CG2H80120D?C波段GaN HEMT 芯片CREE

Wolfspeed的CG2H80120D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較，GaN具備更優(yōu)越的性能；CG2H80120D包含更高擊穿場強；更高飽和電子漂移速率；和更高熱導(dǎo)率。與Si和GaAs晶體管相比較，CG2H80120D具備更高功率密度和更寬的帶寬。

特征

120W經(jīng)典PSAT

28伏操控

高擊穿場強

高溫度操控

高至8GHz的操控

高效率

應(yīng)用

2路專用無線通信

寬帶放大器

蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)

測試設(shè)備

ClassA;AB；主要用于OFDM的線性放大器；無線頻分多址；邊緣;CDMA波形

CREE（科銳）成立于1987年，CREE科銳具備30多年的寬帶GAP原材料和創(chuàng)新產(chǎn)品，CREE科銳是一個完整的設(shè)計合作伙伴，符合射頻的需求，CREE科銳為行業(yè)內(nèi)技術(shù)領(lǐng)先的機器設(shè)備提供更強的功率和更低的功能損耗。CREE科銳由最開始的GaN基材LED產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)先全世界，到微波射頻與毫米波芯片產(chǎn)品，CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed，以寬帶、大功率放大器產(chǎn)品為特色。

深圳市立維創(chuàng)展科技是CREE的經(jīng)銷商，擁有CREE微波器件優(yōu)勢供貨渠道，并長期庫存現(xiàn)貨，以備中國市場需求。

Product SKU	Technology	Frequency Min	Frequency Max	Peak Output Power	Gain	Efficiency	Operating Voltage	Form	Package Type
CG2H80120D-GP4	GaN on SiC	DC	8 GHz	120 W	>12 dB	65%	28 V	Discrete Bare Die	Die

審核編輯黃昊宇

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SGN19C160I2D 高壓大功率GaN HEMT

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SGN19C210I2D 高壓大功率GaN HEMT

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SGC5259-300A-R C波段內(nèi)部匹配 GaN HEMT

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SGN36H080M1H 高壓大功率GaN HEMT

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SGN36H050M1H 高壓大功率GaN HEMT

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SGN26H241M1H 高壓大功率GaN HEMT

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SGN26H180M1H 高壓大功率GaN HEMT

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SGN26H120M1H 高壓大功率GaN HEMT

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SGN26H080M1H 高壓大功率GaN HEMT

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2023-12-21 09:19:29

SGN21H181M1H 高壓大功率GaN HEMT

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2023-12-20 19:31:33

SGN21H180M1H 高壓大功率GaN HEMT

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2023-12-20 19:20:05

SGN19H240M1H 高壓大功率GaN HEMT

SGN19H240M1H型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN19H240M1H為50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和寬帶寬，并為您提供更高的增益。此

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SGN19H181M1H 高壓大功率GaN HEMT

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SGNH240M1H 高壓大功率GaN HEMT

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SGN2731-500H-R 雷達高壓大功率GaN HEMT

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SGN2731-130H-R 雷達高壓大功率GaN HEMT

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2023-12-17 11:12:19

SGN2731-120H-R 用于S波段雷達的GaN HEMT

SGN2731-120H-R型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN2731-120H-R提供高為50V操作的S波段雷達應(yīng)用提供了高功率、高效率和更大的一致性。低點熱阻允許使用高達

2023-12-17 11:04:55

SGN2729-600H-R 雷達高壓大功率GaN HEMT

SGN2729-600H-R型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN2729-600H-R為s波段雷達應(yīng)用提供高功率、高效率和更高的一致性，覆蓋2.7至2.9 GHz，工作電壓為50V

2023-12-17 10:56:07

SGN2729-250H-R 用于S波段雷達的250W GaN HEMT

SGN2729-250H-R型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN2729-250H-R提供高功率、高S波段覆蓋2.7至2.9GHz的效率和更大的一致性50V工作和高達脈沖條件的雷達

2023-12-16 21:29:05

SGN1214-220H-R 雷達高壓大功率 GaN HEMT

SGN1214-220H-R型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN1214-220H-R提供高功率、高效率、易于匹配和更大的一致性，適用于50V工作的L波段雷達應(yīng)用，覆蓋1.2至1.4

2023-12-16 21:13:08

SGN350H-R 用于雷達的350W GaN HEMT

SGN350H-R型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN350H-R提供高功率高，適用于L波段雷達應(yīng)用50V操作和高達150μsec脈沖的脈沖條件寬度和占空比高達10%。型號規(guī)格

2023-12-16 20:38:52

微波GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)

報告內(nèi)容包含：微帶WBG MMIC工藝 GaN HEMT 結(jié)構(gòu)的生長 GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)

2023-12-14 11:06:58

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SGM6906VU X波段 50W GaN HEMT模塊

SGM6906VU型號簡介Sumitomo的SGM6906VU是一款50W GaN HEMT模塊，內(nèi)部匹配X波段雷達波段，在50Ω系統(tǒng)中提供最佳功率和增益。型號規(guī)格廠家

2023-12-14 09:11:35

SGK5867-100C C波段內(nèi)部匹配 GaN HEMT

SGK5867-100C型號簡介Sumitomo的ES/SG5867-100C是一種高功率GaN HEMT，內(nèi)部匹配標準通信頻帶，在50Ω系統(tǒng)中提供最佳功率和增益。型號規(guī)格廠家

2023-12-13 12:13:43

CGHV96130F X波段功率放大器CREE

CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管(HEMT)與其他技術(shù)相比，CGHV96130F內(nèi)部適應(yīng)(IM)FET具有出色的功率附加效率。與砷化鎵相比

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SGN2933-600D-R 雷達用高壓大功率GaN HEMT

SGN2933-600D-R 型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN2933-600D-R提供高功率、高S波段覆蓋2.9至3.3GHz的效率和更大的一致性50V工作和高達脈沖

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SGC5259-400B-R C波段內(nèi)部匹配 GaN HEMT

SGC5259-400B-R型號簡介Sumitomo的SGC5259-400B-R是一種高功率GaN HEMT與C波段雷達波段匹配，以提供最佳功率和增益在50歐姆的系統(tǒng)中。型號規(guī)格廠家

2023-12-10 21:17:16

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SGC7178-100A型號簡介Sumitomo的SGC7178-100A是一款高功率GaN HEMT，內(nèi)部匹配C波段應(yīng)用，可在50Ω系統(tǒng)中提供最佳功率和增益。型號規(guī)格廠家

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SGC7172-30A C波段內(nèi)部匹配 GaN HEMT

SGC7172-30A型號簡介Sumitomo的SGC7172-30A是一種高功率GaN HEMT匹配C波段應(yīng)用，提供最佳功率和增益在50歐姆的系統(tǒng)中。型號規(guī)格廠家

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SGC7172-120A C波段內(nèi)部匹配 GaN HEMT

SGC7172-120A型號簡介Sumitomo的SGC7172-120A是一種高功率GaN HEMT匹配C波段應(yīng)用，提供最佳功率和增益在50歐姆的系統(tǒng)中。型號規(guī)格廠家

2023-12-10 20:42:56

SGK5867-30C C波段內(nèi)部匹配 GaN HEMT

SGK5867-30C 型號簡介Sumitomo的SGK5867-30C是一種高功率GaN HEMT與標準通信頻帶匹配，以提供最佳50歐姆系統(tǒng)中的功率和增益。型號規(guī)格廠家

2023-12-10 20:35:27

SGK5872-20C C波段內(nèi)部匹配 GaN HEMT

SGK5872-20C型號簡介Sumitomo的ES/SG5872-20C是一種高功率GaN HEMT與標準通信頻帶匹配，以提供最佳功率和線性。型號規(guī)格廠家

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SGC9395-50B-R C波段部匹配 GaN HEMT

SGC9395-50B-R型號簡介Sumitomo的SGC9395-50B-R是一種高功率GaN HEMT與X波段雷達波段匹配，以提供最佳功率和增益在50歐姆的系統(tǒng)中。型號規(guī)格廠家

2023-12-10 14:44:02

SGC5259-300B-R C波段部匹配 GaN HEMT

SGC5259-300B-R型號簡介Sumitomo的SGC5259-300B-R是一種高功率GaN HEMT與C波段雷達波段匹配，以提供最佳功率和增益在50歐姆的系統(tǒng)中。型號規(guī)格

2023-12-10 14:37:28

SGC52589-50B-R C波段部匹配 GaN HEMT

SGC52589-50B-R型號簡介Sumitomo的SGC5259-50B-R是一種高功率GaN HEMT與C波段雷達波段匹配，以提供最佳功率和增益在50歐姆的系統(tǒng)中。型號規(guī)格

2023-12-10 14:22:48

GaN HEMT為什么不能做成低壓器件

GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件，具有很高的電子遷移率、大的電子飽和漂移速度、高的飽和電子流動速度以及較低的電阻

2023-12-07 17:27:20

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CGHV60075D575 W, 6.0 GHz, GaN HEMT Die

一、CGHV60075D5產(chǎn)品描述1.產(chǎn)品特性CGHV60075D5 75 W, 6.0 GHz, GaN HEMT DieDescriptionCree’s

2023-11-07 15:31:11

基于GaN HEMT的半橋LLC優(yōu)化設(shè)計和損耗分析

nitride h鄄igh electron mobility transistor）的應(yīng)用可以進一步提高開關(guān)頻率，使變換器的開關(guān)頻率達到 500 kHz甚至幾兆赫[1]。但 GaN HEMT 存在

2023-09-18 07:27:50

CG2H40120 L/S波段寬帶放大器CREE

Wolfspeed的CG2H40120是款前所未有的類產(chǎn)品；氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。CG2H40120選用28伏電源軌工作；具備通用型應(yīng)用領(lǐng)域；適合各種射頻和微波應(yīng)用領(lǐng)域

2023-08-07 17:07:10

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CG2H30070F是一款晶體管

70-W；0.5-3.0GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CG2H30070F 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有輸入匹配功能，可在

2023-08-07 13:43:34

CG2H30070F-AMP2是一款晶體管

70-W；0.5-3.0GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CG2H30070F 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有輸入匹配功能，可在

2023-08-07 13:41:27

CG2H40120P是一款晶體管

120-W；射頻功率 GaN HEMTWolfspeed 的 CG2H40120 是一款無與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40120；采用 28 伏電源軌

2023-08-07 09:25:11

CG2H40120F是一款晶體管

120-W；射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40120 是一款無與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT

2023-08-07 09:22:52

CG2H40120F-AMP是一款晶體管

120-W；射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40120 是一款無與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40120；采用

2023-08-07 09:20:30

CG2H80120D-GP4是一款晶體管

120-W; DC – 8000-MHz; 28 V; GaN HEMT Die 沃爾夫斯派特的cg2h80120d是一種氦氮化鈉(GAN)高電動晶體管(HEMT)。甘油酯的性能優(yōu)于硅或

2023-08-04 17:25:02

CG2H80060D-GP4是一款晶體管

60-W; 8.0-GHz; GaN HEMT Die沃爾夫斯派特公司的cg2h80060d是一種氦氮化鎂(GAN)高電動晶體管(HEMT)。甘油酯的性能優(yōu)于硅或氟化鋇,包括較高的擊穿電壓、較高

2023-08-04 16:58:59

CG2H80045D-GP4是一款晶體管

CG2H80045D 沃爾夫斯派特的CG2H80045D是一種氮化鋇(GAN)高電子移動晶體管(HEMT)。甘油酯的性能優(yōu)于硅或氟化鋇,包括較高的擊穿電壓、較高的飽和電子漂移速度和較高

2023-08-04 16:43:55

CG2H40045P是一款晶體管

45瓦射頻功率沃爾夫斯派特公司的cg2h40045是無與倫比的,它是高電子移動晶體管(HEMT)。cg2h40045;在28伏軌道上運行;提供一般用途;為各種射頻和微波應(yīng)用提供寬帶

2023-08-04 16:41:15

CG2H40045F是一款晶體管

2023-08-04 16:29:07

CG2H40045F-AMP是一款晶體管

2023-08-04 16:17:49

CG2H40035F-AMP1是一款晶體管

35-W射頻功率沃爾夫斯派特的cg2h40035是無與倫比的;氮化鋇(GAN)高電子移動晶體管(HEMT)。cg2h40035;在28伏軌道上運行;提供一般用途;為各種射頻和微波應(yīng)用提供

2023-08-04 15:56:50

CG2H40035P是一款晶體管

35-W射頻功率沃爾夫斯派特的cg2h40035是無與倫比的;氮化鋇(GAN)高電子移動晶體管(HEMT)。cg2h40035;在28伏軌道上運行;提供一般用途;為各種射頻

2023-08-04 15:49:22

CG2H40035F是一款晶體管

35-W射頻功率沃爾夫斯派特的cg2h40035是無與倫比的;氮化鋇(GAN)高電子移動晶體管(HEMT)。cg2h40035;在28伏軌道上運行;提供一般用途;為各種射頻

2023-08-04 10:04:25

CG2H40035F-AMP是一款晶體管

2023-08-04 09:18:43

CG2H80030D-GP4是一款芯片

30-W；8.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CG2H80030D 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有更優(yōu)越的性能；包括

2023-08-03 17:00:22

CG2H40025P是一款晶體管

25W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40025 是一款無與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40025；采用 28

2023-08-03 15:43:09

CG2H40025F是一款晶體管

25W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40025 是一款無與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40025；采用 28

2023-08-03 15:08:51

CG2H40025F-AMP是一款晶體管

25W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40025 是一款無與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40025；采用 28

2023-08-03 14:55:55

CG2H80015D-GP4是一款晶體管

15-W；8.0GHz；GaN HEMT 芯片 Wolfspeed 的 CG2H80015D 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有更優(yōu)越

2023-08-03 14:06:49

CG2H40010P是一款晶體管

10W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40010 是一款無與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40010；采用 28

2023-08-03 13:41:45

CG2H40010F是一款晶體管

10W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40010 是一款無與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H

2023-08-03 13:36:27

CG2H40010F-AMP是一款晶體管

10W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40010 是一款無與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H

2023-08-03 11:58:27

CGH35060F1/P1?S波段寬帶放大器CREE

Wolfspeed的CGH35060P1是款致力于高效化需求設(shè)計氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)；高增益和寬帶性能；這導(dǎo)致CGH35060P1特別適合3.3–3.6GHzWiMAX

2023-07-19 09:01:11

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CREE(科銳)公司的歷史和產(chǎn)品變遷

說到GaN(氮化鎵)產(chǎn)品，不得不說到一家美國公司:CREE科銳，可以說，講GaN材料應(yīng)用到極致，并產(chǎn)生商業(yè)價值最大化，全球沒有第二家公司超越。經(jīng)常聽到一些芯片行業(yè)朋友說到CREE公司

2023-07-10 08:54:53

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CGH35015 S波段寬帶放大器CREE

Wolfspeed的CGH35015是款氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管，致力于802.16-2004?WiMAX穩(wěn)定連接應(yīng)用需求設(shè)計。GaN?HEMT具備高效率；高增益和寬帶網(wǎng)絡(luò)性能；從而

2023-07-06 09:12:48

GaN器件在Class D上的應(yīng)用優(yōu)勢

以及Class D半橋逆變測試，配套測試設(shè)備可實現(xiàn)對系統(tǒng)的效率監(jiān)測以及GaN器件的溫度監(jiān)測。測試平臺的電路原理圖如圖2所示，對應(yīng)系統(tǒng)的實物圖如圖3所示，該測試平臺的驅(qū)動IC為Si8274，利用驅(qū)動IC

2023-06-25 15:59:21

基于GaN的1.5kW LLC諧振變換器模塊

為了滿足數(shù)據(jù)中心快速增長的需求，對電源的需求越來越大更高的功率密度和效率。在本文中，我們構(gòu)造了一個1.5 kW的LLC諧振變換器模塊，它采用了Navitas的集成GaN HEMT ic，完全符合尺寸

2023-06-16 11:01:43

GaN單晶襯底顯著改善HEMT器件電流崩塌效應(yīng)

由于GaN和AlGaN材料中擁有較強的極化效應(yīng)，AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)無需進行調(diào)制摻雜就能在界面處形成高濃度的二維電子氣(2DEG)，在此基礎(chǔ)上發(fā)展而來的高電子遷移率晶體管(HEMT)是GaN材料

2023-06-14 14:00:55

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CGHV14500?L波段雷達放大器CREE

Wolfspeed的CGHV14500是種致力于高效化設(shè)計的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)；高增益和寬帶寬性能；這也使得CGHV14500成為了1.2–1.4GHzL波段雷達放大器

2023-06-06 11:19:48

541

GaN HEMT工藝全流程

GaN HEMT（高電子遷移率晶體管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半導(dǎo)體，具有低工作電阻和高抗損性，有望應(yīng)用于大功率和高頻電子設(shè)備。

2023-05-25 15:14:06

1220

GaN HEMT大信號模型

GaN HEMT 為功率放大器設(shè)計者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術(shù)的許多改進。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達 8W/mm、fT 高達 25 GHz 和低靜態(tài)

2023-05-24 09:40:01

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GTVA104001FA-V1?L波段放大器CREE

CREE的GTVA104001FA是款400瓦GaN?on?SiC高電子遷移率晶體管(HEMT)，適用于960至1215MHz頻率段。GTVA104001FA-V1具備輸入適配性能；高效率;及其具有

2023-05-19 08:57:14

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CGHV14250?L波段放大器CREE

Wolfspeed的CGHV14250是種致力于高效化設(shè)計氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)；高增益和寬帶寬性能；從而使CGHV14250成為1.2–1.4GHzL波段雷達放大器應(yīng)用領(lǐng)域

2023-04-24 09:12:47

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