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TPS51116-EP DDR 同步降壓控制器

數據：完整DDR，DDR2，DDR3 和LPDDR3 存儲器電源解決方案同步降壓控制器，3A 低壓降穩壓器(LDO)，經緩沖基準數據表 (Rev. A)

描述

TPS51116為DDR /SSTL-2，DDR2 /SSTL-18，DDR3 /SSTL-15和LPDDR3內存系統提供一個完整的電源。它集成了TPS51116在空間非常寶貴的系統中提供最低的總體解決方案成本.TPS51116同步控制器運行具有自適應接通時間控制的定頻400kHz，偽恒定頻率脈寬調制（PWM），此控制可在D-CAP模式中進行配置，此模式可簡化使用并實現最快瞬態響應或者在電流模式中支持陶瓷輸出電容器.1.1灌電流/拉電流LDO僅需20μF（2×10μF）陶瓷輸出電容器即可保持快速瞬態響應。此外，LDO電源輸入是外部可用的，這樣可大大減少總體功耗.TPS51116支持所有睡眠狀態控制，此類控制在S3（掛起到RAM）中將VTT置于高Z狀態并且在S4 /S5（掛起到硬盤）中將VDDQ，VTT和VTTREF（軟關閉）放。TPS51116具有所有保護特性，其中包括熱關斷并采用20引腳散熱薄型小外形尺寸（HTSSOP）將PowerPAD封裝。

特性

同步降壓控制器（VDDQ）
- 寬輸入電壓范圍：3.0V至28V
- 負載階躍響應為100ns的D-CAP?模式
- 電流模式選項支持陶瓷輸出電容器
- 支持S4 /S5狀態內的軟關閉
- R _{DS（接通）}或電阻器的電流感測
- 2.5V（DDR），1.8V（DDR2），可調節至
  1.5V（DDR3）或1.2V（LPDDR3）或
  0.75V至3.0V的輸出電壓范圍
- 配備有電源正常，過壓保護和欠壓保護
1A LDO（VTT），經緩沖基準（VREF）
- 灌電流和拉電流的能力達到1A
- 提供LDO輸入以優化功率損耗
- 只需20μF陶瓷輸出電容器
- 經緩沖的低噪聲10mA VREF輸出
- 針對VREF和VTT的±20mV精度
- 在S3中支持高阻抗（high-Z），在S4 /S5中支持軟關閉
- 過熱保護

參數與其它產品相比?DDR 存儲器電源產品

?
DDR Memory Type
Iout VTT (Max) (A)
Iq (Typ) (mA)
Output
Vin (Min) (V)
Vin (Max) (V)
Features
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Regulator Type
Vout VTT (Min) (V)
?

TPS51116-EP
DDR DDR2 DDR3 DDR3L DDR4 LPDDR2 LPDDR3 ? ?
3 ? ?
0.8 ? ?
VDDQ VREF VTT ? ?
3 ? ?
28 ? ?
Complete Solution Shutdown Pin for S3 ? ?
HiRel Enhanced Product ? ?
-55 to 125 ? ?
HTSSOP ? ?
20HTSSOP: 42 mm2: 6.4 x 6.5(HTSSOP) ? ?
Step-Down Controller Plus LDO ? ?
0.6 ? ?