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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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NTD18N06G-VB一種N—Channel溝道TO252封裝MOS管

型號: NTD18N06G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 N—Channel

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

以下是NTD18N06G-VB型號的產品簡介和詳細參數說明:

### 產品簡介:

NTD18N06G-VB是VBsemi生產的N—Channel溝道功率場效應晶體管,具有以下特點:
- 負載工作電壓:60V
- 最大漏極電流:45A
- 靜態漏極-源極電阻:24mΩ @ VGS=10V
- 靜態漏極-源極電阻:24mΩ @ VGS=20V
- 門極閾值電壓:1.8V
- 封裝:TO252

### 參數說明:

- **負載工作電壓 (VDS)**: 60V,指定了晶體管在負載工作時的最大電壓。
- **最大漏極電流 (ID)**: 45A,表示晶體管能夠承受的最大漏極電流。
- **靜態漏極-源極電阻 (RDS(ON))**: 在不同的門極電壓下,靜態漏極-源極電阻都為24mΩ。這個參數表示了晶體管導通時的導通電阻。
- **門極閾值電壓 (Vth)**: 1.8V,是晶體管開始導通的門極電壓閾值。

### 應用領域和模塊舉例:

1. **電源管理模塊**:NTD18N06G-VB適用于各種電源管理模塊,例如開關電源、穩壓器等,提供穩定的電源輸出和功率管理。
  
2. **電動車輛**:在電動車輛中,NTD18N06G-VB可用于控制電動車輛的電機,實現高效的動力輸出和節能減排。
  
3. **工業自動化**:在工業自動化領域,NTD18N06G-VB可用于控制各種電機、執行器和傳感器,實現精確的控制和調節。

NTD18N06G-VB的特性使其在各種領域和模塊中都能發揮重要作用,提供高效、穩定的功率控制和管理功能。

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