C3M0350120D為1200 V 分立碳化硅 MOSFETT。業(yè)內(nèi)最廣泛的 1200 V SiC MOSFET 產(chǎn)品組合。1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可用于 UPS 等大功率應(yīng)用；電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)；開(kāi)關(guān)電源；太陽(yáng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng)；電動(dòng)汽車(chē)充電；高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器；和更多?；诘谌夹g(shù)；各種各樣的導(dǎo)通電阻和封裝選項(xiàng)使設(shè)計(jì)人員能夠?yàn)樗麄兊膽?yīng)用選擇正確的部件。將的 1200 V 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET 配對(duì)，為要求苛刻的應(yīng)用創(chuàng)造了更高效率的強(qiáng)大組合。
優(yōu)點(diǎn)
更高的系統(tǒng)效率
降低冷卻要求
提高功率密度
提高系統(tǒng)開(kāi)關(guān)頻率
特征
C3MTM SiC MOSFET 技術(shù)
高阻斷電壓和低導(dǎo)通電阻
低電容的高速開(kāi)關(guān)
具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管
無(wú)鹵素，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用
再生能源
高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
開(kāi)關(guān)模式電源
UPS
漏源電壓:600V
浪涌峰值反向電壓：600V
直流阻斷電壓：600V
非重復(fù)峰值正向浪涌電流：9A
功耗：21.4W
工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度:-55to+175?C
相關(guān)型號(hào)
C3M0350120D C3D04060A
C2M1000170D C3D06060G
C2M0045170P C3D06060F
C2M0045170D C3D06060A
C2M1000170J C3D08060G
CSD01060E C3D08060A
CSD01060A C3D10060G
C3D02060E C3D10060A
C3D02060F C3D16060D
C3D02060A C3D20060D
C3D03060E C3D02065E
C3D03060F C3D03065E
C3D03060A C3D04065E
C3D04060E C3D04065A
C3D04060F C6D04065E
