描述

ISO5852S-EP器件是一款用于IGBT和MOSFET的5.7 kV _RMS 增強(qiáng)型隔離柵極驅(qū)動器，具有分離輸出（OUTH和OUTL）以及2.5A的拉電流能力和5A的灌電流能力。輸入端由2.25V至5.5V的單電源供電運(yùn)行。輸出端允許的電源范圍為15V至30V。兩個互補(bǔ)CMOS輸入控制柵極驅(qū)動器的輸出狀態(tài).76ns的短暫傳播時間保證了對于輸出級的精確控制。

內(nèi)置的去飽和（DESAT）故障檢測功能可識別IGBT何時處于過流狀態(tài)。檢測到DESAT時，靜音邏輯會立即阻斷隔離器輸出，并啟動軟關(guān)斷過程以禁用OUTH引腳并將OUTL引腳拉至低電平持續(xù)2μs。當(dāng)OUTL引腳達(dá)到2V時（相對于最大負(fù)電源電勢V _EE2 ），柵極驅(qū)動器會被“硬”拉至V _EE2 電勢，從而立即將IGBT關(guān)斷。

當(dāng)發(fā)生去飽和故障時，器件會通過隔離隔柵發(fā)送故障信號，以及輸入端的< span> FLT 輸出拉為低電平并阻斷隔離器的輸入。靜音邏輯在軟關(guān)斷期間激活。 FLT 的輸出狀態(tài)將被鎖存，并只能在RDY引腳變?yōu)楦唠娖胶笸ㄟ^ RST 輸入上的低電平有效脈沖復(fù)位。

如果在由雙極輸出電源供電的正常運(yùn)行期間關(guān)斷IGBT ，輸出電壓會被硬鉗位為V _EE2 。如果輸出電源為單極，那么可采用有源米勒鉗位，這種鉗位會在一條低阻抗路徑上灌入米勒電流，從而防止IGBT在高電壓瞬態(tài)狀態(tài)下發(fā)生動態(tài)導(dǎo)通。

柵極驅(qū)動器是否準(zhǔn)備就緒待運(yùn)行由兩個欠壓鎖定電路控制，這兩個電路會監(jiān)視輸入端和輸出端的電源。如果任意一端電源不足，RDY輸出會變?yōu)榈碗娖剑駝t該輸出為高電平。

ISO5852S-EP器件采用16引腳小外形尺寸集成電路（SOIC ）封裝。此器件的額定工作環(huán)境溫度范圍為-55°C至+ 125°C。

特性

• 在V _CM = 1500V時，共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）的最小值為100kV /μs
• 分離輸出，可提供2.5A峰值拉電流和
  5A峰值灌電流
• 短暫傳播延遲：76ns（典型值），
  110ns（最大值得）
• 2A有源米勒鉗位
• 輸出短路鉗位
• 短路期間的軟關(guān)斷（STO）
• 在檢測到去飽和故障時通過 FLT 發(fā)??出故障報(bào)警并通過 RST 復(fù)位
• 具有就緒（RDY）引腳指示的輸入和輸出欠壓鎖定（UVLO）
• 有源輸出下拉特性，在低電源或輸入懸空的情況下默認(rèn)輸出低電平
• 2.25V至5.5V輸入電源電壓
• 15V至30V輸出驅(qū)動器電源電壓
• 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）兼容輸入
• 抑制短于20ns的輸入脈沖和瞬態(tài)噪聲
• 工作環(huán)境溫度范圍：-55°C至+ 125°C
• 浪涌抗擾度為12800 V _PK （根據(jù)IEC 61000-4-5）< /li> 安全相關(guān)認(rèn)證：
  • 符合DIN V VDE V 0884-10（VDE V 0884-10）：2006-12標(biāo)準(zhǔn)的8000 V _PK V _IOTM 和2121 V _PK V _IORM 增強(qiáng)型隔離
  • 符合UL 1577標(biāo)準(zhǔn)且長達(dá)1分鐘的5700 V _RMS 隔離
  • CSA組件接受通知5A，IEC 60950-1，IEC 60601-1和IEC 61010-1終端設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)
  • 符合GB4943.1-2011的CQC認(rèn)證< /li>
  • 已通過UL，VDE，CQC，TUV認(rèn)證并規(guī)劃進(jìn)行CSA認(rèn)證

所有商標(biāo)均為其所有各自所有者。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?隔離柵極驅(qū)動器

? Isolation rating (Vrms) DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) Number of channels (#) Power switch Output VCC/VDD (Max) (V) Output VCC/VDD (Min) (V) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Peak output current (A) Operating temperature range (C) Package Group ? ISO5852S-EP 5700 ? ? 8000 ? ? 2121 ? ? 1 ? ? IGBT
SiCFET ? ? 30 ? ? 15 ? ? 2.25 ? ? 5.5 ? ? 5 ? ? -55 to 125 ? ? SOIC | 16 ? ?