
現(xiàn)在希望通過(guò)labwindows/cvi編寫(xiě)一個(gè)程序，通過(guò)USB口直接讀取到傳感器的數(shù)據(jù)，不知道有沒(méi)有高人給指點(diǎn)一下該怎么辦
2024-01-01 07:28:59
Qorvo QPF4617評(píng)估板 Qorvo QPF4617評(píng)估板可評(píng)估QPF4617 Wi-Fi? 6E非線性前端模塊。Qorvo QPF4617設(shè)計(jì)用于Wi-Fi 6E
2023-12-20 11:14:48
Qorvo QPM0106EVB評(píng)估板Qorvo QPM0106評(píng)估板用于評(píng)估QPM0106射頻放大器。 QPM0106射頻放大器采用 10 引腳15.24mm x 15.24mm螺栓
2023-12-20 10:28:35
是平整度高，適合細(xì)間距器件，缺點(diǎn)也是保質(zhì)期短
OSP板
OSP就是在潔凈的裸銅表面上，以化學(xué)的方法長(zhǎng)出一層有機(jī)膜。使用的是一種水性有機(jī)化合物，選擇性地與銅結(jié)合，并在焊接前提供一層有機(jī)金屬層來(lái)保護(hù)銅
2023-12-12 13:35:04
EVAL-PRAOPAMP-1RJZ評(píng)估板上有許多電容、電阻。請(qǐng)問(wèn)這些分立器件的值怎么設(shè)置？有沒(méi)有推薦的值或者bom表？
2023-11-13 06:22:05
使用PWM控制可控硅調(diào)光白熾燈，卻出現(xiàn)”吱吱“的響聲，怎么去除這種噪音，誰(shuí)遇到過(guò)類似的問(wèn)題，你們是如何解決的?
2023-11-08 06:32:17
可以直接用光耦三極管來(lái)控制可控硅的g極嗎？之前沒(méi)用過(guò)，可以把可控硅理解為一個(gè)大功率高速開(kāi)關(guān)嗎
2023-11-02 06:51:06
高效硅太陽(yáng)能電池的加工在很大程度上取決于高幾何質(zhì)量和較低污染的硅晶片的可用性。在晶圓加工結(jié)束時(shí)，有必要去除晶圓表面的潛在污染物，例如有機(jī)物、金屬和顆粒。當(dāng)前的工業(yè)晶圓加工過(guò)程包括兩個(gè)清潔步驟。第一個(gè)
2023-11-01 17:05:58135 
請(qǐng)教各位大神，如圖，這個(gè)是延遲關(guān)斷燈的電路，請(qǐng)問(wèn)這個(gè)電路開(kāi)始按下開(kāi)關(guān)的時(shí)候，可控硅是怎么打開(kāi)的，電路的上可控硅的G極我看不出來(lái)有正向的電壓啊。。。。2個(gè)穩(wěn)壓管的參數(shù)我是隨便寫(xiě)的，可以的話幫忙算下穩(wěn)壓管大概多少值的。手上沒(méi)工具測(cè)。
2023-10-24 16:05:18
有沒(méi)有簡(jiǎn)單一些的辦法實(shí)現(xiàn)可控硅直流關(guān)斷技術(shù)
2023-10-10 07:21:55
一般都是用mos管控制開(kāi)關(guān)，如果用三極管和可控硅可以實(shí)現(xiàn)嗎
2023-10-07 08:54:52
低硼硅玻璃安瓿折斷力測(cè)試儀 安瓿瓶是一種用于封裝無(wú)菌藥品、生物制品等高精度產(chǎn)品的玻璃容器。由于其中存放的產(chǎn)品大多具有較高的生物活性或敏感性，因此對(duì)于安瓿瓶的物理性能要求極為嚴(yán)格。為了確保其
2023-09-27 15:49:46
實(shí)用可控硅電路集合
2023-09-26 14:19:22
本文說(shuō)明如何使用LTspice仿真來(lái)解釋由于使用外殼尺寸越來(lái)越小的陶瓷電容器而引起的電壓依賴性（或直流偏置）影響。尺寸越來(lái)越小、功能越來(lái)越多、電流消耗越來(lái)越低，為滿足這些需求，必須對(duì)元件（包括
2023-09-24 11:10:02274 
本書(shū)介紹了雙向可控硅的應(yīng)用實(shí)例,共計(jì)50G 例,分二十八類。每一例均給出了電路原理和應(yīng)用電路圖,涉及家用電器、娛樂(lè),消費(fèi)、工業(yè)控制、自動(dòng)化等領(lǐng)域,對(duì)于電子愛(ài)好者仿制和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)都具有重要的參考價(jià)值。
2023-09-20 08:12:13
什么是真空吸盤(pán)？ 晶圓真空吸盤(pán)通常由堅(jiān)硬的表面構(gòu)成，表面上有許多小孔或通道。通過(guò)這些小孔，吸盤(pán)可以與真空泵連接，從而產(chǎn)生真空效應(yīng)。
2023-09-08 11:25:451051 
意法半導(dǎo)體正通過(guò)一系列的創(chuàng)新突飛猛進(jìn)，諸如集成式智能功率模塊和系統(tǒng)級(jí)封裝、單片式電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、快速高效的功率開(kāi)關(guān)、具有電壓瞬態(tài)保護(hù)功能的可控硅、以及功能強(qiáng)大且安全的微控制器等。無(wú)論您使用哪種電機(jī)技術(shù)
2023-09-06 06:31:41
在一段時(shí)間內(nèi)不會(huì)在所有應(yīng)用中取代硅。 原因如下：
第一個(gè)需要克服的障礙是 GaN 晶體管的耗盡特性。 有源功率和邏輯電路需要常開(kāi)和常關(guān)類型的晶體管。 雖然可以生產(chǎn)常關(guān)型 GaN 晶體管，但它們要么依賴于典型
2023-08-21 17:06:18
本指南提供了有關(guān)Arm SystemReady計(jì)劃和SystemReady預(yù)硅啟用的常見(jiàn)問(wèn)題的答案。
信息分為以下幾個(gè)部分：
?SystemReady一般常見(jiàn)問(wèn)題解答回答了有關(guān)SystemReady
2023-08-08 06:21:04
M16插頭表面鍍層對(duì)產(chǎn)品的質(zhì)量有影響。表面鍍層是在連接器的金屬表面上涂覆一層特殊材料，通常用于提高連接器的性能和保護(hù)其金屬部件。
2023-08-05 11:39:18462 
請(qǐng)教各位前輩，計(jì)算鐵硅鋁電感飽和，是按峰值電流還是平均值，例如我設(shè)計(jì)一個(gè)PFC電感，峰值電流8A，平均值4A，是按那個(gè)那個(gè)電流計(jì)算？
2023-07-31 10:41:35
SD-WAN和專線在開(kāi)通時(shí)間上有一定的區(qū)別。下面我將詳細(xì)介紹它們的特點(diǎn)和開(kāi)通時(shí)間上的差異。
2023-07-17 14:12:16267 蝕刻是一種從材料上去除的過(guò)程。基片表面上的一種薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183 
蝕刻是一種從材料上去除的過(guò)程。基片表面上的一種薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03190 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LED評(píng)估嚙齒動(dòng)物前肢抓握的行為室.zip》資料免費(fèi)下載
2023-07-11 16:18:52
0 PCB板為什么要做表面處理？
由于PCB上的銅層很容易被氧化，因此生成的銅氧化層會(huì)嚴(yán)重降低焊接質(zhì)量，從而降低最終產(chǎn)品的可靠性和有效性，為了避免這種情況的發(fā)生，需要對(duì)PCB進(jìn)行表面處理。
常見(jiàn)的表面
2023-06-25 11:35:01
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來(lái)所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說(shuō)氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
涂層是有機(jī)物，通常是一種防焊膜，在那些不需要焊接的地方采用絲網(wǎng)印制技術(shù)覆上一層環(huán)氧樹(shù)脂薄膜。這種覆上一層有機(jī)保焊劑的工藝不需要電子交換，當(dāng)電路板浸沒(méi)在化學(xué)鍍液中后，一種具有氮耐受性的化合物可以站附到暴露
2023-06-09 14:19:07
隨著半導(dǎo)體科技的發(fā)展，在固態(tài)微電子器件制造中，人們對(duì)清潔基底表面越來(lái)越重視。濕法清洗一般使用無(wú)機(jī)酸、堿和氧化劑，以達(dá)到去除光阻劑、顆粒、輕有機(jī)物、金屬污染物以及硅片表面上的天然氧化物的目的。然而，隨著硅電路和器件結(jié)構(gòu)規(guī)模的不斷減小，英思特仍在專注于探索有效可靠的清潔方法以實(shí)現(xiàn)更好的清潔晶圓表面。
2023-06-05 17:18:50437 
有時(shí)候，化學(xué)物質(zhì)會(huì)吸附在表面上，這種現(xiàn)象可能發(fā)生在氣相中的固體表面以及浸沒(méi)在液體溶液中的固體表面。
2023-06-05 11:25:291228 
使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法對(duì)碳化硅晶片進(jìn)行了超精密拋光試驗(yàn)，探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時(shí)長(zhǎng)及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對(duì)晶片表面粗糙度的影響，并對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化，最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級(jí)光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062215 
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門(mén)適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一
2023-05-31 10:24:03
電鍍是一種利用電化學(xué)性質(zhì)，在鍍件表面上沉積所需形態(tài)的金屬覆層的表面處理工藝。
電鍍?cè)恚涸诤杏兘饘俚柠}類溶液中，以被鍍基體金屬為陰極，通過(guò)電解作用，使鍍液中欲鍍金屬的陽(yáng)離子在基體金屬表面沉積，形成鍍層。如圖13所示。
2023-05-29 12:07:23644 
過(guò)去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過(guò)程，測(cè)量了沿多個(gè)矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預(yù)測(cè)不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
產(chǎn)品簡(jiǎn)介 除了人造金剛石，高阻抗的本征硅（高阻硅）材料是適合極寬范圍從(1.2 μm) 到mm (1000
2023-05-24 14:32:32
表面處理是在基體材料表面上人工形成一層與基體的機(jī)械、物理和化學(xué)性能不同的表層的工藝方法。
2023-05-22 11:07:221514 
石油化工行業(yè)VOC在線監(jiān)測(cè)系統(tǒng)建設(shè)背景 VOCs（VolatileOrganicCompounds），揮發(fā)性有機(jī)物。 對(duì)于石化行業(yè)而言，VOCs主要包括揮發(fā)性有機(jī)氣體和輕烴類； VOCs在PM2.5
2023-05-12 13:41:08330 該傳感器是一款智能近紅外物質(zhì)檢測(cè)儀，區(qū)別于實(shí)驗(yàn)室專業(yè)設(shè)備，采用光譜分析方法，基于先進(jìn)的機(jī)器學(xué)習(xí)算法，構(gòu)建方物核心的物質(zhì)檢測(cè)技術(shù)。首發(fā)的“方物”可以測(cè)量900 ~ 1700nm的近紅外光譜范圍，可以通過(guò)光譜分析技術(shù)聯(lián)合機(jī)器算法，實(shí)現(xiàn)大部分含有機(jī)物質(zhì)的光譜測(cè)量，進(jìn)一步開(kāi)展物質(zhì)成分和含量分析。
2023-05-10 09:47:25653 
1064nm四象限硅光電二極管
TO金屬封裝（TO8S、TO8Si 、TO1032i、TO1081i ）
四象限光電二極管是分立元器件，由小間隙隔開(kāi)四個(gè)有效探測(cè)區(qū)域組成。
該系列光電二極管可用于諸多
2023-05-09 17:10:53
激光清洗不僅可用于清洗有機(jī)污染物質(zhì)，還可以用來(lái)清洗無(wú)機(jī)化合物。激光清洗的原理是利用激光束的高能量密度，使污垢或涂層等物質(zhì)發(fā)生蒸發(fā)或剝離，從而清洗表面。這個(gè)過(guò)程并不依賴于物質(zhì)的化學(xué)性質(zhì)，因此激光清洗
2023-05-08 17:11:07571 
許多裂紋。其次，實(shí)施金浸沒(méi)需要很長(zhǎng)時(shí)間，以致在鎳表面上容易產(chǎn)生腐蝕并產(chǎn)生裂紋。
在影響化學(xué)鍍鎳的所有元素中，阻焊層脫穎而出的原因如下：
原因1：阻焊層的交叉鍵合和剛性不足，容易在銅表面留下
2023-04-24 16:07:02
）?化學(xué)沉銀?化學(xué)沉錫?無(wú)鉛噴錫（LFHASL）?有機(jī)保焊膜（OSP）?電解硬金?電解可鍵合軟金1、化學(xué)鎳金（ENIG）ENIG也稱為化學(xué)鎳金工藝，是廣泛用于PCB板導(dǎo)體的表面處理。這是一種相對(duì)簡(jiǎn)單
2023-04-19 11:53:15
勵(lì)磁功率單元和勵(lì)磁可控硅作用一樣嗎？求解答
2023-04-13 10:12:53
如圖所示：1.單片機(jī)給IO口發(fā)送一個(gè)高電平后光耦3063會(huì)立即導(dǎo)通還是在交流電壓的過(guò)零點(diǎn)導(dǎo)通2.如果光耦在輸入電壓的過(guò)零點(diǎn)導(dǎo)通，是否可以認(rèn)為可控硅兩端的電壓為零，此時(shí)可控硅不導(dǎo)通，那如果是這樣請(qǐng)問(wèn)這個(gè)電路可控硅是何時(shí)導(dǎo)通的，又是和是關(guān)斷的 。導(dǎo)通是可控硅T2和G極之間的電壓為多少，怎么理解
2023-04-10 21:59:00
npn管pnp管可控硅(晶閘管)的三個(gè)腳接了有何用啊我的意思是比如給pnp的n硅的腳加正電，那兩個(gè)p是段路還是干嘛。。。。交流電用4個(gè)二極管搞成直流再鋁解電容不就行了嗎？？，要兩個(gè)3級(jí)管搞什么，那兩個(gè)是什么管啊呀
2023-04-04 11:30:22
硅二極管的死區(qū)電壓和導(dǎo)通電壓分別為多少？反向飽和電流為多少數(shù)量級(jí)？
2023-03-31 11:45:58
清洗過(guò)程在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，在技術(shù)上和經(jīng)濟(jì)上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實(shí)現(xiàn)無(wú)顆粒、無(wú)金屬雜質(zhì)、無(wú)有機(jī)、無(wú)水分、無(wú)天然氧化物、無(wú)表面微粗糙度、無(wú)充電、無(wú)氫。硅片表面的主要容器可分為顆粒、金屬雜質(zhì)和有機(jī)物三類。
2023-03-31 10:56:19314 
在整個(gè)晶圓加工過(guò)程中，仔細(xì)維護(hù)清潔的晶圓表面對(duì)于在半導(dǎo)體器件制造中獲得高產(chǎn)量至關(guān)重要。因此，濕式化學(xué)清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中應(yīng)用最重復(fù)的處理步驟。
2023-03-30 10:00:091940 
由于PCB布局問(wèn)題或需要對(duì)電路進(jìn)行修改，有時(shí)需要切斷PCB表面上的走線。在這個(gè)過(guò)程中，一小節(jié)線路被移除，從而在電路中形成一個(gè) "斷點(diǎn)"。
2023-03-29 10:12:272842 大銅面等。大家知道沒(méi)有被防焊油墨覆蓋，則會(huì)露出銅面，而銅是很容易氧化的，所以表面處理的第一個(gè)目的就是在銅面上覆蓋一層延緩銅面氧化的物質(zhì)，比如錫、金、銀、抗氧化膜等。
2023-03-24 16:59:47732 
大銅面等。大家知道沒(méi)有被防焊油墨覆蓋，則會(huì)露出銅面，而銅是很容易氧化的，所以表面處理的第一個(gè)目的就是 在銅面上覆蓋一層延緩銅面氧化的物質(zhì) ，比如錫、金、銀、抗氧化膜等。而這些物質(zhì)的第二個(gè)作用就是要能很
2023-03-24 16:59:21
大銅面等。大家知道沒(méi)有被防焊油墨覆蓋，則會(huì)露出銅面，而銅是很容易氧化的，所以表面處理的第一個(gè)目的就是 在銅面上覆蓋一層延緩銅面氧化的物質(zhì) ，比如錫、金、銀、抗氧化膜等。而這些物質(zhì)的第二個(gè)作用就是要能很
2023-03-24 16:58:06
的過(guò)零點(diǎn)，然后延時(shí)一定時(shí)間后，輸出一個(gè)脈沖，使可控硅導(dǎo)通。 延時(shí)時(shí)間越長(zhǎng)，導(dǎo)通時(shí)間越短，輸出電壓越低。 2.電路設(shè)計(jì) 首先過(guò)零檢測(cè)電路如下。原理比較簡(jiǎn)單，由一個(gè)整流橋和光耦組成。 輸出波形
2023-03-23 15:19:30
為什么在直流穩(wěn)壓電源中，不選可控硅降壓電路，而選擇降壓變壓器呢？
2023-03-23 09:48:42
請(qǐng)問(wèn)一下可控硅調(diào)壓器輸出可以接入隔離變壓器嗎？
2023-03-23 09:38:46
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